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最新专利技术
  • 导电剂分散体、和通过使用其制备的电极和锂二次电池
    导电剂分散体、和通过使用其制备的电极和锂二次电池_株式会社LG新能源_202480030386.2
    本发明公开了一种导电剂分散体以及通过使用该导电剂分散体制备的电极和锂二次电池，所述导电剂分散体包括单壁碳纳米管、氟基聚合物和有机溶剂，其中所述氟基聚合物具有0.10至0.90的分散指数(D)，该分散指数反映了聚合物中不饱和官能团和共单体或饱...
    2025-12-18
  • 正极活性物质及包括其的锂二次电池
    正极活性物质及包括其的锂二次电池_艾可普罗BM有限公司_202480029867.1
    本发明涉及一种正极活性物质及包括其的锂二次电池，更具体而言，本发明涉及一种包含低单位体积能量密度得到改善的锂及富锂锂锰基氧化物，并且由此电化学特性得到提高的正极活性物质及包括其的锂二次电池。
    2025-12-18
  • 用于钠离子电池的聚阴离子和层状氧化物复合阴极材料及其合成方法
    用于钠离子电池的聚阴离子和层状氧化物复合阴极材料及其合成方法_新加坡国立大学_202480028021.6
    公开了一种用于钠电池或钠离子电池的聚阴离子‑层状氧化物复合阴极材料，该材料包括聚阴离子和层状氧化物，其中聚阴离子为Na3V2 (PO4)3 (NVP)或Na4VMn(PO4)3 (NVMP)；其中层状氧化物选自由O3/P3‑NaxMyOz、...
    2025-12-18
  • 生产含锂电极的方法和电化学电池
    生产含锂电极的方法和电化学电池_西门子股份公司_202480030060.X
    本发明涉及生产含锂离子的蓄电池的含锂电极(4)的方法，其包括以下步骤：‑ 生产金属箔(6)，‑ 在金属箔(6)的表面(26)上涂覆石墨层(28)，‑ 将设置有石墨层(28)的金属箔(6)作为第一电极(8)引入电化学电池(2)中，该第一电极(...
    2025-12-18
  • 正极活性材料以及包含该材料的正极浆料、正极和锂二次电池
    正极活性材料以及包含该材料的正极浆料、正极和锂二次电池_株式会社LG新能源_202480027131.0
    本发明提供了一种正极活性材料以及包含该正极活性材料的正极、正极浆料和锂二次电池，其中，所述正极活性材料含有包含镍、钴和锰并且除锂以外的金属中的镍含量为90摩尔%以上的锂镍类氧化物，以及在所述镍锂类氧化物上掺杂的金属元素M1，其中，所述金属元...
    2025-12-18
  • 正极活性物质和二次电池
    正极活性物质和二次电池_松下知识产权经营株式会社_202480026123.4
    本发明提供一种能够抑制正极集电体与正极合剂层的密合力降低和电池容量降低的正极活性物质。所述正极活性物质的特征在于，具有细孔，在通过BJH法对氮吸附等温线进行解析而得到的细孔径分布中，在细孔径为30nm以上的范围具有细孔容积为0.003cm3...
    2025-12-18
  • 非水电解液二次电池的正极用组合物、正极片及非水电解液二次电池
    非水电解液二次电池的正极用组合物、正极片及非水电解液二次电池_富士胶片株式会社_202480031164.2
    本发明提供一种正极用组合物、具有使用该正极用组合物形成的正极活性物质层的正极片及使用该正极片的非水电解液二次电池，所述正极用组合物包含由粒径5.0μm以上的大粒子组A和粒径小于5.0μm的小粒子组B构成的正极活性物质，在正极活性物质的个数基...
    2025-12-18
  • 正极极片、二次电池和用电装置
    正极极片、二次电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202480028762.4
    一种正极极片、二次电池和用电装置，正极极片包括正极活性材料层，正极活性材料层包括第一正极活性材料和第二正极活性材料，第一正极活性材料和第二正极活性材料各自独立地包括含锂的过渡金属氧化物，第二正极活性材料的外表面包括钝化层；和/或第二正极活性...
    2025-12-18
  • 用于全固态可再充电电池的正电极和包括正电极的全固态可再充电电池
    用于全固态可再充电电池的正电极和包括正电极的全固态可再充电电池_三星SDI株式会社_202480031513.0
    本发明提供即使当不施加外部压力或在低约束压力下也可抑制由于充电和放电导致的电池性能的劣化的全固态可再充电电池。提供用于全固态可再充电电池的正电极，正电极包括：正电极集流体和在正电极集流体上堆叠的正电极混合物层，其中正电极混合物层包括能够嵌入...
    2025-12-18
  • 用于储能装置的电解质化学配制剂
    用于储能装置的电解质化学配制剂_南8技术公司_202480030793.3
    本发明公开了离子导电电解质，其包含液化气体溶剂，该液化气体溶剂表现出低全球变暖潜能值(GWP)和低可燃性，同时还能在电化学装置中产生良好的固体电解质界面，以保持高性能和循环寿命。该离子导电电解质包含具有低GWP溶剂和非低GWP溶剂的多组分溶...
    2025-12-18
  • 二次电池用正极、包含该正极的锂二次电池及该正极的制造方法
    二次电池用正极、包含该正极的锂二次电池及该正极的制造方法_株式会社LG新能源_202480021595.0
    本发明涉及一种二次电池用正极、包含该正极的锂二次电池及该正极的制造方法，二次电池用正极包含：第一正极层，其包含由具有一次颗粒形式的第一活性材料颗粒组成的第一正极活性材料；以及第二正极层，其包含由具有一次颗粒团聚而成的二次颗粒形式的第二活性材...
    2025-12-18
  • 用于全固态可再充电电池的负电极和全固态可再充电电池
    用于全固态可再充电电池的负电极和全固态可再充电电池_三星SDI株式会社_202380097504.7
    公开了用于全固体二次电池的负电极、以及包括该负电极的全固体二次电池，该负电极包括负电极集流体、以及设置在其上并且包括碳材料的负电极涂覆层，其中碳材料具有如通过X射线光谱法测量的3.500‑3.620的d002值。
    2025-12-18
  • 卷图生成系统和卷图生成方法
    卷图生成系统和卷图生成方法_株式会社LG新能源_202480031531.9
    根据示例性实施方式，提供一种卷图生成方法。该方法包括以下步骤：基于通过测量电极片生成的测量信号收集测量数据，所述测量数据包括所述电极片的测量值，所述电极片包括多条涂覆部带和多个未涂覆部；以及处理所述测量数据，从而将所述多条涂覆部带区分开。
    2025-12-18
  • 使用聚酰亚胺基粘结剂无溶剂制造锂离子电池电极
    使用聚酰亚胺基粘结剂无溶剂制造锂离子电池电极_沙特基础工业全球技术公司_202480030732.7
    本发明公开了无溶剂的锂离子电池(LIB)电极生产工艺。该电极生产工艺采用不同于传统聚偏二氟乙烯粘结剂的聚合物粘结剂材料。可采用粉末涂覆工艺制造所述LIB电极。所述粉末涂覆工艺避免了溶剂的使用，从而降低了总体生产成本并提高了生产工人的安全性。
    2025-12-18
  • 正极活性材料、正极及锂二次电池
    正极活性材料、正极及锂二次电池_株式会社LG化学_202480027532.6
    本发明涉及一种正极活性材料以及包含该正极活性材料的正极和锂二次电池，其中所述正极活性材料能够同时解决常规二次颗粒的问题和单颗粒的问题的正极活性材料，其中，所述正极活性材料包括：如常规的单颗粒等颗粒作为一次颗粒，并包括由多个一次颗粒聚集形成的...
    2025-12-18
  • 功率半导体模块和功率转换器
    功率半导体模块和功率转换器_LX半导体科技有限公司_202580001910.8
    一种功率半导体模块可以包括：公共漏极焊盘；第一功率半导体器件，该第一功率半导体器件位于公共漏极焊盘的第一区域上；第二功率半导体器件，该第二功率半导体器件位于公共漏极焊盘的第二区域上；成型层，该成型层围绕第一功率半导体器件和第二功率半导体器件...
    2025-12-18
  • 功率模块
    功率模块_国立大学法人东北大学_202480024198.9
    本发明提供一种小型化的功率模块。功率模块(1)包括第一基板(10)、第二基板(20)、第一流路形成部(30)和第二流路形成部(40)，所述第一基板(10)包括至少一对彼此不连接的导体部(11)、与任一个导体部(11)连接的一个或多个功率半导...
    2025-12-18
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社力森诺科_202480024065.1
    一种半导体装置，具备：基板；层叠芯片，由层叠在基板的主面上的多个半导体芯片形成；固定层，配置在基板的主面与层叠芯片之间及层叠芯片中的多个半导体芯片之间；及圆角，以从基板的主面与层叠芯片之间及层叠芯片中的多个半导体芯片之间溢出的方式，从固定层...
    2025-12-18
  • 电路板和包括该电路板的半导体封装
    电路板和包括该电路板的半导体封装_LG伊诺特有限公司_202480031278.7
    根据实施例的半导体封装包括绝缘层、设置在绝缘层上的保护层、嵌入绝缘层中的电极部、以及设置在保护层上的凸块部，其中电极部包括连接到凸块部的过孔电极，绝缘层和保护层中的每一个包括通孔，过孔电极设置在通孔中，并且形成通孔的绝缘层的内壁和保护层的内...
    2025-12-18
  • 3D存储器单元和阵列架构
    3D存储器单元和阵列架构_NEO半导体公司_202480028926.3
    公开了各种3D存储器单元、阵列架构和工艺。在一个实施例中，提供了一种单元结构，包括：第一材料，其形成位线；第二材料，其形成耦合到位线的第一部分的存储区；以及第三材料，其形成连接到存储区和位线的第二部分和第三部分的沟道。单元结构还包括：第四材...
    2025-12-18
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