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最新专利技术
  • 一种半导体设备零件的表面涂层工艺
    一种半导体设备零件的表面涂层工艺_安徽高芯众科半导体有限公司_202511920845.7
    本申请涉及一种半导体设备零件的表面涂层工艺，包括如下步骤：S1、含钇复合涂层沉积：将零件放入至ALD沉积设备中，通入前驱体进行涂层沉积，得到生长含钇复合涂层的零件；S2、等离子轰击：将生长含钇复合涂层的零件在等离子设备中进行等离子轰击，从而...
    2026-04-23
  • 晶圆传输装置以及化学气相沉积设备
    晶圆传输装置以及化学气相沉积设备_深圳市新凯来技术有限公司_202411449736.7
    本申请提供一种晶圆传输装置以及化学气相沉积设备，涉及半导体芯片制造技术领域。晶圆传输装置包括旋转机构和密封机构。旋转机构包括第一驱动单元和传动轴，第一驱动单元驱动传动轴旋转，传动轴具有支撑端，支撑端用于支撑晶圆。密封机构靠近传动轴的支撑端，...
    2026-04-23
  • 加热基座的校准方法、校准系统及化学气相沉积设备
    加热基座的校准方法、校准系统及化学气相沉积设备_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511953798.6
    本发明涉及半导体制造工艺技术领域，公开了一种加热基座的校准方法、校准系统及化学气相沉积设备，加热基座的校准系统包括控制器和用于调整加热基座水平度的调整器，方法包括：在维护加热基座后，获取晶圆表面沉积的当前膜厚数据；根据当前膜厚数据和晶圆的目...
    2026-04-23
  • 一种用于微波等离子体化学气相沉积的真空系统
    一种用于微波等离子体化学气相沉积的真空系统_河南省科学院激光制造研究所_202512022421.5
    本发明公开了一种用于微波等离子体化学气相沉积的真空系统，包括真空腔本体、处理器和分别设置在真空腔体进气口用于精确控制各种组分气体的流量和比例的进气系统和设置在真空腔体出气口用于与进气系统联动并通过处理器控制真空腔本体内气压的出气系统；所述的...
    2026-04-23
  • 一种弧光电子增强沉积复合类金刚石涂层的制备方法和复合类金刚石涂层
    一种弧光电子增强沉积复合类金刚石涂层的制备方法和复合类金刚石涂层_陕西汉德车桥有限公司_202610074360.9
    本发明提供了一种弧光电子增强沉积复合类金刚石涂层的制备方法，包括以下步骤：S1将基体进行加热，再对所述基体进行离子清洗；S2在基体表面沉积金属底层；S3在步骤S2得到的基体表面沉积过渡层；S4开启电弧离子源和辅助阳极电极，将偏压电源切换为中...
    2026-04-23
  • 一种用于薄膜沉积的炉管结构
    一种用于薄膜沉积的炉管结构_上海庆建廷科技有限公司_202610062323.6
    本发明公开了一种用于薄膜沉积的炉管结构，涉及原子层沉积技术领域，包括支撑法兰、石英炉管、固定法兰、晶舟和多个硅片，所述固定法兰的前侧左右端均设置有若干个第一进气口，所述固定法兰的前侧中部设置有第二进气口和第三进气口，所述石英炉管包括电离腔室...
    2026-04-23
  • 一种化学气相沉积用气流均布装置及方法
    一种化学气相沉积用气流均布装置及方法_江西汉可泛半导体技术有限公司_202511970844.3
    本申请涉及真空镀膜的技术领域，公开了一种化学气相沉积用气流均布装置，包括反应腔体，其内部限定有沉积空间；匀气组件，设置于所述沉积空间内，用于将通入的反应气体在水平方向上均匀扩散；基片承载区，设置于匀气组件的侧面，用于放置待沉积的基片；进气系...
    2026-04-23
  • 匀气组件和半导体设备
    匀气组件和半导体设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511799011.5
    本申请实施例提供了一种匀气组件和半导体设备，涉及半导体技术领域，能够抑制喷淋装置周围寄生等离子体，从而提高半导体设备的累计极限，提高生产效率。匀气组件，匀气组件包括喷淋装置和绝缘环，绝缘环套设于所述基体的外侧；喷淋装置包括：基体和位于基体一...
    2026-04-23
  • 化学气相沉积设备
    化学气相沉积设备_合肥国显科技有限公司_202610129272.4
    本申请提供一种化学气相沉积设备，属于化学气相沉积工艺的技术领域。其包括设备本体、阻挡装置以及真空泵；设备本体具有沉积腔室；阻挡装置包括管体、隔板以及阀板，管体具有压力腔室，管体连接于设备本体并与沉积腔室连通；隔板设置于压力腔室内，并开设有通...
    2026-04-23
  • 一种基于低漏率结构组件的半导体反应腔室
    一种基于低漏率结构组件的半导体反应腔室_靖江嘉昇和真空技术有限公司_202512054851.5
    本发明涉及半导体相关技术领域，公开了一种基于低漏率结构组件的半导体反应腔室，包括腔体本体、设置于腔体本体顶部的顶板以及可拆卸安装的腔盖，腔盖与腔体本体之间形成密封界面。腔盖一侧设置第一密封组件，腔体本体一侧设置能够相对第一密封组件发生位移的...
    2026-04-23
  • 一种基于梯度缓冲层的石墨衬底碳化钽涂层的制备方法
    一种基于梯度缓冲层的石墨衬底碳化钽涂层的制备方法_山东大学_202511995237.2
    本发明公开了一种基于梯度缓冲层的石墨衬底碳化钽涂层的制备方法，属于第三代半导体生产技术领域。通过在石墨沉底上原位生成Ta2C/TaC梯度缓冲层，TaC摩尔分数从靠近石墨基底的约10%逐渐过渡至表层的90%以上，再经过中低温预处理和高温退火处...
    2026-04-23
  • 表面涂覆的切削工具
    表面涂覆的切削工具_肯纳金属公司_202511440681.8
    在一个方面，本文描述了切削工具，所述切削工具包括耐火涂层，所述耐火涂层包括MT‑TiCN层和α‑Al2O3层，所述层具有有利于抵抗包含开裂和/或剥落的各种降解机制的结晶取向和架构。因此，在一些实施方案中，具有此类耐火涂层的切削工具适用于高磨...
    2026-04-23
  • 一种聚酰亚胺-氧化铝复合薄膜材料及其制备方法
    一种聚酰亚胺-氧化铝复合薄膜材料及其制备方法_北京印刷学院_202610276973.0
    本发明公开了一种聚酰亚胺‑氧化铝复合薄膜材料及其制备方法，该复合薄膜材料由聚酰亚胺层及沉积结合于所述聚酰亚胺层上表面的氧化铝层组成，所述聚酰亚胺层及所述氧化铝层的厚度均为纳米级；该复合薄膜材料使用原子层沉积设备制备，制备方法包括先在单晶硅片...
    2026-04-23
  • 制备碳化钽涂层用反应物装置及石墨涂碳化钽的制备方法
    制备碳化钽涂层用反应物装置及石墨涂碳化钽的制备方法_浙江六方半导体科技有限公司_202511884977.9
    本发明涉及一种制备碳化钽涂层用反应物装置及石墨涂碳化钽的制备方法，包括鼓泡罐，以及灌装于所述鼓泡罐内的混合溶剂，所述混合溶剂由五氯化钽固体溶解于无水四氯化碳溶剂中形成。该制备方法包括以下步骤：将五氯化钽固体溶解于无水四氯化碳溶剂中得到混合溶...
    2026-04-23
  • 降低LPCVD工艺中单晶硅片翘曲度的方法
    降低LPCVD工艺中单晶硅片翘曲度的方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202512046344.7
    本发明涉及一种降低LPCVD工艺中单晶硅片翘曲度的方法，所属半导体晶圆加工技术领域，包括如下操作步骤：步骤S1：对单晶硅片基材进行弧形预研磨，使其表面呈现微弧形。步骤S2：在LPCVD沉积多晶硅过程中，通过调整沉积参数减少薄膜的内应力和晶格...
    2026-04-23
  • 一种晶圆对准室用晶圆预热装置及晶圆预热方法
    一种晶圆对准室用晶圆预热装置及晶圆预热方法_盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司_202411425689.2
    本申请涉及半导体工艺技术领域，公开一种晶圆对准室用晶圆预热装置及晶圆预热方法。所述晶圆对准室用晶圆预热装置，包括：加热单元，设置在对准室上，在接收到待处理的晶圆时，对在所述对准室内的晶圆进行预热；调温单元，包含设置在对准室上的气体管路，在接...
    2026-04-23
  • 复合型镀膜装置及镀膜方法
    复合型镀膜装置及镀膜方法_安徽赛福电子有限公司_202610089066.5
    本发明公开了复合型镀膜装置，包括卷绕组件，所述卷绕组件包括依次转动设置的放卷辊、导向辊和收卷辊，以及转动设置于薄膜传输路径上并贴合于薄膜的张力调节辊；所述张力调节辊包括辊架，所述辊架上围合设置有多个扇形辊片，多个扇形辊片相拼合形成柱状辊体，...
    2026-04-23
  • 可对中定位的LOADLOCK工艺腔
    可对中定位的LOADLOCK工艺腔_北京锐洁机器人科技有限公司_202610038065.8
    本发明提供一种可对中定位的LOADLOCK工艺腔，包括：工艺腔，其两侧分别设置与所述工艺腔的内部连通的大气侧接口和真空侧接口；所述工艺腔内有晶圆支撑座；对中机构，包括：多组对中组件，其上端设置在所述工艺腔内，其下端贯穿所述工艺腔的底面设置，...
    2026-04-23
  • 一种双向准壁面剪力热膜传感结构的磁控溅射原位沉积制备工艺及应用
    一种双向准壁面剪力热膜传感结构的磁控溅射原位沉积制备工艺及应用_中国民航大学_202610345181.4
    本发明涉及金属材料表面镀覆与微加工制造技术领域，公开了一种双向准壁面剪力热膜传感结构的磁控溅射原位沉积制备工艺及应用。所述制备工艺包括：基底清洗活化；构建并定位受感部掩膜，在十字相交的四条带状开口内以镍靶磁控溅射原位沉积形成四个电气隔离的镍...
    2026-04-23
  • 一种基于氢介导界面稳定的低磨损含氢非晶碳薄膜及其制备与应用
    一种基于氢介导界面稳定的低磨损含氢非晶碳薄膜及其制备与应用_中国科学院兰州化学物理研究所_202610173699.4
    本发明公开了一种基于氢介导界面稳定的低磨损含氢非晶碳薄膜及其工程应用。采用高功率脉冲磁控溅射技术，以C2H2为源在工程钢表面制备氢含量可控的a‑C : H薄膜。该薄膜通过“氢介导界面稳定化”机制，在维持适度低摩擦(μ=0.08‑0.12)的...
    2026-04-23
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