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  • 本申请涉及无线通信及电子测试技术领域,公开了通讯主板的自动化测试装置,包括工作台,所述工作台的上部固定连接有电机二,所述电机二的输出端固定连接有转轴,所述转轴的外部固定连接有齿轮,所述齿轮的下部两侧均啮合连接有齿条板,两个所述齿条板的左部均...
  • 本申请涉及一种多行pattern的pin结果匹配方法和芯片测试机,测试单元提取pattern文件中的匹配微指令和期望pattern,根据匹配微指令循环复用多行的期望pattern,获取对待测器件的输出信号进行匹配得到的pin匹配结果,测试单...
  • 本申请涉及一种多行pattern的结果匹配方法和芯片测试机,上位机在pattern文件中携带有匹配微指令时,根据pattern文件确定对应的模式设置参数;上位机将pattern文件和模式设置参数下发至测试板卡中的测试单元;测试单元提取pat...
  • 本公开提供了一种提高测试可靠性的多芯粒集成电路及测试方法,所述集成电路包括多个堆叠且级联设置的芯粒单元,每个芯粒单元中至少包括一个芯粒,每个芯粒包括多个第一测试端和多个第二测试端;测试方法包括:通过前级芯粒单元中的芯粒的每个第一测试端分别与...
  • 本发明提出一种电路板量测件组及电路板量测方法。电路板量测方法包括:单端口量测第一量测电路板的第一量测散射参数;单端口量测第二量测电路板的第二量测散射参数;单端口量测第三量测电路板的第三量测散射参数;根据第一量测散射参数、第二量测散射参数及第...
  • 本发明公开了一种导电装置,用于与电子元器件电性连接,所述电子元器件包括多个导电触点,所述导电装置包括绝缘基板以及多个弹性导电单元;所述绝缘基板包括第一表面、第二表面以及由所述第一表面贯穿至所述第二表面的多个通孔;所述多个通孔的位置与所述多个...
  • 本申请提供了一种电机驱动MOS故障诊断的方法,包括:设置三相占空比为0%,等待第一预设时间后,检测各相电流;若任一相电流的绝对值大于第一阈值,则判定对应相所对应的上桥臂MOS异常导通;设置三相占空比为100%,等待第二预设时间后,检测各相电...
  • 本发明提供一种SOA测试电路及测试方法,所述电路包括测试MOS与辅助MOS,其中测试MOS的漏端与辅助MOS的漏端相连接并连接第一测试焊盘,测试MOS的衬底端连接第二测试焊盘,源端连接第三测试焊盘,栅端连接第四测试焊盘,辅助MOS的栅端连接...
  • 本发明公开了一种基于MCU多工位并行自动化测试系统及方法,属于半导体分立器件环境试验测试技术领域。该系统包括核心控制单元,用于执行系统初始化、通道选择控制、测试数据处理及工作模式切换;通道隔离控制单元,包含多路独立的光耦隔离电路;人机交互单...
  • 本公开实施例提供一种测试装置及测试方法。上述测试装置包括:U型波导,U型波导包括第一端部和第二端部;第一耦合器和沿第一方向延伸的第一直波导,第一直波导沿第一方向相对设置的两侧分别和第一耦合器、第一端部耦接;第二耦合器和沿第一方向延伸的第二直...
  • 本公开提供一种TEC器件的测量系统及用于测量ACR的方法,该测量系统包括检流电路和驱动电路,驱动电路包括微控制单元和TEC控制器,TEC控制器基于驱动信号产生激励电压脉冲,激励电压脉冲的第一脉冲下的电压为正向电压,第二脉冲下的电压为负向电压...
  • 本申请属于双脉冲测试技术领域,提供了一种双脉冲波形数据自动化分析方法、装置、电子设备,该方法通过接收输入的占空比、示波器通道信息以及双脉冲波形数据,示波器通道信息包括栅极‑发射极电压、栅极电流及集电极‑发射极电压各自对应的通道;识别双脉冲波...
  • 本发明涉及半导体老化试验技术领域,具体为一种半导体老化试验箱及其试验方法,用于对待测器件施加模拟工作环境和进行电参数监测,包括箱体、隔板、冷盒和分配板,所述冷盒与安装在隔板上的待测器件相对,所述分配板将冷盒的内腔分隔为高压层和制冷层,所述高...
  • 本申请提供了一种ATE时间参数测量系统、方法及ATE设备,该系统包括通道映射模块及至少一个时间测量单元;通道映射模块用于建立多个数据通道中预设数量的目标数据通道、与至少一个时间测量单元中的目标时间测量单元之间的映射关系,其中,目标数据通道与...
  • 本发明涉及半导体材料特性测量技术领域,具体涉及一种基于光载流子辐射成像的半导体载流子扩散长度快速测量方法,包括下述步骤:光子能量大于半导体禁带宽度的连续泵浦激光光源经聚焦后照射到被测半导体单晶硅材料表面,被测半导体单晶硅材料吸收后产生过剩自...
  • 本发明公开了一种开关功率放大器的故障检测方法、装置、磁轴承控制器、磁轴承系统、存储介质和计算机程序产品,该方法包括:在开关功率放大器运行的过程中,在当前的开关功率放大器的开关周期内,按设定采样频率,获取第一桥臂的电流检测值、第二桥臂的电流检...
  • 本发明公开了一种半导体结构的测试系统及其测试方法。测试系统包括待测晶体管、电压扫描模块和电压监控模块。其中,电压扫描模块连接待测晶体管的漏极,并向漏极施加步进电压。电压监控模块连接待测晶体管的栅极,并监控随着漏极上步进电压的变化,栅极的电压...
  • 本发明公开了一种基于驱动信号并自动旁路失效器件的功率循环测试系统和方法。该系统包括控制驱动单元、功率施加单元、温度调控单元、信号采集单元和自动旁路单元。通过控制驱动信号来管理待测器件的通断状态,模拟真实工况并考核其栅极可靠性,同时利用与各器...
  • 本申请公开了一种电池中场效应晶体管失效的确定方法、装置及电子设备,属于电池领域。该电池中场效应晶体管失效的确定方法包括:在确定电池中的场效应晶体管处于断开状态,且所述电池的充放电回路中存在电流的情况下,获取预设时间内的目标数据,其中,所述目...
  • 本发明公开了一种基于多尺度注意力网络的逆变器IGBT智能故障诊断方法,涉及电力电子设备故障诊断技术领域。通过采集三电平NPC逆变器的三相电流信号并进行预处理;利用多尺度深度可分离卷积并行提取电流信号的多维度故障特征;引入尺度感知的高效注意力...
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