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造纸;纤维素;纸品设备的制造及其加工制造技术
  • 本发明公开了一种矿井安全生产的矿井通风设备,其包括鼓风装置、角度调节装置以及净化过滤装置,所述鼓风装置安设在风井一侧的地面上,其内部设置有角度调节装置;所述鼓风装置一侧设有出风口;所述净化过滤装置设置在鼓风装置的出风口一侧,且所述净化过滤装...
  • 本实用新型提供一种石油钻井工程钻井液筛除设备,涉及钻井液筛除技术领域,包括筛除架和筛除架内设置的筛板,所述筛除架外侧边设置有沿筛板长度方向滑动的滑动架,通过滑动架内的刮板旋转选择是否与筛板上表面接触,然后利用滑动架带动刮板移动至距离脱水槽一...
  • 本发明涉及一种立式胀管设备,属于胀管设备技术领域。本发明包括机箱,机箱内设有竖向布置的支撑体,支撑体顶部安装有胀管主体,胀管主体包括多个胀块,胀块底部设有限位凸起,支撑体内穿设有能够上下活动的顶端呈锥形的顶推件,胀块弹性压设在顶推件中呈锥形...
  • 本实用新型涉及通风设备技术领域,具体涉及一种一通三防工程用通风设备,包括管道本体、安装板、杂质过滤机构、瓦斯过滤机构和导向杆,安装板上开设有供杂质过滤机构安装的插孔,安装板上还开设有供导向杆滑动的弧形孔,在矿井挖掘前期,通过杂质过滤机构对空...
  • 本发明公开了一种进气管、换热管道及油漆烘干装置,包括进气端、出气端和连接二者的进气管管身,进气端引导气流进入进气管管身,进气管管身包括有多个直线段与多个折弯段,至少有两个直线段是彼此相邻且平行;以两个彼此相邻且平行的直线段之间的位置作为出气...
  • 本发明涉及一种GH3536合金大型模锻件及其热处理方法,属于金属材料技术领域。所述方法包括:A、将锻件从300℃以下入炉,升温速度100~200℃/h,加热至865℃~935℃,保温40min~105min,然后升温;B、将锻件继续以升温速...
  • 本发明公开有一种水泥窑炉富氧煅烧异常工况智能监控系统,属于窑炉工况监控技术领域,是在富氧煅烧环境下,对多测点对的温度和压力参数进行相关性验证分析,通过分析不同测点对的相关性偏离破裂情况,实现早期异常诊断以及精确定位异常发生的位置,极大地提升...
  • 本实用新型公开了一种墙板加工矫直装置,包括工作台、往复驱动机构、压平机构、吸尘机构和夹持机构,其中,工作台的顶面两侧均设有支板,两个支板之间连接有导杆,导杆滑动连接有滑套,往复驱动机构设置在支板的一侧,且与滑套相连接,滑套的底端连接有第一电...
  • 本申请涉及一种风机不停机智能巡检方法、系统、设备及介质,属于风机巡检的技术领域,该智能巡检方法包括:获取环境风速、叶片刚度系数、叶片长度、风机中心点坐标;根据环境风速和叶片刚度系数,计算叶片弯曲偏移量;根据叶片长度,确定无人机的安全悬停距离...
  • 本实用新型涉及爆破技术领域,具体公开了一种采矿爆破埋管设备,包括有成对设置的底座,底座上端面固定安装有齿条柱,齿条柱上设置有进行升降运动的升降组件,升降组件上固定安装有底板,底板上端面开设有滑槽,滑槽内滑动设置有滑动组件,底板右上角处的端面...
  • 本申请涉及一种简易快速制动的隧道挂布台车装置,其通过在移动轮的移动方向一侧设置制动组件,刹车制动时,将制动件移动至第一位置,制动件分别与地面和移动轮贴合以限制移动轮转动,再利用锁定件锁定制动件的位置,进而实现对台车本体进行刹车,解锁刹车时,...
  • 本发明属于氧化铝生产技术领域,具体为一种用于氧化铝生产的沉降分离装置,包括沉降罐,所述沉降罐的顶部转动穿设有驱动管,所述驱动管的外表面安装有内螺旋搅拌管,所述沉降罐的外部固定套装有外螺旋加热管,驱动组件工作将带动驱动管转动,内螺旋搅拌管转动...
  • 本发明提供了一种矿井灾变侦测变胞机器人及其侦测方法,包括驱动系统,主控系统和感知探测系统;驱动系统由直铰链、L型铰链、U型铰链、十字U型铰链、舵机、行走部、行走部舵机、行走部铰链组成,具有常规行走、锥形越障攀爬及涉水移动三种形态;主控系统包...
  • 本实用新型提供了一种电池正极板冲孔裁切装置,包括上模组件和下模组件,所述上模组件包括上模座、上模板和脱料板,所述上模板的顶面固定在上模座的底面上,所述上模板的底面上安装有若干个上模冲头,所述脱料板穿套在若干个上模冲头上并安装在上模板的底面上...
  • 本发明公开了一种卷板机辅助换辊装置,包括机体,所述机体的顶部前侧安装有机械臂,所述机械臂用于对板材进行上下料,所述机械臂的后侧设置有存放架。本发明通过安装机构,实现对两组辊筒进行安装,便可进行卷板操作,可改变两个辊筒的间距,使得间距可与不同...
  • 本申请涉及半导体工艺技术领域,公开了一种半导体工艺优化方法以及半导体器件,应用于刻蚀有沟槽的半导体衬底上,在刻蚀沟槽之前,半导体衬底的表面自下而上依次沉积第一氧化物层、氮化硅层以及第二氧化物层;在完成沟槽刻蚀的半导体衬底上继续沉积致密氧化物...
  • 本发明涉及一种富水地区横跨地铁和现状管线的顶管结构及施工方法,包括顶进工作井结构、顶管横穿加固保护系统、顶进接收井结构、和矩形顶管,顶进工作井结构和顶进接收井结构分别位于地铁运营区间和现状管线群的两侧,顶管横穿加固保护系统横跨地铁运营区间和...
  • 本发明涉及一种纺织准备设备,其包括具有至少一个可控制的机器的至少一个清洁线(41)或者开包线,以及至少一个梳理机(100),其中,所述至少一个梳理机(100)具有至少一个传感器(30),用于检测在经梳理的纤维薄网(16)中的干扰性颗粒,特别...
  • 根据本公开的引线弯折方法是使从位于汇流条框架组件的第一方向上的一侧的电池单体堆朝向汇流条框架组件的第一方向上的另一侧突出的第一引线弯折的方法,汇流条框架组件包括汇流条和配置为容纳汇流条的汇流条框架。该方法包括:将弯折工具置于第一引线的与第一...
  • 本申请涉及半导体制造技术领域,公开了一种半导体器件制造方法以及半导体器件,该方法包括:提供生长有掩膜层的初始晶圆;初始晶圆中刻蚀有沟槽,掩膜层包括沿初始晶圆的厚度方向依次堆叠的氧化物垫层、硅氮化物层和氧化物外层;对初始晶圆的表面进行化学机械...
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