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最新专利技术
  • 功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法
    功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511586028.2
    本申请提供了一种功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法，功率半导体器件包括衬底；外延层位于衬底的一侧；栅极结构至少部分位于外延层内，栅极结构的至少部分结构的形状为半球形；肖特基接触区位于外延层内，并且位于相邻的两个所述栅极结构之间；源极结...
    2025-12-25
  • 半导体装置
    半导体装置_新电元工业株式会社_202510697315.4
    本发明提供一种能够提高PRSM耐受量的半导体装置。本发明的半导体装置100包括：半导体基体110；绝缘层120，形成在半导体基体110的表面上并且具有使半导体基体110的表面露出的开口122；以及表面电极130，至少形成在与开口122重叠的...
    2025-12-25
  • 一种基于SiC超结的快速反向恢复方法及系统
    一种基于SiC超结的快速反向恢复方法及系统_深圳市美浦森半导体有限公司_202511287661.1
    本发明涉及器件恢复优化技术领域，一种基于SiC超结的快速反向恢复方法及系统，包括：对工作电压集进行频次统计，得到电压单位时长集，基于超结参数集对碳化硅晶圆进行超结掺杂，得到超结器件，利用工作电压及恢复时长测试装置对超结器件进行反向恢复时长测...
    2025-12-25
  • 二维材料的转移和堆叠方法
    二维材料的转移和堆叠方法_中国人民解放军国防科技大学_202511100108.2
    本发明提供了一种二维材料的转移和堆叠方法。本发明提供的方法实现了以微小面积精准接触二维材料从扎堆材料、衬底边缘材料中精准拾取目标材料并实现转移材料、堆叠异质结，保证最终器件周围无其他材料影响；本发明提供的方法还可实现目标材料周围不想要材料的...
    2025-12-25
  • 二维材料的转移和堆叠方法
    二维材料的转移和堆叠方法_中国人民解放军国防科技大学_202511100098.2
    本发明提供了一种二维材料的转移和堆叠方法。相较于传统的将PVA方条带粘贴在PDMS片上，本发明的方法在自制的PDMS半球上直接成膜，减少了二维材料转移前的准备工作，简化了准备流程，同时增大了PVA薄膜与PDMS之间的结合力，可以在PVA薄膜...
    2025-12-25
  • 用于调节功率器件的转折电压的方法
    用于调节功率器件的转折电压的方法_清华大学_202510969340.3
    本公开提供了一种用于调节功率器件的转折电压的方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：测量功率器件的实际转折电压；和基于实际转折电压，对功率器件执行质子辐照处理和退火处理，以改变功率器件中的缓冲区的掺杂浓度，从而调节功率器件的实际转折电压。该方...
    2025-12-25
  • 薄膜晶体管
    薄膜晶体管_三星显示有限公司_202510608464.9
    提供了包括在显示装置中的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：缓冲层，在基底上；有源图案，在缓冲层上；栅电极，在有源图案上；栅极绝缘层，在有源图案与栅电极之间；以及源电极和漏电极，电连接到有源图案并且在第一方向或与第一方向交叉的第二方向上间隔开。...
    2025-12-25
  • 半导体器件
    半导体器件_深圳市鹏进高科技有限公司_202511233303.2
    本公开提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，用于降低半导体器件的欧姆接触电阻；半导体器件包括：衬底、外延层、第一掺杂部、第二掺杂部和欧姆接触层；外延层设于衬底的一侧，外延层包括碳化硅外延层；第一掺杂部嵌入外延层远离衬底的表面；第二掺杂部嵌...
    2025-12-25
  • 集成温度传感单元和电流传感单元的芯片结构、制作方法
    集成温度传感单元和电流传感单元的芯片结构、制作方法_中国第一汽车股份有限公司_202511202814.8
    本发明提供了一种集成温度传感单元和电流传感单元的芯片结构、制作方法。芯片结构包括：芯片本体，芯片本体的中部区域设置有源区，有源区向外依次设置过渡区和终端区，过渡区和终端区围绕有源区设置；沿有源区的预设方向依次设置有工作区单元、电流传感单元和...
    2025-12-25
  • 集成温度传感器的芯片结构及具有其的制作方法、车辆
    集成温度传感器的芯片结构及具有其的制作方法、车辆_中国第一汽车股份有限公司_202511202792.5
    本发明提供了一种集成温度传感器的芯片结构及具有其的制作方法、车辆。该集成温度传感器的芯片结构，包括：芯片本体和温度传感器，芯片本体包括碳化硅层和设置于碳化硅层外层的栅极结构，芯片本体的中部区域设置有源区和非有源区，有源区和非有源区位于栅极结...
    2025-12-25
  • 芯片结构及具有其的制作方法、车辆
    芯片结构及具有其的制作方法、车辆_中国第一汽车股份有限公司_202511202751.6
    本发明提供了一种芯片结构及具有其的制作方法、车辆。该芯片结构包括：衬底层、外延层和栅极焊盘，外延层设置于衬底层的上表面，在外延层上表面至少设置有多晶硅层、金属层、第二绝缘介质层和多晶硅结构，其中，金属层位于多晶硅层的外层，第二绝缘介质层位于...
    2025-12-25
  • 一种优化雪崩的超结MOSFET结构及其制备方法
    一种优化雪崩的超结MOSFET结构及其制备方法_龙腾半导体股份有限公司_202511155305.4
    本发明公开了一种优化雪崩的超结MOSFET结构及其制备方法，该超结MOSFET结构包括：第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型体区以及源极结构；第一导电类型外延层内纵向分布有若干第二导电类型柱，每个第二导电类型柱均具有垂直部和偏...
    2025-12-25
  • 一种集成横置的肖特基二极管的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
    一种集成横置的肖特基二极管的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法_扬州大学_202511123072.X
    本申请公开了一种集成横置的肖特基二极管的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，包括：N型衬底；位于衬底的漏极；位于衬底上方的N型外延层；位于外延层靠近上表面中间位置的沟槽栅极；位于栅极左侧的N型源区与P型基区；位于栅极下方的N型电流扩展...
    2025-12-25
  • 具有第一隔离沟槽和第二隔离沟槽的半导体器件以及制造方法
    具有第一隔离沟槽和第二隔离沟槽的半导体器件以及制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202510743401.4
    提供一种半导体器件，包括第一导电类型下部半导体衬底层、上部半导体衬底层和内插在之间的第二导电类型掩埋半导体衬底层。半导体器件包括第一隔离沟槽，形成在上部半导体衬底层第一主表面并延伸穿过上部半导体衬底层和掩埋半导体衬底层进入下部半导体衬底层。...
    2025-12-25
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202510735750.1
    半导体装置(1、2)具备：绝缘膜(42)，具有朝向有源区域(10A)的端部(43)；栅极布线(36)，设置在绝缘膜(42)上；以及栅极引出部(38)，将栅极电极(32)与栅极布线(36)连接，跨上绝缘膜(42)的端部(43)而延伸。半导体基...
    2025-12-25
  • 包括沟槽栅极结构的场效应晶体管
    包括沟槽栅极结构的场效应晶体管_英飞凌科技股份有限公司_202510581067.7
    公开了包括沟槽栅极结构的场效应晶体管。提出了场效应晶体管FET(100)。FET(100)包括在具有第一表面(108)的半导体衬底(102)中的晶体管单元(TC)。晶体管单元(TC)包括在半导体衬底(102)的第一表面(108)处的源极区(...
    2025-12-25
  • 一种沟道自对准的碳化硅MOSFET器件的制备方法
    一种沟道自对准的碳化硅MOSFET器件的制备方法_北京智慧能源研究院_202410736123.5
    本发明属于半导体制造技术领域，涉及一种沟道自对准的碳化硅MOSFET器件的制备方法，Pwell区和N+区的预设注入窗口掩膜同时形成，先进行Pwell区的Al离子注入，后进行N+区域的N离子注入；Pwell区和N+区的预设注入窗口掩膜在注入后...
    2025-12-25
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_深圳市鹏进高科技有限公司_202511233251.9
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在解决元胞尺寸难以减小而影响器件性能的问题；半导体器件包括衬底，位于衬底两侧的第一电极和第二电极，以及位于衬底与第一电极之间的外延层、导电阱层、掺杂层、栅氧层和栅极；外...
    2025-12-25
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_深圳市鹏进高科技有限公司_202511228803.7
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在解决元胞尺寸难以减小而影响器件性能的问题。半导体器件包括衬底，位于衬底两侧的第一电极和第二电极，以及位于衬底与第一电极之间的外延层、导电阱层、掺杂层、栅氧层和栅极；外...
    2025-12-25
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511173790.8
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，其通过在隔离结构内设置多个第一导电插塞并对其施加梯度电压，在隔离结构下方的区域中形成梯度电场，实现了对载流子浓度分布的动态调制，从而解决传统静态掺杂设计中导通电阻与击穿电压之间存在的相互制约关系。本申...
    2025-12-25
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