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最新专利技术
  • 光学邻近效应校正方法、装置、存储介质及电子设备
    光学邻近效应校正方法、装置、存储介质及电子设备_华芯程(杭州)科技有限公司_202610052924.9
    本申请公开了一种光学邻近效应校正方法、装置、存储介质及电子设备，其中，该光学邻近效应校正方法包括获取集成电路版图，并将集成电路版图切分为多条独立线段；对每条独立线段进行预设次数的迭代循环，在每次迭代中，基于每条独立线段的边缘放置误差计算第一...
    2026-03-18
  • 光刻对位标记、芯片及其制备的光刻对位方法
    光刻对位标记、芯片及其制备的光刻对位方法_上海先封科技有限公司_202610039043.3
    本发明公开了一种光刻对位标记、芯片及其制备的光刻对位方法。该光刻对位标记包括：至少两个对准标记，至少两个对准标记关于一颗芯片呈中心对称设置；该对准标记，包括：至少两个对准图形，各对准图形与芯片的各膜层的曝光图形位于同层，用于在曝光制备芯片的...
    2026-03-18
  • 验证光刻胶层残留的方法
    验证光刻胶层残留的方法_浙江珏芯微电子有限公司_202610037738.8
    本发明提供一种验证光刻胶层残留的方法，包括以下步骤：提供多个衬底，并形成覆盖各所述衬底表面的诊断膜层；形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述诊断膜层表面；对所述光刻胶层进行曝光；采用多组不同的光刻工艺参数组合，对不同所述衬底上的所述光刻胶层和所...
    2026-03-18
  • 用于控制光刻时玻璃基板翘曲程度的工作台机构
    用于控制光刻时玻璃基板翘曲程度的工作台机构_成都奕成集成电路有限公司_202512034566.7
    本发明公开了用于控制光刻时玻璃基板翘曲程度的工作台机构，涉及先进封装技术领域，包括台面、真空组件、支撑脚、第一环形密封圈、第二环形密封圈、第一直线驱动件、压框和第二直线驱动件，台面设置有吸嘴，吸嘴位于台面上端面的四周，真空组件的开口通过多根...
    2026-03-18
  • 一种基于图对比学习的几何拓扑感知光刻热点检测方法
    一种基于图对比学习的几何拓扑感知光刻热点检测方法_北京航空航天大学_202511680598.8
    本公开提供一种基于图对比学习的几何拓扑感知光刻热点检测方法。对于输入的版图样本，模型预测其类别标签，具体而言，首先通过一种新的多层次图表示构建与特征编码方法来构建层次化几何‑拓扑感知图表示，捕捉多尺度空间依赖以区分热点与非热点模式；随后采用...
    2026-03-18
  • 光刻胶三维重构量测方法和双电子源量测系统
    光刻胶三维重构量测方法和双电子源量测系统_上海华力集成电路制造有限公司_202511679151.9
    本发明提供了一种光刻胶三维重构量测方法和双电子源量测系统，双电子源量测系统具有两把电子枪，三维重构量测方法包括：步骤S1，两把电子枪交替对晶圆进行扫描，使两把电子枪从不同的方向向晶圆发射电子束，得到与两把电子枪分别对应的形貌灰度数据图像；步...
    2026-03-18
  • 一种低倍率自动聚焦补偿紫外光刻镜头
    一种低倍率自动聚焦补偿紫外光刻镜头_河南百合特种光学研究院有限公司_202511618041.1
    本发明公开了一种低倍率自动聚焦补偿紫外光刻镜头，本发明公开了一种低倍率自动聚焦补偿紫外光刻镜头，属于紫外光刻设备技术领域；该镜头适用于激光直接成像设备中IC封装基板精细线路的曝光工艺；光刻镜头包括由多个球面透镜组成的双远心成像系统、补偿平片...
    2026-03-18
  • 基于机器学习的电子束光刻剂量修正方法、装置及电子设备
    基于机器学习的电子束光刻剂量修正方法、装置及电子设备_清华大学_202511572868.3
    本发明提供一种基于机器学习的电子束光刻剂量修正方法、装置及电子设备，其中的方法包括：获取电子束光刻设备的实时工艺环境参数，以及用户待加工的目标图形版图，并计算目标图形版图中离散像素网格的目标能量沉积分布；基于预先训练的机器学习模型，根据实时...
    2026-03-18
  • 一种基于贝叶斯模型的SRAF放置方法
    一种基于贝叶斯模型的SRAF放置方法_浙江大学_202511522189.5
    本发明公开了一种基于贝叶斯模型的SRAF放置方法。该方法包括：收集历史SRAF配置参数及光刻仿真数据并进行预处理；基于预处理后的数据，利用核密度估计构建先验概率分布；结合霍普金斯光刻模型，构建多光刻结果指标的似然函数；利用贝叶斯定理，通过变...
    2026-03-18
  • 曝光装置、曝光方法以及对准方法
    曝光装置、曝光方法以及对准方法_株式会社奥珂制作所_202510294984.7
    本发明提供曝光装置、曝光方法以及对准方法。在具备载物台的曝光装置等中，将随着载物台的移动而产生的线性误差也考虑在内地进行恰当的对准。在曝光装置(10)中，设置有配置有沿着X方向(主扫描方向)相对的基准标记(CM)的一对校正标尺(62、64)...
    2026-03-18
  • 导向自组装方法
    导向自组装方法_张江国家实验室_202411103490.8
    本发明提供一种导向自组装方法，能有效去除导向自组装图形下方引导模板光刻胶，形成高分辨率的图形。包括：对嵌段共聚物进行退火处理，引导嵌段共聚物进行自组装而形成第一嵌段图形和刻蚀速率比第一嵌段图形要低的第二嵌段图形的步骤；去除第一嵌段图形，使第...
    2026-03-18
  • 匀胶显影设备的基板作业方法、匀胶显影设备及系统
    匀胶显影设备的基板作业方法、匀胶显影设备及系统_宁波润华全芯微电子设备有限公司_202610009567.8
    本发明申请涉及匀胶显影设备，属于半导体制造及微纳加工技术领域，匀胶显影设备的基板作业方法应用于包括中央搬运通道以及于所述中央搬运通道两侧垂直堆叠设置的多层工艺处理单元的设备，其中中央搬运通道内具有对应每一层所述工艺处理单元独立设置的机器人传...
    2026-03-18
  • 一种用于光刻机的匀胶设备及其使用方法
    一种用于光刻机的匀胶设备及其使用方法_苏州美芝恩电子科技有限公司_202511868166.X
    本发明公开了一种用于光刻机的匀胶设备及其使用方法，属于光刻机匀胶技术领域，包括机体，机体的内部设有匀胶部件，匀胶部件包括固定连接在机体内部上侧的气缸，气缸的伸缩端固定连接有连接架，连接架的下侧呈环形阵列排列固定连接有连接头，连接头的底端固定...
    2026-03-18
  • 一种用于电子束光刻工艺的层状结构及其光刻工艺
    一种用于电子束光刻工艺的层状结构及其光刻工艺_国科天骥(山东)新材料有限责任公司_202511754957.X
    本发明提供一种用于电子束光刻工艺的层状结构及其光刻工艺。采用本发明的层状结构进行电子束光刻能够有效改善电子束光刻图案线条易倒塌的问题，所得图案具有较好的线边缘粗糙度，图案线条更清晰。并且，所得光刻图案线条还具有很好的对比度。本发明的层状结构...
    2026-03-18
  • 一种感光材料、水褪胶膜及其制备方法和应用
    一种感光材料、水褪胶膜及其制备方法和应用_深圳市柳鑫实业股份有限公司_202511963559.9
    本发明涉及一种感光材料、水褪胶膜及其制备方法和应用。所述感光材料包括如下重量份数的组分：亲水性丙烯酸酯树脂30‑70份、UV树脂5‑30份、光引发剂1‑10份、流平剂0.01‑2份、消泡剂0.01‑2份。本发明的水褪胶膜既能在UV固化后牢固...
    2026-03-18
  • 微细图案形成用材料、感光性树脂组合物、图案处理组合物以及微细图案的形成方法
    微细图案形成用材料、感光性树脂组合物、图案处理组合物以及微细图案的形成方法_新应材股份有限公司_202411107006.9
    本发明提供一种微细图案形成用材料、感光性树脂组合物、图案处理组合物以及微细图案的形成方法。微细图案形成用材料包括第一层以及第二层。第一层包括感光性树脂组合物(I)。感光性树脂组合物(I)包括碱可溶性酚醛树脂(A)、感光剂(B)、含羟基的添加...
    2026-03-18
  • 一种滚轮压印方法及系统
    一种滚轮压印方法及系统_苏州光越微纳科技有限公司_202511993365.3
    本发明提供一种滚轮压印方法，包括：基于柔性模具的柔性系数、目标产品基底的微结构尺寸，预设脱模间隙阈值；启动脱模后持续进行：监测并实时获取所述柔性模具与所述目标产品基底的当前工作间隙；基于所述当前工作间隙与所述脱模间隙阈值，判断当前脱模角度状...
    2026-03-18
  • 半导体掩模版图的检查方法、设备、介质及产品
    半导体掩模版图的检查方法、设备、介质及产品_深圳晶源信息技术有限公司_202511909713.4
    本发明提供了一种半导体掩模版图的检查方法、设备、介质及产品。半导体掩模版图的检查方法包括：获取目标设计版图和对应的掩模版图；从目标设计版图中识别出所有的拓扑结构得到设计拓扑结构，并且从掩模版图中识别出所有的拓扑结构得到掩模拓扑结构，拓扑结构...
    2026-03-18
  • 一种缺陷检测方法、修补设备、FMM生产方法及生产线
    一种缺陷检测方法、修补设备、FMM生产方法及生产线_寰采星科技(宁波)有限公司_202511839516.X
    本发明公开了一种缺陷检测方法、修补设备、FMM生产方法及生产线，涉及半导体领域，缺陷检测方法包括：提供带状的金属基材，金属基材的主表面上具有由感光材料形成的掩膜图案；使用第一光线照射金属基材的主表面，采集主表面的图像和掩膜图案的第一图像；使...
    2026-03-18
  • OMOG光掩模制造方法
    OMOG光掩模制造方法_上海传芯半导体有限公司_202511946847.3
    一种OMOG光掩模制造方法，包括以下步骤：提供透明基板；在透明基板上沉积具有预设厚度的硅层或钼层；对硅层进行图案化的钼聚焦离子束扫描，使Mo离子移动到被扫描的区域内的硅层中，形成图案化的钼硅化物层；或，对钼层进行图案化的硅聚焦离子束扫描，使...
    2026-03-18
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