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最新专利技术
  • 一种半导体器件加工用的反应离子刻蚀设备及刻蚀方法
    一种半导体器件加工用的反应离子刻蚀设备及刻蚀方法_山东翰亚网络科技有限公司_202610124002.4
    本申请公开了一种半导体器件加工用的反应离子刻蚀设备及刻蚀方法，涉及半导体刻蚀技术领域，包括：反应腔，形成有上部气体分配区和下部样品放置区；其中，所述反应腔内部至少形成第一腔室、第二腔室，所述第一腔室和所述第二腔室均覆盖部分所述晶圆，所述第一...
    2026-03-17
  • IPA雾化与浓度控制系统
    IPA雾化与浓度控制系统_吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司_202512011323.1
    本发明实施例公开了一种IPA雾化与浓度控制系统，包括：IPA供给机构、惰性气体供给机构、高压雾化机构以及晶圆清洗槽，IPA供给机构向所述高压雾化机构输送IPA；惰性气体供给机构向所述高压雾化机构输送惰性气体；高压雾化机构包括文丘里式高压雾化...
    2026-03-17
  • 一种加热盘及半导体器件的加工设备
    一种加热盘及半导体器件的加工设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511967506.4
    本发明提供一种加热盘及半导体器件的加工设备。所述加热盘包括：边缘环，位于所述加热盘的边缘区域，用于支撑晶圆，其中，所述边缘环上覆盖柔性涂层，用于对晶圆与加热盘之间的作用力进行缓冲，从而降低晶圆边缘圆弧过渡处的损伤概率，以提升半导体制造的良率...
    2026-03-17
  • 一种气体分配装置和半导体器件的工艺设备
    一种气体分配装置和半导体器件的工艺设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511872646.3
    本发明公开了一种气体分配装置和半导体器件的工艺设备。该气体分配装置连接多条分气支路，包括缓冲腔，其上端设有进气口，其侧壁分布多个导流孔；以及调节腔，位于所述缓冲腔的下游，其进气端与各所述导流孔连接，其出气端为各所述分气支路的支路入口，其中，...
    2026-03-17
  • 一种半导体芯片多功能贴装设备
    一种半导体芯片多功能贴装设备_深圳市路远智能装备有限公司_202511871570.2
    本发明公开了一种半导体芯片多功能贴装设备，属于半导体封装技术领域，包括：底座，所述底座上安装有传板轨道组件，所述传板轨道组件包括两组轨道，每组所述轨道的高度和宽度能够调节；wafer处理机构，位于传板轨道组件的一侧，用于对多盘晶圆预装、完成...
    2026-03-17
  • 一种晶圆翘曲干预方法和退火炉
    一种晶圆翘曲干预方法和退火炉_杭州镓仁半导体有限公司_202511860983.0
    本申请涉及半导体制造加工领域，公开了一种晶圆翘曲干预方法和退火炉，方法包括：获取位于退火炉侧壁的激光位移传感器与处于退火过程的晶圆表面上激光落点之间的距离；基于距离、激光位移传感器发射的光线与水平面的夹角和退火炉未加热时激光位移传感器的基准...
    2026-03-17
  • 一种可视化集成力控反馈的工作头、芯片贴装及测试方法
    一种可视化集成力控反馈的工作头、芯片贴装及测试方法_深圳市鹰眼视觉科技股份有限公司_202511859765.5
    本申请涉及一种可视化集成力控反馈的工作头、芯片贴装及测试方法，所述工作头包括工作头组件，工作头组件包括第一底座，第一底座的底部通过第一导向轴和磁轴与第二底座的顶部固接，第一底座和第二底座之间设置有底座连接件，底座连接件分别通过第一导向轴套和...
    2026-03-17
  • 一种基于EtherCAT通信的固晶设备
    一种基于EtherCAT通信的固晶设备_东莞市凯格精机股份有限公司_202511857328.X
    本发明公开了一种基于EtherCAT通信的固晶设备，包括吸嘴驱动单元、固晶吸嘴、主控制器、若干EtherCAT气压检测卡及EtherCAT总线网络。所述EtherCAT气压检测卡被配置为：存储控制字‑参数集映射表；从主控制器获取阶段控制字；...
    2026-03-17
  • 一种晶圆切割机智能视觉检测及自动校正装置
    一种晶圆切割机智能视觉检测及自动校正装置_基微(三河)半导体设备技术有限公司_202511832110.9
    本发明涉及晶圆切割设备技术领域，尤其涉及一种晶圆切割机智能视觉检测及自动校正装置，其包括校正机构、晶圆吸附固定组件和视觉检测组件；校正机构包括结构圆盘、电动伸缩杆和金属厚壁油管，结构圆盘底部固定安装有转柱，转柱底部转动连接有底部安装板，结构...
    2026-03-17
  • 一种用于芯片呈盘的精密加工设备
    一种用于芯片呈盘的精密加工设备_昆山彩程自动化设备有限公司_202511776100.8
    本发明公开了一种用于芯片呈盘的精密加工设备，包括机架，所述机架上端设有工作台，所述机架上设有上料单元、定位单元、中转单元、加工单元、下料单元，所述上料单元用于把工件输送到定位单元上进行预定位，所述中转单元用于把定位单元上的工件输送到加工单元...
    2026-03-17
  • 一种减少硅片表面暗伤的操作方法
    一种减少硅片表面暗伤的操作方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511663010.8
    本发明提供一种减少硅片表面暗伤的操作方法，所述方法包括：确保工作环境洁净，控制温湿度；检查胶带和贴附设备；将胶带卷安装在贴附设备的胶带供应轴上，通过设备的驱动机构控制胶带以预设速度和方向平稳输送；通过贴附设备的压紧工具，将胶带平整压合于硅片...
    2026-03-17
  • 一种用于半导体清洗干燥的一体化设备
    一种用于半导体清洗干燥的一体化设备_无锡市安晏克半导体有限公司_202511637591.8
    本发明属于半导体清洗干燥设备技术领域，具体的说是一种用于半导体清洗干燥的一体化设备，包括：架体，所述架体的内壁对称开设有滑槽，所述架体的内部安装有电机；螺杆，所述螺杆安装在电机的外壁；防护机构，所述防护机构的两端与滑槽的内壁滑动连接，还包括...
    2026-03-17
  • 一种应用于SiC离子注入机的高温注入控制系统
    一种应用于SiC离子注入机的高温注入控制系统_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511551835.0
    本发明公开了一种应用于SiC离子注入机的高温注入控制系统，包括高温靶盘加热系统和预热系统；加热系统包括第一工控机、第一ADIO控制器、第二ADIO控制器、吸附电源、加热电源、高温靶台和温度传感器；第一工控机与第一ADIO控制器和第二ADIO...
    2026-03-17
  • 一种芯片暴露时间管控系统
    一种芯片暴露时间管控系统_苏州通富超威半导体有限公司_202511543684.4
    本发明提供一种芯片暴露时间管控系统，该系统包括：MET管控子系统、智能干燥存储子系统和数据交互模块；MET管控子系统，用于从目标芯片烘烤结束至打包结束，实时记录目标芯片暴露时间，并在目标芯片暴露时间存在超过最大制造商暴露时间的风险时进行预警...
    2026-03-17
  • 一种基于机器视觉的范德华异质结自动化制备仪器
    一种基于机器视觉的范德华异质结自动化制备仪器_厦门依华智慧科技有限公司_202511439768.3
    本发明提供了一种基于机器视觉的范德华异质结自动化制备仪器，通过构建一套集成光学显微镜、样品位移台、旋转台、载玻片位移台、聚焦升降台、CCD相机和温度调节器的精密硬件系统，并由控制器执行计算机程序来解决范德华异质结制备中的手动操作瓶颈。控制器...
    2026-03-17
  • 衬底处理设备
    衬底处理设备_细美事有限公司_202511280369.7
    提供了一种用于处理衬底的设备，所述设备包括：壳体，所述壳体内部具有用于处理衬底的处理空间；以及衬底支撑件，所述衬底支撑件用于支撑所述处理空间中的所述衬底，并且所述衬底支撑件包括第一支撑销和第二支撑销，所述第一支撑销的上端的高度被设置成高于所...
    2026-03-17
  • 缺陷监测方法、设备、系统和存储介质
    缺陷监测方法、设备、系统和存储介质_上海光通信有限公司_202411188158.6
    本发明提供了一种缺陷监测方法、设备、系统和存储介质，在晶圆制造过程中，监测产线上的关键因素是否发生变化，关键因素包括产线上的使用物料、半导体机台的机况和半导体机台的使用程式中的至少一个；监测到关键因素发生变化时，将在变化后的产线状态下处理的...
    2026-03-17
  • 一种在线翻转龙卷风吹扫装置及方法
    一种在线翻转龙卷风吹扫装置及方法_常州科瑞尔科技有限公司_202511856777.2
    本发明涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种在线翻转龙卷风吹扫装置及方法，包括：台面上开设有吹扫口；翻转机构包括固定在台面上的旋转组件，在旋转组件上旋转设置的机架，设置在机架上的送料组件与固定组件，固定组件朝向送料组件方向可相对靠近或远离...
    2026-03-17
  • 采用微纳米气泡水对硅片表面进行清洁的方法
    采用微纳米气泡水对硅片表面进行清洁的方法_常州捷佳创精密机械有限公司_202511789869.3
    本发明属于硅片清洗技术领域，具体涉及一种采用微纳米气泡水对硅片表面进行清洁的方法，包括如下步骤：S1，将硅片加入机能水，所述机能水包括微纳米气泡且负载有与所述颗粒相反的电荷；S2，待微纳米气泡对硅片表面的颗粒形成吸附，使微纳米气泡脱离硅片表...
    2026-03-17
  • 一种低成本消减硅片体内金属铜含量的方法
    一种低成本消减硅片体内金属铜含量的方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511865429.1
    本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种低成本消减硅片体内金属铜含量的方法。该方法包括以下步骤：首先，通过自然存放或低温加热两种预处理方式之一，促使硅片体内的铜离子迁移至表面；其中，自然存放为在25~50℃洁净环境中密封放置1年以上，低温加热...
    2026-03-17
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