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  • 本发明提供了背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件。该背接触太阳能电池包括:硅衬底;P区的P区结构包括依次设置的第一隧穿层、P型掺杂多晶硅层和钝化层;N区的N区结构包括依次设置的第二隧穿层、N型掺杂多晶硅层;分隔层设置在隔离区的表面,将P区...
  • 本发明公开了一种硅基半导体器件及其钝化保护层制备方法,包括:半导体器件主体,所述半导体器件主体表面或者切割断面覆盖钝化保护层,钝化保护层由化学钝化层、场钝化层和光学调控保护层组合而成,或者由上述任意两种组合而成;本发明对半导体器件表面或切割...
  • 本发明提供了一种光伏电池及其制备方法,涉及光伏技术领域,以解决光伏电池的光电转化效率低的技术问题。该光伏电池,包括衬底,衬底具有第一表面,第一表面包括第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的第三区域;第一区域上堆叠有第一叠层结构,...
  • 本发明属于电池技术领域,公开了一种N型电池片、N型电池片的制造方法及电池组件。N型电池片包括N型硅基底以及依次设在N型硅基底的背面的遂穿层、掺杂晶硅层以及背面减反射功能层,掺杂晶硅层至少包括在远离N型硅基底的背面方向上依次设置的第一掺杂晶硅...
  • 本申请涉及一种太阳能电池及其制造方法,所述太阳能电池包括基底、多晶硅层和多条副栅,所述多晶硅层位于所述基底的一侧,所述多晶硅层包括交替排布的凹陷部和凸起部,且沿平行于所述基底的表面的第一方向上,所述凸起部的宽度依次增大;多条所述副栅位于所述...
  • 本发明公开了一种背接触光伏组件及光伏系统,涉及太阳能电池技术领域。本发明的背接触光伏组件包括沿第一方向排布并电连接的多个电池串,每个电池串均包括沿第二方向排布并电连接的多个电池片,第一方向与第二方向交叉设置;在同一电池串中,相邻的两个电池片...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种光伏组件及其制造方法。光伏组件包括电池串组、第二汇流条和连接部。第二汇流条位于电池串组的一侧或两侧,在电池片的厚度方向上,第二汇流条位于电池串组的背光面,且第二汇流条的投影与电池片的投影存在重合部分...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池、光伏组件及光伏系统,太阳能电池包括硅基底;边缘主栅,设置于硅基底的边缘位置,并沿第一方向延伸;与边缘主栅间隔设置的边缘焊盘,边缘焊盘和边缘主栅之间通过一连接栅线连接,连接栅线沿第二方向...
  • 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种光伏电池、光伏组件,光伏电池包括:具有沿第一方向相对的两个边沿区和位于两边沿区之间的中心区的电池基片;位于电池基片上且沿第一方向间隔排布的多个栅线;位于至少部分数量的边沿区上的第一焊点和第二焊点,第二焊点位...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统,在背接触电池中,在背面上设第一焊盘、第三焊盘、第一连接栅线、第三连接栅线以及第一汇流栅线,第一连接栅线与第一焊盘导电连接且与位于第一边缘和第一焊盘之间的第一细栅连接,...
  • 本发明提供了太阳能电池及其制备方法和光伏组件。该太阳能电池包括:P型硅衬底,P型硅衬底的第一表面和/或第二表面包括正极区、负极区及沟槽;负极区的表面依次设置有铁电材料层和负电极;正极区的表面依次设置有遂穿层、P型掺杂多晶硅层、钝化层、减反射...
  • 本发明公开了一种背接触电池的新型网版及扁形焊带互联方法,涉及背接触电池互联技术领域。该新型网版优化设计为每条主栅线设单个PAD点,且N区与P区主栅PAD点交叉分布,主栅宽度0.8‑2mm,PAD点宽1.0‑3.0mm、长2.0‑4.0mm,...
  • 本发明公开了一种制备太阳电池的方法和太阳电池,方法包括:对硅片表面进行制绒处理;形成正面非晶硅层和背面非晶硅层;形成正面导电薄膜和背面导电薄膜;在硅片的所有表面形成感光胶层;在硅片的正面和背面设定图案化区域;对硅片的表面进行曝光处理并去除硅...
  • 本发明提出了标准太阳能电池片及其制备方法、测试方法和用途。该标准太阳能电池片中,位于标准电池片的第一面上的金属栅线与导线焊接相连且导线引出有电流、电压连接头,位于标准电池片的第二面上的金属栅线与导线焊接相连且导线引出有电流、电压连接头;第一...
  • 本发明提供一种光伏电池及其改善光伏电池水平双面电镀电极接触的电镀工艺。所述电镀工艺包括以下步骤:依次在N型硅衬底的正面和反面分别沉积钝化减反层,对所述正面进行印刷,并进行烧结,形成金属触点区域;在N型硅衬底的背面进行激光开槽,得到光伏电池前...
  • 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件,涉及光伏技术领域,用于减少图案化处理过程中激光光斑往复运动的次数,降低激光损伤,利于提高太阳能电池的转换效率,同时提高图案化处理的产能。太阳能电池包括半导体基底和第一掺杂半导体层。第一掺杂半...
  • 本发明涉及异质结电池技术领域,具体涉及一种异质结电池及其制备方法,在硅片正反两面依次沉积本征非晶硅层、掺杂微晶硅层、底部透明导电层、底部氮化硅层、抗紫外层和端部氮化硅层。本发明底部透明导电层上设置底部氮化硅层,然后铺设抗紫外光转层,一方面能...
  • 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种光伏组件的制造方法、光伏组件,制造方法包括:提供载板;在载板上设置沿第一方向延伸的初始跳线,初始跳线包括至少两个第一段和位于两个第一段之间的第二段;至少在第二段靠近载板的一侧粘接第一胶膜;沿第二方向对第二段...
  • 一种电池片的制备方法和电池片,属于光伏技术领域,电池片的制备方法至少包括:提供线切割后的硅片,硅片包括线痕区和非线痕区,在硅片的正面激光制备出多个间隔分布的沟槽,且位于硅片中部的沟槽的密度大于位于硅片边缘处的沟槽的密度,预清洗硅片,使用刻蚀...
  • 本申请提供一种背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件,涉及光伏技术领域,背接触太阳能电池的制备方法包括:提供背接触太阳能电池基片,基片的第一表面具有栅线和焊点,对位于待加工的栅线上的焊点通电,以向背接触太阳能电池基片施加反向偏压,利用第一激...
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