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最新专利技术
  • 映射系统
    映射系统_TDK株式会社_202510949203.3
    本发明提供一种即使在半导体工厂内收纳不同的对象物的容器混合存在并被输送那样的状态下，也能够正确地检测收纳于容器的对象物的收纳状态的映射系统。映射系统具有：基板信息获取部，其获取基板信息，该基板信息是收纳于作为以在工厂内输送中或能够输送的状态...
    2026-01-24
  • 映射装置及装载端口装置
    映射装置及装载端口装置_TDK株式会社_202510949124.2
    本发明提供无论检测对象物有无挠曲均能够精确地检测检测对象物的收纳状态的映射装置及具有映射装置的装载端口。映射装置(20)检测收纳于容器(10)中的板状的检测对象物(100)的收纳状态。映射装置(20)具有：第一传感器，其具有沿着容器(10)...
    2026-01-24
  • 工件的清洗装置及工件的清洗方法
    工件的清洗装置及工件的清洗方法_胜高股份有限公司_202510909396.X
    提出能够减少向工件的背面的颗粒附着量的工件的清洗装置及方法。具备具有筒状部(11a)和盖部(11b)的固定体(11)、在内部容纳筒状部(11a)的旋转体(13)的工件的清洗装置中，具备在盖部(11b)的下表面设置的排气口(28)、配置于固定...
    2026-01-24
  • 信息处理装置和性能评价方法
    信息处理装置和性能评价方法_东京毅力科创株式会社_202510874730.2
    本发明提供一种提高基片处理装置的配方的性能评价容易度的技术。本发明的信息处理装置对按照配方进行成膜处理的基片处理装置的所述配方进行性能评价，所述信息处理装置包括：预测部，其预测按照配方进行成膜处理的基片处理装置的成膜结果；配方性能评价部，其...
    2026-01-24
  • 基板处理装置
    基板处理装置_芝浦机械电子株式会社_202510874458.8
    本发明提供一种可防止构成构件过热的基板处理装置。实施方式的基板处理装置(1)具有：旋转保持部(10)，保持基板(W)并使其旋转；处理液供给部(20)，对由旋转保持部(10)所保持并旋转的基板(W)供给处理液(Lp)；加热部(50)，具有非接...
    2026-01-24
  • 高压退火装置
    高压退火装置_热思特设备技术股份有限公司_202510641919.7
    本发明公开一种高压退火装置。本发明通过包括提供内空间的内腔体、容纳内腔体的外腔体、在内腔体和外腔体之间的外空间中执行加热作用的加热模组、通过升降工作将内腔体的下部以及外腔体的下部中的至少任一个开启或密闭的腔体门、提供于腔体门上，并根据腔体门...
    2026-01-24
  • 基板处理装置、喷射装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质
    基板处理装置、喷射装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质_株式会社国际电气_202510216302.0
    本发明提供扩大处理气体的流路面积的、涉及基板处理装置、喷射装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质的技术。具备喷射装置，该喷射装置于在内部收纳基板的处理容器内设在上述基板的侧方，沿着与上述基板垂直的方向延伸，向上述基板喷射气体，上...
    2026-01-24
  • 晶圆翻转装置及晶圆清洗设备
    晶圆翻转装置及晶圆清洗设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410931813.6
    本申请公开一种晶圆翻转装置及晶圆清洗设备，涉及半导体制备技术领域，所公开的晶圆翻转装置包括基座、第一驱动部、第一夹持机构和第二夹持机构，第一夹持机构和第二夹持机构叠置，第一夹持机构的背向第二夹持机构的表面以及第二夹持机构的背向第一夹持机构的...
    2026-01-24
  • 一种晶圆键合结构及其形成方法
    一种晶圆键合结构及其形成方法_中芯京城集成电路制造(北京)有限公司_202410917908.2
    本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述方法包括：提供第一晶圆结构，所述第一晶圆结构包括第一晶圆和第一键合层；对所述第一键合层的表面进行掺杂离子注入，使所述第一键合层表面形成第二键合层；对所述第二键合层的表面进行氢离子注入，使所述第二键...
    2026-01-24
  • 晶圆状态检测装置和半导体工艺设备、工艺控制方法
    晶圆状态检测装置和半导体工艺设备、工艺控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410904222.X
    本发明提供了一种晶圆状态检测装置和半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域，以解决晶圆的吸附状态不易检测的问题。晶圆状态检测装置包括升降件、升降作用件和第一电极，升降件具有导电部，升降件的顶部用于接触晶圆并配置为与静电卡盘相对升降运动；升降作...
    2026-01-24
  • 一种硅晶圆片湿法清洗装置
    一种硅晶圆片湿法清洗装置_合肥孚烜自动化科技有限公司_202511640234.7
    本发明涉及半导体技术领域，具体为一种硅晶圆片湿法清洗装置，包括支撑机构、清洗机构和喷淋机构，支撑机构包括底座、立板、齿圈a和滑轨；立板圆周分布在底座上；齿圈a连接在立板顶端；滑轨与立板连接；清洗机构包括电机a、齿盘、支撑腿、清洗箱、U型板、...
    2026-01-24
  • 一种提升晶片表面质量的清洗工艺
    一种提升晶片表面质量的清洗工艺_山东粤海金半导体科技有限公司_202511510873.1
    本发明涉及半导体清洗领域，公开了一种提升晶片表面质量的清洗工艺，其包括晶片预清洗及晶片终端清洗；晶片预清洗将晶片依次进行第一有机溶液清洗、纯水超声清洗、机械刷洗及第二有机溶液清洗；晶片终端清洗将晶片依次进行有机乳化溶液清洗、SPM清洗、HQ...
    2026-01-24
  • 一种倒装芯片封装体的助焊剂清洗系统及清洗方法
    一种倒装芯片封装体的助焊剂清洗系统及清洗方法_南通通富微电子有限公司_202511320482.3
    本公开实施例提供一种倒装芯片封装体的助焊剂清洗系统及清洗方法，该方法中，先对晶圆和芯片的表面进行纯水的预清洗，然后再对芯片和晶圆之间的所有缝隙进行助焊剂的纯水矩阵清洗，之后再对晶圆和芯片的表面进行纯水清洗和氮气吹扫清洗，最后进行烘干完成倒装...
    2026-01-24
  • 半导体预清洗方法和半导体预清洗装置
    半导体预清洗方法和半导体预清洗装置_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511206600.8
    本发明提供了一种半导体预清洗方法，涉及半导体加工技术领域，以解决硅钛界面中氟残余量较大的问题。半导体预清洗方法用于清除晶片的硅层或锗硅层表面氧化层；方法包括：刻蚀步，提供含氟刻蚀剂，使含氟刻蚀剂与表面氧化层反应生成固态副产物；固态副产物包括...
    2026-01-24
  • 干燥装置以及半导体清洗设备
    干燥装置以及半导体清洗设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410910160.3
    本发明提供一种干燥装置以及半导体清洗设备。其中，干燥装置包括吹气部件，用于向第一方向吹气以对待干燥件进行干燥；在与第一方向垂直的第二方向上，吹气部件具有第一端和第二端；吹气部件具有导气腔，导气腔与吹扫气源连通；吹气部件表面设置有与导气腔连通...
    2026-01-24
  • 一种闭环式激光功率自检矫正方法及系统
    一种闭环式激光功率自检矫正方法及系统_江西兆驰半导体有限公司_202511705202.0
    本发明提供了一种闭环式激光功率自检矫正方法及系统，应用于激光划片机，该方法包括：在激光划片机中激光加工头的工艺位置外围设置嵌入式功率传感模块，用于实时监测作用于工件表面的等效激光功率；根据激光划片机的运动参数，动态生成目标激光功率，运动参数...
    2026-01-24
  • 用于组装离散组件的动态释放带
    用于组装离散组件的动态释放带_库力索法荷兰有限公司_202511344616.5
    该方法包括将离散组件总成定位于组件传送系统的支撑配件，该离散组件总成包括：动态释放带，其包括柔性支撑层和布置于该柔性支撑层的动态释放结构；以及离散组件，其黏着至该动态释放带。该方法包括照射该动态释放结构以从该动态释放带释放该离散组件。
    2026-01-24
  • 晶圆切割方法及设备
    晶圆切割方法及设备_中机(泉州)精密装备有限公司_202511392514.0
    本发明公开了一种晶圆切割方法及设备，其中方法包括：步骤S1：检测待加工晶圆位于加工承载台上的当前位置；步骤S2：计算所述当前位置与预定位置之间的偏差作为位置偏移量；步骤S3：判断所述位置偏移量是否小于偏移阈值，若是则执行步骤S4，若否则控制...
    2026-01-24
  • 一种飞秒激光湿法刻蚀晶向定向方法及微结构加工方法
    一种飞秒激光湿法刻蚀晶向定向方法及微结构加工方法_山东大学_202511568125.9
    本发明提供一种飞秒激光湿法刻蚀晶向定向方法及微结构加工方法，涉及单晶硅加工技术领域，针对目前晶向定向方法需要依赖独立设备并且定向后二次装夹产生叠加误差的问题，通过粗调结合精调的定向方式，粗调阶段以单晶硅片边缘为基准，通过光标跟踪快速锁定主定...
    2026-01-24
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_株式会社电装_202511511862.5
    在半导体器件的制造方法中，制备由比硅硬的半导体材料制成的并且具有彼此相反的第一表面(30a)和第二表面(30b)的半导体晶圆，通过研磨半导体晶圆的第二表面形成粗化层(32)，将刀片按压粗化层以在半导体晶圆的表面层中形成竖直裂纹(C)，在形成...
    2026-01-24
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