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最新专利技术
  • 一种半导体材料制备用倒装对称式铜电极
    一种半导体材料制备用倒装对称式铜电极_上海汉虹精密机械有限公司_202511951813.3
    本发明涉及一种半导体材料制备用倒装对称式铜电极。一种半导体材料制备用倒装对称式铜电极，包括左右镜像对称设置的左电极以及右电极；左电极以及右电极均包括中空弧形电极主体，中空弧形电极主体的两端分别连接第一中空铜柱以及第二中空铜柱，第一中空铜柱开...
    2026-04-23
  • 一种碳化硅晶须及其应用
    一种碳化硅晶须及其应用_厦门钨业股份有限公司_202511224673.X
    本发明提供了一种碳化硅晶须及其应用，所述碳化硅晶须包括单晶纤维状主体以及覆盖所述单晶纤维状主体表面的二氧化硅氧化层；所述单晶纤维状主体的一端具有块体；所述块体中含有SiO2与SiC。本发明提供的碳化硅晶须，通过二氧化硅氧化层的设置，改善碳化...
    2026-04-23
  • 一种半导体材料碳化硅重结晶的制作方法
    一种半导体材料碳化硅重结晶的制作方法_王伟东_202310619233.9
    本发明公开了一种半导体材料碳化硅重结晶的制作方法，属于材料科学技术领域，旨在解决碳化硅微分高温气相沉积法制作碳化硅晶体可能会出现材料“死区”，成本高，技术复杂难度高，废品率比较高的问题。包括如下步骤：步骤1：选用高纯度碳化硅24目4kg‑5...
    2026-04-23
  • 一种零维Cs2CoCl4类钙钛矿单晶、复合柔性薄膜及其制备方法和应用
    一种零维Cs2CoCl4类钙钛矿单晶、复合柔性薄膜及其制备方法和应用_闽都创新实验室_202511755836.7
    本申请公开了一种零维Cs2CoCl4类钙钛矿单晶、复合柔性薄膜及其制备方法和应用，属于半导体X射线探测器领域。所述零维Cs2CoCl4类钙钛矿单晶为由孤立的[CoCl4]2+四面体和Cs+形成零维结构。该单晶具有零维结构，由于电子沿着[Co...
    2026-04-23
  • 一种硼酸镥钾二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途
    一种硼酸镥钾二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途_天津理工大学_202411442230.3
    本专利申请涉及一种新型的硼酸镥钾(K7.5Lu2.5B15O30)二阶非线性光学晶体，该晶体具备短的紫外截止边和显著的倍频效应，适用于扩展激光源波长至更宽光谱区域。晶体采用高温固相法和高温溶液法制备，属于三方晶系，R32(No.155)空间...
    2026-04-23
  • 硅生长轴连接装置、硅生长系统及埚转偏差协同补偿方法
    硅生长轴连接装置、硅生长系统及埚转偏差协同补偿方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511840788.1
    本申请提供了一种硅生长轴连接装置。该种硅生长轴连接装置包括第一轴构件、第二轴构件以及面接触传力构件。其中，第一轴构件设置在坩埚侧轴，具有第一轴构件连接端。第二轴构件设置在驱动侧轴，具有第二轴构件连接端。面接触传力构件设置在第一轴构件连接端与...
    2026-04-23
  • 晶棒长度的确定方法、装置、介质及晶体生长系统
    晶棒长度的确定方法、装置、介质及晶体生长系统_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511840689.3
    本公开提供了一种晶棒长度的确定方法、装置、介质及晶体生长系统，该晶体生长系统包括：提拉机构，配置为夹持籽晶并相对于坩埚内的熔体液面进行垂直运动以生长晶棒；测速组件，集成于提拉机构上，配置为监测提拉机构与熔体液面之间的相对距离变化率，以输出液...
    2026-04-23
  • 一种适用于多种单晶蓝宝石形貌的外延二维半导体单晶生长调控方法
    一种适用于多种单晶蓝宝石形貌的外延二维半导体单晶生长调控方法_中国科学技术大学_202610127572.9
    本申请公开了一种适用于多种单晶蓝宝石形貌的外延二维半导体单晶生长调控方法，属于单晶薄膜制备领域。该生长调控方法通过精准调控化学气相沉积工艺(CVD)中的关键参数，即可实现在具有不同表面形貌且未经高温退火处理的单晶蓝宝石衬底表面外延生长晶圆级...
    2026-04-23
  • 碳化硅衬底材料的制备方法、系统及衬底材料
    碳化硅衬底材料的制备方法、系统及衬底材料_洛阳中硅高科技有限公司_202610352639.9
    本发明属于碳化硅晶体技术领域，具体涉及碳化硅衬底材料的制备方法、系统及衬底材料。制备方法包括：将第一沉积气源通入第一化学气相沉积反应器中进行第一沉积，在第一沉积载体表面得到3C‑SiC，排出第一沉积后气体；第一沉积的温度为1100℃~150...
    2026-04-23
  • 进气装置、进气系统、进气控制方法和碳化硅外延炉
    进气装置、进气系统、进气控制方法和碳化硅外延炉_北京天科合达半导体股份有限公司_202610110613.3
    本申请公开了一种进气装置、进气系统、进气控制方法和碳化硅外延炉，进气装置包括：进气腔，进气腔至少为两个且沿第一方向层叠分布；相邻两个进气腔隔离设置，进气腔包括至少三个进气部，至少三个进气部沿第二方向依次分布，相邻两个进气部隔离设置，每个进气...
    2026-04-23
  • 一种衬底承载组件
    一种衬底承载组件_南昌大学_202511835596.1
    本发明提供一种衬底承载组件，包括石墨盘，石墨盘上设有均匀分布的圆形凹槽，圆形凹槽用于放置衬底；石墨盘的上表面为中间下凹的对称曲面，自边缘向中心高度逐渐降低，石墨盘中心为上表面的最低处；石英环, 用于支撑石墨盘；石墨盘与石英环通过匹配的装配锥...
    2026-04-23
  • 外延腔体内预加热环清洗方法以及外延装置
    外延腔体内预加热环清洗方法以及外延装置_上海超硅半导体股份有限公司_202511894684.9
    本发明提供一种外延腔体内预加热环清洗方法以及外延装置，能够避免预加热环上相应的紊流位置出现覆盖层。所述方法包括第一循环与第二循环；所述第一循环和第二循环各自均包括生长过程与清洗过程；在第一循环内，基座在生长过程和清洗过程中在 XY 平面内分...
    2026-04-23
  • 一种1~2 μm波段的InAs/InP量子点材料及其制备方法与应用
    一种1~2 μm波段的InAs/InP量子点材料及其制备方法与应用_长春理工大学_202610022416.6
    本申请涉及低维半导体量子点材料与器件技术领域，特别涉及一种1~2μm波段的InAs/InP量子点材料及其制备方法与应用，该制备方法包括以下步骤：首先，在外延生长装置中，对InP衬底进行原位退火处理；然后，在InP衬底上沉积InP缓冲层；在I...
    2026-04-23
  • 一种半导体生产用外延片的自动化处理方法及系统
    一种半导体生产用外延片的自动化处理方法及系统_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202610076281.1
    本申请涉及外延片生产技术领域，公开了一种半导体生产用外延片的自动化处理方法及系统。方法包括：对代表晶圆执行离子注入与再结晶热处理，并在其正、背面分别制作用于定位与应力引导的第一、第二标记。将标记晶圆依次放置于外延生长装置基座上的多个不同位置...
    2026-04-23
  • 氧化物复合涂层刀具及其制备方法
    氧化物复合涂层刀具及其制备方法_株洲钻石切削刀具股份有限公司_202610001926.5
    本发明公开了一种氧化物复合涂层刀具及其制备方法，该氧化物复合涂层刀具包括刀具基体和沉积于刀具基体上的氧化物复合涂层，氧化物复合涂层是以“(Cr1‑ySiy)(N1‑zOz)层到(Cr1‑bSib)(N1‑aOa)层到(Cr1‑xAlx)2O...
    2026-04-23
  • 一种晶体生长坩埚
    一种晶体生长坩埚_北京天科合达半导体股份有限公司_202610234262.7
    本申请公开了一种晶体生长坩埚，涉及晶体生长技术领域，该晶体生长坩埚包括底部和环绕底部的环形侧壁，环形侧壁包括相连接的第一环形侧壁区和第二环形侧壁区，第一环形侧壁区与底部连接，构成原料区；第二环形侧壁区位于第一环形侧壁区背离底部的一侧，第二环...
    2026-04-23
  • 一种碳化硅籽晶及碳化硅晶体生长装置
    一种碳化硅籽晶及碳化硅晶体生长装置_北京天科合达半导体股份有限公司_202610199811.1
    本发明提供了一种碳化硅籽晶及碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域。该碳化硅籽晶包括：碳面；碳面包括第一生长面以及第二生长面；第二生长面覆盖碳化硅籽晶的小面；碳化硅籽晶包括第一部分和第二部分，第一部分的碳面为第一生长面，第二部分的碳...
    2026-04-23
  • 带温梯金属浴晶体生长装置及方法
    带温梯金属浴晶体生长装置及方法_成都中微晶体材料有限公司_202610120258.8
    本发明提供了一种带温梯金属浴晶体生长装置及方法，涉及半导体技术领域。本带温梯金属浴晶体生长装置及方法通过金属浴方式加热坩埚进行长晶，可以制备内应力小，质量高的晶体。同时，通过设置第一限流块和第二限流块，在晶体生长区域形成边缘温度略高于中心温...
    2026-04-23
  • 一种基于梯度粒径分相输送的碳化硅长晶原料处理方法
    一种基于梯度粒径分相输送的碳化硅长晶原料处理方法_湖州东尼半导体科技有限公司_202610051384.2
    本发明涉及一种基于梯度粒径分相输送的碳化硅长晶原料处理方法，属于半导体材料制备技术领域。该原料处理方法，采用两种或两种以上不同规格的碳化硅原料，在碳化硅长晶设备的原料承载容器内铺设形成具有粒径梯度分布的多层结构。本发明通过梯度化原料设计，实...
    2026-04-23
  • P型碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件
    P型碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件_甬江实验室_202511875271.6
    本申请公开了P型碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件，属于碳化硅衬底制备技术领域。以P型碳化硅晶体为原料，采用物理气相传输法在4H‑SiC籽晶的硅面上生长P型碳化硅衬底，其中，P型碳化硅晶体的粒径≥5mm。P型碳化硅晶体的粒径较大，大颗粒能够...
    2026-04-23
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