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最新专利技术
  • 一种Al助熔剂法制备稀土铝基金属间化合物EuAl4单晶的方法
    一种Al助熔剂法制备稀土铝基金属间化合物EuAl4单晶的方法_浙江光电子研究院_202511644723.X
    本发明公开了一种Al助熔剂法制备稀土铝基金属间化合物EuAl44单晶的方法，包括：A.在手套箱中将Al粒尺寸剪小；Eu片除油处理后，转移至手套箱内进行打磨；B.在手套箱对Al粒和Eu片称量后放置1号氧化铝坩埚中；C.将1号氧化铝坩埚置于石英...
    2026-03-11
  • 一种燃机叶片用镍基单晶高温合金及其制备方法
    一种燃机叶片用镍基单晶高温合金及其制备方法_中国联合重型燃气轮机技术有限公司_202511618588.1
    本发明公开了一种燃机叶片用镍基单晶高温合金及其制备方法，涉及高温合金技术领域。本发明提供的镍基单晶高温合金，按质量百分数计，包括：5.5‑6.5％Al、8‑10％Co、5‑7％Cr、0.1‑0.2％Hf、0.5‑1.5％Mo、2‑2.5％R...
    2026-03-11
  • 石棉尾矿制备碱式硫酸镁晶须及其全组分高值化利用的方法
    石棉尾矿制备碱式硫酸镁晶须及其全组分高值化利用的方法_青海大学_202511717433.3
    本发明提供了石棉尾矿制备碱式硫酸镁晶须及其全组分高值化利用的方法，属于固体废弃物资源化利用技术领域。该方法为：以含石棉尾矿的硫酸镁乳液为阳极液，硫酸镁溶液为阴极液，石墨电极为阳极，不锈钢电极为阴极，阳离子交换膜为隔膜，构建隔膜电解系统，通入...
    2026-03-11
  • 硫硅铬和硒硅铬二维铁电晶体的制备方法、场效应晶体管的制备与应用
    硫硅铬和硒硅铬二维铁电晶体的制备方法、场效应晶体管的制备与应用_华南师范大学_202511388715.3
    本申请涉及一种无机化合物及其制备方法与应用、场效应晶体管。无机化合物的化学式为Cr22Si22Q66，Q为S或Se。将该无机化合物作为铁电沟道场效应晶体管的沟道材料，可使铁电沟道场效应晶体管具有增强和抑制的短程可塑性；且随着栅极电压脉冲积累...
    2026-03-11
  • 一种氮化铝晶体的生长方法
    一种氮化铝晶体的生长方法_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511854820.1
    本发明提供了一种氮化铝晶体的生长方法，该方法包括：将承载第一氮化铝原料与第一氮化铝籽晶的坩埚置于处理腔室内；对处理腔室进行第一分阶段热处理，以去除处理腔室内的杂质；在第一分阶段热处理的过程中温度呈阶梯式增加；对处理腔室进行第二分阶段热处理以...
    2026-03-11
  • 一种高散热能力异质外延GaN单晶薄膜及其制备方法
    一种高散热能力异质外延GaN单晶薄膜及其制备方法_北京大学_202511671618.5
    本发明公开了一种高散热能力异质外延GaN单晶薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜领域。本发明通过构建图形化的AlN复合结构，在高热导的功能衬底上直接外延出高散热能力且低位错密度的GaN单晶薄膜，有助于解决高性能GaN器件面临的散热难题。本发明利...
    2026-03-11
  • 化合物锂钡硼氧氟硝基和锂钡硼氧氟硝基非线性光学晶体及制备方法和用途
    化合物锂钡硼氧氟硝基和锂钡硼氧氟硝基非线性光学晶体及制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202511904931.9
    本发明提供一种化合物锂钡硼氧氟硝基和锂钡硼氧氟硝基非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为LiBa33B99O1616FNO33，分子量为853.27，采用固相合成法制成；该晶体的化合物的化学式为LiBa33B99O1616FNO...
    2026-03-11
  • 一种用于熔体法生长半导体单晶的组合式坩埚、装置及方法
    一种用于熔体法生长半导体单晶的组合式坩埚、装置及方法_杭州富加镓业科技有限公司_202511637564.0
    本发明公开一种用于熔体法生长半导体单晶的组合式坩埚、装置及方法，属于半导体单晶生长技术领域。该组合式坩埚包括内层以及与内层外壁贴合的外层，或者，包括内层以及与内层外壁预留间隙的外层；其中，内层为铂铑坩埚，外层为氧化锆支撑保温套。本发明中外层...
    2026-03-11
  • 化合物硼酸锂钠钪和硼酸锂钠钪紫外非线性光学晶体及制备方法和用途
    化合物硼酸锂钠钪和硼酸锂钠钪紫外非线性光学晶体及制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202511904858.5
    本发明涉及一种化合物硼酸锂钠钪和硼酸锂钠钪紫外非线性光学晶体的制备方法及用途，该化合物的化学式为Li22NaScB22O66，分子量为199.45 g/mol，采用高温固相法制备；该晶体的化学式为Li22NaScB22O66，单斜晶系，PP...
    2026-03-11
  • 一种降低单晶头部氧含量的方法
    一种降低单晶头部氧含量的方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511702862.3
    本发明公开了一种降低单晶头部氧含量的方法，涉及单晶硅棒拉制技术领域，包括：采用单晶炉进行单晶硅棒拉制，调整单晶炉放肩工艺的肩形高度，将肩形高度调整为250mm；放近单晶炉引放液口距，减弱炉内富氧区向固液结晶方向的对流；设计单晶放肩工艺参数，...
    2026-03-11
  • 定向凝固改善高纯铝晶界形态制备高纯铝单晶装置及方法
    定向凝固改善高纯铝晶界形态制备高纯铝单晶装置及方法_南宁学院_202511717925.2
    定向凝固改善高纯铝晶界形态制备高纯铝单晶装置及方法，炉体安装在柜体上方，内腔设有加热装置，加热装置下方设有冷却装置，刚玉坩埚下端的底座与定向凝固杆上端固定连接，定向凝固杆穿过镓铟合金冷却池后与升降装置、旋转装置连接，升降装置固定在安装架左侧...
    2026-03-11
  • 一种基于熔体过滤与导向滴落的镁单晶生长装置及方法
    一种基于熔体过滤与导向滴落的镁单晶生长装置及方法_西安交通大学_202511692220.X
    本发明公开了一种基于熔体过滤与导向滴落的镁单晶生长装置及方法，属于单晶生长技术领域。本发明的炉管内自上而下依次连接有置料管、第一多孔滤杂板、第一空管、第二多孔滤杂板、第二空管、单晶漏斗和锥形坩埚；所述第一多孔滤杂板设置在所述置料管和所述第一...
    2026-03-11
  • 一种制备6N高纯单晶铜锭工艺
    一种制备6N高纯单晶铜锭工艺_安徽铜冠产业技术研究院有限责任公司_202511599781.5
    本发明提供一种制备6N高纯单晶铜锭工艺，属于涉及金属制备技术领域，包括如下步骤：S1、先通过紫铜冷却底座控制石墨铸锭坩埚以及石墨堵卸盘抬升至最高点位置，石墨堵卸盘进入放料口内加工放料口堵塞；S2、向石墨熔炼坩埚内添加铜料并且高温冶炼形成铜液...
    2026-03-11
  • 一种纯固体投料制备多晶硒化锌的装置及生长方法
    一种纯固体投料制备多晶硒化锌的装置及生长方法_安徽光智科技有限公司_202511942748.8
    本发明公开的属于红外光学材料制备技术领域，具体为一种纯固体投料制备多晶硒化锌的装置及生长方法，包括炉体、主收尘系统以及次收尘系统；所述炉体、主收尘系统与次收尘系统通过导气管依次串联连通，导气管上间隔设置气动球阀与蝶阀；所述炉体包括水冷炉体、...
    2026-03-11
  • 铸锭炉
    铸锭炉_江苏协鑫硅材料科技发展有限公司_202511780846.6
    本发明公开了一种铸锭炉，所述铸锭炉包括：保温装置，围合出封闭的保温腔，保温装置包括底部保温板，DS块，设于保温腔内，且位于底部保温件的上方，并与底部保温板间隔排布；支撑柱，竖向设置，支撑柱的上端穿过底部保温板与DS块固定，支撑柱为碳碳复合材...
    2026-03-11
  • 一种高纯度多晶硅定向可控生长方法
    一种高纯度多晶硅定向可控生长方法_苏州鑫晶人工智能技术研发有限公司_202511565831.8
    本发明公开了一种高纯度多晶硅定向可控生长方法，涉及材料科学与工程技术领域，包括：通过四阶协同工艺实现杂质原子级控制，无接触熔炼，工业硅料在惰性涂层坩埚中电磁悬浮熔融(1420–1450℃, ≤)，熔体脱离坩埚内壁，彻底阻断氧碳污染源；等离子...
    2026-03-11
  • 通过温度调控获得不同晶面取向单晶锂金属的方法
    通过温度调控获得不同晶面取向单晶锂金属的方法_郑州大学_202511610376.9
    本发明属于材料技术领域，涉及一种通过温度调控获得不同晶面取向单晶锂金属的方法。在惰性气体保护下，将锂片进行退火，制备得到单晶(110)锂金属，退火条件为200℃下保温10min；或者在惰性气体保护下，将锂片进行退火，然后进行一次双轴碾压即可...
    2026-03-11
  • 在含自然氧化层的半导体表面直接生长硅外延层的方法
    在含自然氧化层的半导体表面直接生长硅外延层的方法_浙江大学杭州国际科创中心_202411077362.0
    本发明公开了一种在含自然氧化物的半导体表面直接生长硅外延层的方法，包括以下步骤：提供具有半导体表面层的材料作为衬底，所述衬底表面具有氧化层；将衬底放入反应室中，衬底表面暴露于氟化气体和惰性气体产生的射频等离子体下，导致所述氧化层的剥离，并在...
    2026-03-11
  • 半导体材料外延生长用石墨托盘
    半导体材料外延生长用石墨托盘_中科汇珠(广州)半导体有限公司_202511484908.9
    本申请公开了一种半导体材料外延生长用石墨托盘。半导体材料外延生长用石墨托盘包括托盘本体，所述托盘本体包括相对设置的第一表面与第二表面，所述第一表面开设有用于容置半导体晶圆的容置内槽，所述容置内槽整体上呈圆形槽，所述容置内槽的圆心与所述第一表...
    2026-03-11
  • 一种具有忆阻器功能的V3O5晶体的大尺寸生长方法
    一种具有忆阻器功能的V3O5晶体的大尺寸生长方法_青岛理工大学_202511459805.7
    本发明公开了一种具备忆阻器功能特性的V33O55晶体的大尺寸生长方法。本发明采用化学气相输运法结合双温区控制，成功实现了大尺寸V33O55晶体的生长，所得V33O55晶体呈块状，长度尺寸可达0.6 cm。所得晶体在8 V驱动电压下呈现绝缘体...
    2026-03-11
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