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最新专利技术
  • 一种基于理想二极管控制的反接保护电路封装结构及制造方法
    一种基于理想二极管控制的反接保护电路封装结构及制造方法_济南晶恒电子有限责任公司_202511772136.9
    本申请涉及一种基于理想二极管控制的反接保护电路封装结构，属于保护电路封装技术领域，包括：电路基板和外壳，所述电路基板封装在外壳内，所述外壳上设置有外壳焊盘，所述电路基板上分别设置有理想二极管控制芯片U1、MOSFET器件Q1、TVS二极管D...
    2026-03-15
  • 一种低电感大功率模块
    一种低电感大功率模块_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511827714.4
    本发明涉及一种低电感大功率模块，低电感大功率模块包括外壳，外壳为上端开口的中空结构，外壳内设置第二DBC板和第一DBC板，外壳上还设置DC+端子、DC‑端子、AC端子；在现有封装外壳尺寸不变的情况下，DBC板尺寸也保持不变动，通过将换流路径...
    2026-03-15
  • 一种长条形塑封料通孔结构及其制作方法
    一种长条形塑封料通孔结构及其制作方法_华天科技(江苏)有限公司_202511770546.X
    本发明提供了一种长条形塑封料通孔结构，通过改变通孔的几何形状，在垂直方向提供电气连接的同时，通过交错排列的塑封料通孔，为封装结构提供了定向的应力管理能力，在平面方向为封装体提供显著的机械支撑，极大地增强了封装结构的刚性，抑制因热膨胀系数不匹...
    2026-03-15
  • 扇出型封装结构及封装方法、半导体器件
    扇出型封装结构及封装方法、半导体器件_苏州国显创新科技有限公司_202511746547.0
    本发明提供了一种扇出型封装结构及封装方法、半导体器件，解决了现有技术中扇出型封装结构性能有待提升的问题。本发明实施例提供的扇出型封装结构在最远离芯片的重布线层背离芯片的一侧设置保护层，保护层覆盖最远离芯片的介质层以及全部介质层的侧边，同时，...
    2026-03-15
  • 一种芯片封装结构及芯片封装方法
    一种芯片封装结构及芯片封装方法_深圳市聚飞光电股份有限公司_202511720178.8
    本发明涉及芯片封装技术领域，公开一种芯片封装结构及芯片封装方法。芯片封装结构包括：基板和芯片，芯片固晶于基板上；反射胶层，反射胶层设置在基板上且围绕在芯片周围，反射胶层厚度均匀且高度不超过芯片的上表面；封装胶层，封装胶层覆盖在反射胶层以及芯...
    2026-03-15
  • 一种HEMT封装结构
    一种HEMT封装结构_先导原创(上海)新技术研究有限公司_202411151471.2
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种HEMT封装结构，包括塑封体，塑封体包括第一面、第二面和周侧部；半导体器件的有源区包括若干元胞单元，元胞单元包括衬底，设置在衬底的正面的III‑V族外延层，以及设置在III‑V族外延层上的第一电极、第二...
    2026-03-15
  • 功率芯片封装结构
    功率芯片封装结构_同欣电子工业股份有限公司_202411118562.6
    本发明公开一种功率芯片封装结构，其包含一功率芯片、相连于所述功率芯片的一第一传输件与两个第二传输件、一封装体、及一类钻碳层。所述封装体包埋所述功率芯片、所述第一传输件、及两个所述第二传输件于其内。所述封装体包含一布局面，其共平面于所述第一传...
    2026-03-15
  • 一种高压功率器件的封装方法及其封装结构
    一种高压功率器件的封装方法及其封装结构_南京睿芯峰电子科技有限公司_202610046428.2
    本发明公开了一种高压功率器件的封装方法及其封装结构，该封装结构包括陶瓷外壳、盖板、键合丝、SiC来料晶圆制得的SiC芯片，陶瓷外壳为氮化铝陶瓷外壳且具有芯腔和金属引脚，盖板为氮化铝陶瓷盖板且具有散热金属针，SiC芯片的厚度减薄且背面金属化，...
    2026-03-15
  • 一种2.5D封装结构的制备方法及对应的封装结构
    一种2.5D封装结构的制备方法及对应的封装结构_南京华天先进封装有限公司_202511817142.1
    本发明提供了一种2.5D封装结构的制备方法，其通过优化工艺流程，将传统的两次支撑基板键合及解键合工艺简化为无需基板键合，从而节省工艺时间和成本，提高封装效率。直接在来料TSV晶圆上做u‑bump进行贴片、塑封，然后对塑封料进行开槽、预切来释...
    2026-03-15
  • 一种高压TVS和二极管堆叠封装结构及封装工艺
    一种高压TVS和二极管堆叠封装结构及封装工艺_合肥矽迈微电子科技有限公司_202511725177.2
    本发明公开了一种高压TVS和二极管堆叠封装结构及封装工艺，该结构包括以下步骤：芯片一朝向基板贴装，包封并暴露芯片一，形成包封层一；在包封层一表面钻孔至基板，电镀底层立柱填充并在包封层一表面上继续电镀出焊盘；将芯片二和芯片三朝向焊盘贴装，芯片...
    2026-03-15
  • 半导体封装件和制造半导体封装件的方法
    半导体封装件和制造半导体封装件的方法_三星电子株式会社_202511103547.9
    提供半导体封装件、制造半导体封装件的方法和光致抗蚀剂膜。所述方法包括：在封装基底上堆叠多个半导体芯片；用光致抗蚀剂膜覆盖封装基底，以围绕所述多个半导体芯片的侧表面和顶表面；将光致抗蚀剂膜曝光和显影，以在所述多个半导体芯片中的对应半导体芯片的...
    2026-03-15
  • 一种用于芯片和载板的直接键合方法
    一种用于芯片和载板的直接键合方法_广东工业大学_202511481120.2
    本发明涉及半导体技术领域，特别是一种用于芯片和载板的直接键合方法，包括以下步骤：S1、通过电镀法或腐蚀法在芯片或载板上制造硬金属凸点，所述凸点为锥形凸点或类锥形凸点，所述凸点呈底部宽、顶部窄的形状；S2、在另一载板的焊盘区域电镀获得软金属层...
    2026-03-15
  • 一种含胶预制件的制作方法以及粘接方法
    一种含胶预制件的制作方法以及粘接方法_北京航天微电科技有限公司_202511464371.X
    本发明提供了一种含胶预制件的制作方法以及粘接方法。一种含胶预制件的制作方法，包括：选取胶以及两片与胶不粘连的膜体；将胶铺设在一片膜体上；将另一片膜体铺设在胶上，使得胶位于两片膜体之间，形成初始的预制件。通过设计含胶预制件的制作方法制作预制件...
    2026-03-15
  • 衬底布置、用于生产电子组件的方法以及电子组件
    衬底布置、用于生产电子组件的方法以及电子组件_贺利氏电子有限两合公司_202511149420.0
    本发明涉及一种衬底布置，涉及一种用于生产电子组件的方法，并且涉及一种电子组件。该衬底布置包括：(a)金属箔，该金属箔包括上侧和下侧，(b)银层，该银层布置在该金属箔的该下侧上，和(c)银烧结层，该银烧结层布置在该银层上，其中该银层具有在20...
    2026-03-15
  • 功率半导体封装结构及其制造方法
    功率半导体封装结构及其制造方法_力智电子股份有限公司_202411153885.9
    本发明提供一种功率半导体封装结构及其制造方法。功率半导体封装结构包括基板、驱动芯片、导电夹、镀覆层以及导线。驱动芯片、第一晶体管芯片和第二晶体管芯片分别设置于基板上且彼此不碰触。导电夹具有上表面及下表面，导电夹的下表面设置于第一晶体管芯片与...
    2026-03-15
  • 一种光敏性绝缘介质封装基板及其制作方法
    一种光敏性绝缘介质封装基板及其制作方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511808731.3
    本发明涉及封装基板领域，特别涉及一种光敏性绝缘介质封装基板及其制作方法。所述封装基板包括基板第一表面和基板第二表面，所述基板第一表面和基板第二表面之间含有绝缘介质，所述绝缘介质为光敏材料；所述基板第一表和基板第二表面之间布有一层或多层线路层...
    2026-03-15
  • 转接板及其制备方法、封装结构
    转接板及其制备方法、封装结构_苏州国显创新科技有限公司_202511746123.4
    本申请提供了一种转接板及其制备方法、封装结构，该转接板包括：基板；具有相对设置的第一表面和第二表面；保护膜，位于第一表面，保护膜包括至少一个第一通孔，第一通孔贯穿保护膜和基板；至少一个导电柱，导电柱至少部分填充第一通孔；至少一层第一布线层，...
    2026-03-15
  • 封装结构及电子设备
    封装结构及电子设备_苏州国显创新科技有限公司_202511786644.2
    本申请提供了一种封装结构及电子设备。封装结构包括：第一基板，包括相对设置的第一侧和第二侧；第二基板，位于第一侧，第二基板设有至少一个第一凹槽，第一凹槽贯穿第二基板；第三基板，位于第二侧，第三基板设有至少一个第二凹槽，第二凹槽贯穿第三基板。本...
    2026-03-15
  • 集成电压调节模块的扇出型封装结构及其制备方法
    集成电压调节模块的扇出型封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411133816.1
    本发明提供一种集成电压调节模块的扇出型封装结构及其制备方法，包括重新布线层、电压调节模块、电连接部件、负载芯片、焊料连接结构和第一填充层，重新布线层包括于其第一主面显露的金属布线；电压调节模块包括VR芯片和集成电感，VR芯片通过贯穿其中的T...
    2026-03-15
  • 一种嵌入式外壳的SiC功率模块及组装方法
    一种嵌入式外壳的SiC功率模块及组装方法_北一半导体科技(广东)有限公司_202610122867.7
    本发明公开一种嵌入式外壳的SiC功率模块及组装方法，涉及SiC功率模块领域。该嵌入式外壳的SiC功率模块及组装方法包括：嵌入式外壳，嵌入式外壳的内布置有若干个独立腔室，独立腔室嵌入散热底座，散热底座的顶部固定连接AMB衬底，该嵌入式外壳的S...
    2026-03-15
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