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最新专利技术
  • 一种eMMC基板共模结构的加工方法
    一种eMMC基板共模结构的加工方法_深圳市德明利技术股份有限公司_202511843191.2
    本发明公开了一种eMMC基板共模结构的加工方法，所述eMMC基板共模结构的加工方法包括：确定目标eMMC基板的基准信息；确定样品基板的尺寸信息，并基于目标eMMC基板的尺寸信息进行区域划分；根据区域划分的结果以及所述目标eMMC基板的基准信...
    2026-04-19
  • 一种微孔加工方法和基板
    一种微孔加工方法和基板_武汉帝尔激光科技股份有限公司_202411391368.5
    本申请提供一种微孔加工方法和基板，涉及半导体技术领域，方法通过利用负压环境浸润待加工基板的空隙区，得到预浸润基板，并且利用腐蚀液腐蚀预浸润基板的空隙区，得到具有微孔的基板。由此，能够在腐蚀过程中，腐蚀液可以利用空隙区内留有的浸润液快速扩散，...
    2026-04-19
  • 电机控制器的功率模块及其制备方法、车辆
    电机控制器的功率模块及其制备方法、车辆_重庆小康动力有限公司_202610011067.8
    本申请涉及电机控制器技术领域，公开了一种电机控制器的功率模块及其制备方法、车辆，包括：衬底；正直流母线排及负直流母线排，间隔设置于衬底上；放电电阻，设置于衬底上方，放电电阻分别与正直流母线排连接以及负直流母线排连接；其中，放电电阻用于将功率...
    2026-04-19
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411389379.X
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括：至少两个层叠的晶圆；晶圆包括：衬底、电容结构和导电柱组件；电容结构，至少部分埋入于衬底内，埋入衬底内的部分电容结构沿垂直于衬底的方向延伸；导电柱组件，至少部分埋入于衬底内，...
    2026-04-19
  • 功率模块及电子设备
    功率模块及电子设备_比亚迪股份有限公司_202511621217.9
    本申请实施例提供一种功率模块及电子设备，涉及电子器件技术领域。该功率模块包括：封装体；芯片，芯片封装在封装体的内部；多个端子，端子的一端与芯片电连接，端子的另一端延伸至封装体的外部；绝缘组件，绝缘组件设置在封装体的外部，绝缘组件用于将多个端...
    2026-04-19
  • 半导体结构及其制备方法、半导体器件
    半导体结构及其制备方法、半导体器件_苏州苏纳光电有限公司_202610236464.5
    本公开至少一实施例提供一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，该半导体结构包括：层叠设置的半导体层和基底层，其中，所述基底层的电导率小于所述半导体层的电导率，所述基底层的电导率为0 S/m~0.1 S/m，且所述半导体层的电导率为4 S/m...
    2026-04-19
  • 电子装置
    电子装置_日月光半导体制造股份有限公司_202510260133.0
    本公开提供一种电子装置。所述电子装置包含第一电路模块及第一屏蔽件。所述第一屏蔽件安置于所述电路模块的侧向侧处，且包含经配置以减少所述第一电路模块与所述第一屏蔽件的寄生耦合的第一开口。
    2026-04-19
  • 芯片及电子设备
    芯片及电子设备_华为技术有限公司_202411382131.0
    本申请提供一种芯片及电子设备，涉及芯片技术领域，能够改善标准单元中绕线资源不足的问题。该芯片包括衬底以及设置在衬底上的第一金属层。第一金属层是设置在衬底正面、且最靠近衬底的一个金属层。芯片中包括在第一方向上拼接设置的第一标准单元和第二标准单...
    2026-04-19
  • 一种三维螺旋结构的集成整流二极管模块
    一种三维螺旋结构的集成整流二极管模块_深圳市容微新材料有限公司_202512039005.6
    本发明公开了一种三维螺旋结构的集成整流二极管模块，涉及功率半导体器件技术领域，本发明包括单片集成的电学功能单元与热管理单元，所述电学功能单元与热管理单元同轴布置实现电‑热协同优化，具体结构如下：所述电学功能单元包括从下至上依次层叠的衬底层、...
    2026-04-19
  • 一种基于液态金属高导热填料的合封芯片多维散热结构及其封装方法
    一种基于液态金属高导热填料的合封芯片多维散热结构及其封装方法_哈尔滨工业大学_202512020242.8
    本发明公开了一种基于液态金属高导热填料的合封芯片多维散热结构及其封装方法；属于半导体芯片封装技术领域。本发明要解决传统固态TIM热导率低、均热能力差、界面接触可靠性不足，以及现有液态冷却方案复杂或存在风险等问题。本发明方法包括以下步骤：准备...
    2026-04-19
  • 一种具有过流保护功能的新型半导体器件封装结构
    一种具有过流保护功能的新型半导体器件封装结构_广东鑫季世锋科技有限公司_202512054450.X
    本发明公开了一种具有过流保护功能的新型半导体器件封装结构，封装结构包括封装壳体、设于所述封装壳体内部的主器件单元、电流采样单元、分级限流单元、通路切换单元、互锁逻辑单元、温度自适应单元及自适应制冷单元；所述主器件单元为半导体功率芯片，其输入...
    2026-04-19
  • 功率模块及其制造方法以及电气系统
    功率模块及其制造方法以及电气系统_深圳赛意法微电子有限公司_202411375072.4
    本公开涉及功率模块及其制造方法以及电气系统。提供了一种功率模块，包括：由绝缘材料形成的内部冷却装置；第一金属层，设置在所述内部冷却装置的顶表面上；第一芯片，附接在所述第一金属层上，所述第一芯片通过所述第一金属层以及附接在所述第一芯片和所述第...
    2026-04-19
  • 用于功率模块的内部冷却装置及其制造方法、功率模块以及电气系统
    用于功率模块的内部冷却装置及其制造方法、功率模块以及电气系统_深圳赛意法微电子有限公司_202411370518.4
    本公开涉及用于功率模块的内部冷却装置及其制造方法、功率模块以及电气系统。提供一种用于功率模块的内部冷却装置，包括：通过一体加工形成的顶部绝缘件，包括：顶盖；以及至少一个第一导热件，设置在所述顶盖的内侧表面上并且沿着垂直于所述顶盖的内侧表面的...
    2026-04-19
  • 一种内置电阻数字三极管封装及其制作工艺
    一种内置电阻数字三极管封装及其制作工艺_河源创基电子科技有限公司_202511896200.4
    本发明公开了一种内置电阻数字三极管封装及其制作工艺，包括绝缘封装壳，所述绝缘封装壳内部形成封装壳内腔，所述封装壳内腔中心设有集成电阻基板，所述集成电阻基板上表面设有芯片焊盘，所述芯片焊盘上方通过信号传导凸点连接三极管芯片，所述三极管芯片下表...
    2026-04-19
  • 半导体封装结构及其制造方法
    半导体封装结构及其制造方法_苏州震坤科技有限公司_202610006817.2
    本申请提供一种半导体封装结构及其制造方法，半导体封装结构的制造方法包括：提供封装结构，封装结构包括至少一个芯片和包覆芯片的封装层；选择性去除覆盖芯片的部分封装层，形成暴露芯片背面的散热槽。本申请通过后加工工艺选择性去除芯片背面的部分封装层形...
    2026-04-19
  • 用于接合结构的电冗余
    用于接合结构的电冗余_隔热半导体粘合技术公司_202512011359.X
    本公开涉及用于接合结构的电冗余。公开了一种被配置成接合到另一个元件的元件。第一元件可以包括在第一表面上的第一多个接触焊盘。第一多个接触焊盘包括彼此间隔开的第一接触焊盘和第二接触焊盘。第一接触焊盘和第二接触焊盘彼此电连接以用于冗余。第一元件可...
    2026-04-19
  • 用于接合结构的电冗余
    用于接合结构的电冗余_隔热半导体粘合技术公司_202512006528.0
    本公开涉及用于接合结构的电冗余。公开了一种被配置成接合到另一个元件的元件。第一元件可以包括在第一表面上的第一多个接触焊盘。第一多个接触焊盘包括彼此间隔开的第一接触焊盘和第二接触焊盘。第一接触焊盘和第二接触焊盘彼此电连接以用于冗余。第一元件可...
    2026-04-19
  • 金属互连结构及其形成方法
    金属互连结构及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511732700.4
    本发明提供金属互连结构及其形成方法，金属互连结构中的粘附促进层仅位于沟槽的侧壁；粘附促进层吸附第一扩散阻挡层的前驱体以使第一扩散阻挡层仅形成于沟槽的侧壁并用于阻挡金属扩散，避免沟槽底部沉积第一扩散阻挡层影响金属填充；第二扩散阻挡层覆盖第一扩...
    2026-04-19
  • 芯片结构和半导体器件
    芯片结构和半导体器件_深圳市紫光同创电子股份有限公司_202511712583.5
    本申请公开了一种芯片结构和半导体器件，包括：第一金属层、第一层间介电层、MIM电容、第二层间介电层和第二金属层；MIM电容包括电容上极板、电容介电层和电容下极板；第一金属层包括多个第一电源线和多个第一地线，第一电源线和第一地线沿第一方向按照...
    2026-04-19
  • 一种玻璃通孔的镀铜填充方法及其结构和应用
    一种玻璃通孔的镀铜填充方法及其结构和应用_湖南工学院_202610031810.6
    本发明涉及芯片三维封装技术领域，具体而言，是一种针对玻璃通孔TGV的高效、无空洞镀铜填充方法，适用于高密度芯片互连场景下玻璃通孔TGV的金属化工艺。本发明的玻璃通孔的镀铜填充工艺解决了通孔空洞缺陷，提升了通孔的填充效率，同时工艺兼容性强，易...
    2026-04-19
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