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  • 本发明提供一种半导体激光器芯片及制备方法,属于半导体激光器芯片制备技术领域,包括自下至上依次设置的N面金属、衬底、N型限制层、N型波导层、张应变量子阱、P型波导层、P型限制层、欧姆接触层,以及SiO2绝缘层、第一层P面金属和第二层P面金属。...
  • 本发明提供一种微盘结构半导体激光器及制备方法,属于半导体激光器技术领域,本发明包括:SiO2阻挡层、100μm厚n‑GaAs衬底、100nm厚n‑GaAs接触层、200nm厚Si掺杂n‑AlGaInP限制层、400nm厚n‑AlGaInP波...
  • 本发明公开一种用于半导体器件的隧穿结层结构及其制造方法,所述隧穿结层包括从下至上依次生长的P型限制层、P型隧穿结层、N型隧穿结层和N型限制层,所述N型隧穿结层包括交替层叠生长的至少一第一N型隧穿结层和至少一第二N型隧穿结层,与P型隧穿结层接...
  • 本申请实施例涉及一种表面发射激光器和光发射单元。该表面发射激光器包括:衬底;设于所述衬底上的底部反射镜结构、活性层和顶部反射镜结构;至少两个表面光栅单元,形成于所述顶部反射镜结构表面,且位于所述表面发射激光器的激射区域,各所述表面光栅单元被...
  • 本申请实施例涉及一种表面发射激光器和光发射单元,包括:衬底;设于所述衬底上的底部反射镜结构、活性层和顶部反射镜结构;至少一微台面结构,所述微台面结构为对所述顶部反射镜结构的非基模(LP01)发射区域进行部分刻蚀得到,刻蚀后的微台面结构的厚度...
  • 本发明涉及一种低串联电阻的VCSEL外延结构及其制备方法,该外延结构包括衬底,衬底上依次设置有buffer层、N型DBR层、有源层、P型氧化限制层、P型DBR层和表面高掺GaAs层;N型DBR层自下而上包括周期性循环的高Al组分层、N型高掺...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体涉及一种宽波段波长快速扫描激光器,包括底座,所述底座上安装有激光增益芯片和套筒,所述套筒环绕所述激光增益芯片并沿所述激光增益芯片的出光侧延伸;所述套筒内活动地布置有可动反射镜,其与所述激光增益芯片相对设置...
  • 本申请提供了一种基于混合外腔结构的高功率高光束质量半导体激光器,属于半导体激光器技术领域;该半导体激光器包括半导体增益芯片、快轴准直系统和慢轴稳定外腔,慢轴稳定外腔包括两个凹面柱面镜,两个反射镜在半导体增益芯片慢轴方向的两侧形成稳定的光学谐...
  • 本发明涉及激光器技术领域,尤其涉及一种多芯片垂直外腔面发射激光器,包括:沿预设中心轴依次排布的芯片组、第一棱镜、第二棱镜以及输出耦合镜;芯片组包括N个增益芯片,N个增益芯片输出N束子光束;N束子光束分别经过第一棱镜,自第一棱镜射出的各子光束...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种基于两个不同光栅常数的环状刻蚀金属光栅的激光器,包括:衬底;激光量子阱增益层,设置在所述衬底的上端面;环状刻蚀金属光栅,设置在所述激光量子阱增益层的上部波导层;上包层,通过半导体二次外延法构建在所述...
  • 本发明属于纳米激光技术领域,具体涉及一种准二维钙钛矿一维拓扑激光器,包括准二维钙钛矿增益层,所述准二维钙钛矿增益层一侧设置有多个周期性排列的第一光子晶体,另一侧设置有多个周期性排列的第二光子晶体,所述第一光子晶体的每个周期包括位于外侧的两个...
  • 本发明公开一种基于直波导增益芯片的633nm可调谐激光器及干涉仪,包括633nm可调谐激光器、保偏光纤、PBS、准直物镜、弯曲透镜、第一反射镜、第二反射镜、第二准直物镜、参考镜透镜组、测试镜、CMOS相机、上位机。可调谐激光器采用出射端反射...
  • 本发明公开了一种基于跳跃结构抑制模式跳变的自注入锁定激光器及其工作方法,属于激光技术与光电子器件领域。DFB输出的单纵模激光经过C4、CIR和ISO后进入C1的1号端口;从C1的1号端口输入的光波沿着被定义的初始路径、输入反射式路径、跳跃连...
  • 本发明实施例提供一种半导体激光器的恒温恒流驱动电路,包括微控制器、数模转换电路、电压调谐电路、恒流驱动电路以及温度控制电路;微控制器与上位机通信连接,数模转换电路、电压调谐电路和恒流驱动电路依序连接于微控制器和半导体激光器之间,恒流驱动电路...
  • 本发明提供了一种面向半导体激光器阵列波长快速调谐的集成驱动芯片及其驱动方法,涉及半导体光电子集成电路领域。该驱动芯片包括封装体,封装体上包括VCC引脚、VSS引脚,以及各8路驱动电流的SW引脚、DACin引脚、Iout引脚;封装体内包括:电...
  • 本发明属于激光驱动技术领域,具体公开了一种用于驱动激光二极管模拟调制波形的方法,该方法包括,先生成含多频率分量的初始复合模拟调制电信号,经前置补偿器按预补偿参数调整各分量幅度与相位后,驱动激光二极管;采集驱动电流和/或电压作为电气反馈信号,...
  • 本发明为一种巴条拆条设备及巴条拆条方法,属于激光器领域。其技术方案为,一种巴条拆条设备,包括设备主体,设备主体上设有巴条载具,巴条载具的两侧分别设有巴条接收装置和陪条接收装置,巴条接收装置、巴条载具和陪条接收装置在X轴方向上依次设置,巴条载...
  • 本申请公开了一种氮化硅光芯片与激光器的集成结构及其集成方法,涉及集成光电子技术领域。上述氮化硅光芯片与激光器的集成结构包括:硅基底,表面设置有凹陷区域;氮化硅波导,形成于硅基底上,并与凹陷区域相邻;高度控制层,设置于凹陷区域的底面,厚度被控...
  • 本申请公开了一种高功率半导体激光器,包括:热沉模块、多个第一激光模块和多个第二激光模块,热沉模块的上表面由多个竖直方向互相平行且宽度相等的台阶构成;热沉模块的内部设有散热通道,热沉模块的第一侧面用于形成第一散热区域,热沉模块的第二侧面用于形...
  • 本发明公开了一种绝缘阵列式耦合激光器散热模组,包括保持架,所述保持架一侧设置有多个等距分布的U型槽;所述激光耦合器有多个且一一对应地嵌设于保持架的U型槽内;所述散热片通过紧固件与保持架及激光耦合器固定连接,所述散热片压紧于所有激光耦合器的端...
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