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最新专利技术
  • 用于片上系统的冷却装置
    用于片上系统的冷却装置_惠普发展公司, 有限责任合伙企业_202380098376.8
    一种用于片上系统的冷却装置，包括：多个冷却单元，该多个冷却单元经由该多个冷却单元的第一侧联接到片上系统，并与其他冷却单元间隔开。该冷却装置进一步包括与该多个冷却单元的第二侧相联接的桥接器，该桥接器和多个冷却单元被布置为使该多个冷却单元中的各...
    2025-12-20
  • 转接器及半导体冷却装置
    转接器及半导体冷却装置_三菱电机株式会社_202380097792.6
    本申请说明书中公开的技术是一种能够容易地应用于现有的冷却结构，并且用于提高冷却效果的技术。本说明书中公开的技术所涉及的转接器是设置在用于冷却半导体元件的制冷剂流路中的转接器，半导体元件连接到向流路突出的针状翅片，转接器具有与针状翅片的形状对...
    2025-12-20
  • 半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法
    半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法_株式会社力森诺科_202480026797.4
    一种半导体装置制造用临时保护膜，其具备：支撑膜；及设置于支撑膜上的黏合层，黏合层含有丙烯酸聚合物，该丙烯酸聚合物具有55万以上的重均分子量及2.0以下的分子量分布。
    2025-12-20
  • 电子部件装置的制造方法以及孔版一体型掩模框
    电子部件装置的制造方法以及孔版一体型掩模框_株式会社力森诺科_202380097692.3
    本公开的电子部件装置的制造方法中，在具有电路基板和配置于所述电路基板的一个面的电子部件元件的安装体中的配置有所述电子部件元件一侧的面上，配置具有与配置有所述电子部件元件的部位对应地设置的第一开口部的掩模框，在所述掩模框的与面向所述安装体的一...
    2025-12-20
  • 半导体封装件的制造方法
    半导体封装件的制造方法_株式会社力森诺科_202380097621.3
    本发明公开一种半导体封装件(100)的制造方法。在该方法中，例如，对基板(10)即印刷线路板上的绝缘树脂层(20)的表面照射氧等离子体(等离子体P)以进行表面处理。该绝缘树脂层(20)例如由包含无机填料的阻焊剂形成。并且，通过超声波清洗去除...
    2025-12-20
  • 中子射线屏蔽材、半导体装置用屏蔽材、半导体装置用包装体、核反应堆用屏蔽材、核反应堆容纳容器、核反应堆建筑物、核聚变堆用屏蔽材、核聚变堆及核聚变堆建筑物
    中子射线屏蔽材、半导体装置用屏蔽材、半导体装置用包装体、核反应堆用屏蔽材、核反应堆容纳容器、核反应堆建筑物、核聚变堆用屏蔽材、核聚变堆及核聚变堆建筑物_迪睿合株式会社_202480030957.2
    中子射线屏蔽材是屏蔽中子射线的中子射线屏蔽材，该中子射线屏蔽材的厚度为1cm时，0.5eV的中子射线的衰减率为1e‑2以下。
    2025-12-20
  • 电路板和包括该电路板的半导体封装
    电路板和包括该电路板的半导体封装_LG伊诺特有限公司_202480032158.9
    根据实施方案的电路板包括：第一绝缘层；和设置在第一绝缘层上第二绝缘层，其中第一绝缘层包括在水平方向上延伸的加强构件，其中第二绝缘层包括从第一绝缘层的上表面朝向第一绝缘层的下表面突出的绝缘构件，其中加强构件局部地设置在第一绝缘层中的除了绝缘构...
    2025-12-20
  • 使用连接边缘环硬件的晶片边缘轮廓控制
    使用连接边缘环硬件的晶片边缘轮廓控制_应用材料公司_202480027403.7
    本文所描述的实施例通常涉及基板处理设备。在一个实施例中，本文公开了一种用于基板处理腔室的处理套件。处理套件包括具有第一环部件和第二环部件的环、滑动环、和致动机构。第一环部件与第二环部件相连接，使得第二环部件可相对于第一环部件移动，从而在其之...
    2025-12-20
  • 部件和部件的制造方法
    部件和部件的制造方法_东京毅力科创株式会社_202480029615.9
    在半导体制造装置中使用的部件包括第一部件；第二部件；和配置在第一部件与第二部件之间的密封层。第一部件具有多个第一开口，第二部件具有分别与多个第一开口对应的多个第二开口。密封层具有与多个第一开口中的至少两个第一开口各自对应的多个贯通孔。至少两...
    2025-12-20
  • 具有用于低温应用的外部陶瓷真空隔离环的金属粘合ESC
    具有用于低温应用的外部陶瓷真空隔离环的金属粘合ESC_应用材料公司_202480027210.1
    在本文中本公开的实施例包括一种用于处理基板的设备。更特定地，本公开的实施例提供了一种包括静电卡盘(ESC)组件的基板支撑组件。所述ESC组件包括冷却基底，所述冷却基底具有顶表面以及外径侧壁；ESC，所述ESC具有基板支撑表面、底表面以及外径...
    2025-12-20
  • 检查装置以及参数设定方法
    检查装置以及参数设定方法_东京毅力科创株式会社_202480032288.2
    本发明的检查装置具有：基台，其用于载置基板；升降机构，其使所述基台升降；检查部，其与升降后的所述基板接触来进行该基板的检查；和控制部，其控制所述升降机构。所述控制部具有设定所述升降机构的上升时的参数的功能。在所述参数的设定中，在所述检查部与...
    2025-12-20
  • 被检查体的形状检查装置以及形状检查方法
    被检查体的形状检查装置以及形状检查方法_三菱电机株式会社_202380098016.8
    被检查体的形状检查装置(1)具备：照相机(2)，其以能够移动的方式设置，来拍摄被检查体；调节机构(4)，其用于调节照相机(2)与被检查体的距离；照明装置(5)，其具有向被检查体照射光的光源(7)，并能够变更该光源(7)的位置；控制器(20)...
    2025-12-20
  • 用于TiN硬掩模去除而同时与钨相容的组合物
    用于TiN硬掩模去除而同时与钨相容的组合物_弗萨姆材料美国有限责任公司_202480031593.X
    本文公开了用于从电子电路器件如先进图案晶片去除TiN硬掩模的组合物，方法和系统。蚀刻制剂包含(a) 至少一种含磷的酸或其盐、(b) 至少一种氧化剂、(c)至少一种阳离子聚合物腐蚀抑制剂和(d) 至少一种溶剂，基本上由其组成或由其组成。
    2025-12-20
  • 用于氮化硅的降低的粗糙度的离子注入
    用于氮化硅的降低的粗糙度的离子注入_应用材料公司_202480029149.4
    半导体处理的示例性方法可包括在半导体基板上形成氮化硅层。所述氮化硅层可由第一粗糙度表征。所述方法可包括在所述氮化硅层上执行沉积后处置。所述方法可包括降低所述氮化硅层的粗糙度，使得所述氮化硅层可由小于所述第一粗糙度的第二粗糙度表征。
    2025-12-20
  • 基片处理装置和基片处理方法
    基片处理装置和基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202480032715.7
    基片处理装置包括：保持基片并使其旋转的基片旋转部；向基片的周缘部供给处理液的处理液供给部；和控制基片旋转部和处理液供给部的控制部，控制部以调节蚀刻模式控制基片旋转部和处理液供给部，在调节蚀刻模式中，一边使基片旋转，一边从处理液供给部向周缘部...
    2025-12-20
  • 基板处理方法
    基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480029512.2
    本发明的基板处理方法包含：基板旋转工序，使具有为了基板薄化而被研削或研磨的主表面的基板绕与所述主表面垂直的旋转轴线旋转；第一蚀刻工序，在所述基板旋转工序的执行期间，对所述主表面供给包含氢氟酸和硝酸的第一蚀刻液；以及第二蚀刻工序，在所述第一蚀...
    2025-12-20
  • 基板处理方法和基板处理系统
    基板处理方法和基板处理系统_东京毅力科创株式会社_202480033074.7
    一种基板处理方法，用于对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理，所述基板处理方法包括：沿着所述第一基板中的作为去除对象的周缘部与中央部的边界，在所述第一基板的内部形成第一周缘改性区域；至少从所述第一周缘改性区域起在径向外侧，在所述第一...
    2025-12-20
  • 基板处理装置
    基板处理装置_株式会社JET_202480027057.2
    本发明提供一种能够以适合于正确的温度测定的方式来加热基板的基板处理装置。加热部(18)通过将来自光源部(34)的LED(37a)的光照射于基板(11)来加热基板(11)。LED(37a)输出在不透过基板(11)的波长范围具有峰值波长的单一波...
    2025-12-20
  • 形成钛氮化物薄膜的方法以及形成电极的方法
    形成钛氮化物薄膜的方法以及形成电极的方法_周星工程股份有限公司_202480031465.5
    根据本发明的实施例的形成钛氮化物薄膜的方法包括如下步骤：准备基板；朝向基板喷射含钛(Ti)的前体，以形成含钛(Ti)层；以及朝向基板喷射含氮(N)的反应气体，以形成钛氮化物薄膜，其中，含钛(Ti)的前体不含氯(Cl)。因此，根据本发明的实施...
    2025-12-20
  • 形成在绝缘体上硅衬底上的存储器器件及其制造方法
    形成在绝缘体上硅衬底上的存储器器件及其制造方法_硅存储技术股份有限公司_202380097572.3
    一种存储器器件包括SOI衬底，该SOI衬底包括体硅(12)、竖直地位于体硅上方的绝缘层(14)和竖直地位于绝缘层上方的硅层(16)。存储器单元(20)包括：源极区(30)和漏极区(32)，该源极区和该漏极区形成在体硅中，体硅的沟道区(34)...
    2025-12-20
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