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最新专利技术
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_旺宏电子股份有限公司_202410725778.2
    本公开提供了一种存储器装置及其操作方法。包含用以储存第一数据位的第一存储器单元。第一存储器单元包含通道结构、源极结构、漏极结构及电荷阱层。当第一数据位具有第一逻辑值且施加于电荷阱层的电压信号具有第一电压电平时，流经通道结构的电流信号具有第一...
    2025-09-12
  • 存储器装置及其制造方法
    存储器装置及其制造方法_旺宏电子股份有限公司_202410726091.0
    本发明提供一种存储器装置及其制造方法。存储器装置的制造方法包含：沿着第一方向，交错放置多个第一层及多个第二层；第一孔洞；在第一孔洞的一边缘形成第一通道结构；在第一孔洞之中形成第一源极结构及第一漏极结构；围绕第一通道结构形成第一电荷阱结构，其...
    2025-09-12
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202480005894.5
    本发明提供一种防止散热性的降低的半导体装置。半导体装置（1）包括：绝缘电路基板（20），其包括下表面（23a）；散热基底板（40），其包括正面（40a），并在正面（40a）具有绝缘电路基板（20）的下表面（23a）经由焊料（27）而配置的配...
    2025-09-12
  • 一种林下可燃物粉碎工作头
    一种林下可燃物粉碎工作头_绿友机械集团股份有限公司_202410714788.6
    本发明公开了一种林下可燃物粉碎工作头，包括主框架、粉碎辊装置、上底刀、筛网和喂料装置；主框架包括左侧板、右侧板、上底刀固定座和防尘板，左侧板和右侧板的后部之间安装防尘板，在防尘板的前方安装所述筛网，在筛网的下方安装筛网下定位板，筛网与防尘板...
    2025-09-12
  • 磁盘装置的制造方法及磁盘装置
    磁盘装置的制造方法及磁盘装置_株式会社东芝_202410713492.2
    本发明的实施方式涉及磁盘装置的制造方法及磁盘装置。实施方式的磁盘装置的制造方法包括：调整主轴与多个斜坡的相对高度，所述主轴能够将以中心点为基准而端部从几何学平面偏移的多个磁盘的中心轴对齐来进行旋转，所述多个斜坡会分别配置于所述多个磁盘的所述...
    2025-09-12
  • 抗菌树脂和包含其的模制品
    抗菌树脂和包含其的模制品_株式会社LG化学_202480005352.8
    本说明书涉及抗菌树脂和包含其的模制品，所述抗菌树脂包含共聚物，所述共聚物包含：衍生自由化学式1表示的单体的第一单元；以及衍生自丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的第二单元。
    2025-09-12
  • 用于电动车辆的电池系统
    用于电动车辆的电池系统_现代自动车株式会社_202410697891.4
    本发明涉及用于电动车辆的电池系统，该系统提供连接车辆与电池的接口，以实现快速和容易的电池更换。用于电动车辆的电池系统包括：至少一个电池组，其能够拆卸地安装到底盘框架；以及电池连接件，其设置在所述电池组上，并且车辆连接件沿着电池组附接到底盘框...
    2025-09-12
  • 具有衬垫接触的半导体元件及其制备方法
    具有衬垫接触的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510139938.X
    本公开提供一种单元接触结构、一半导体元件及其制备方法。该单元接触结构包括：一接触层，位于一基板上并被多个位元线结构和多个分隔层包围；以及一衬层，位于该接触层与该基板之间、该接触层与该些位元线结构之间、和该接触层与该些分隔层之间。该接触层的一...
    2025-09-12
  • 具有衬垫接触的半导体元件及其制备方法
    具有衬垫接触的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202410689608.3
    本公开提供一种单元接触结构、一半导体元件及其制备方法。该单元接触结构包括：一接触层，位于一基板上并被多个位元线结构和多个分隔层包围；以及一衬层，位于该接触层与该基板之间、该接触层与该些位元线结构之间、和该接触层与该些分隔层之间。该接触层的一...
    2025-09-12
  • 具有孔径光圈的光波导
    具有孔径光圈的光波导_鲁姆斯有限公司_202480005271.8
    本文中描述了光波导，该光波导包括：一对主表面和被配置成接收输入光束的孔径。波导还包括沿着第一轴设置的第一组小平面，第一组小平面被配置成沿着第二轴反射输入光束。波导还包括光圈，光圈与孔径相匹配，光圈被配置成阻挡孔径外部的光线进入光波导。孔径的...
    2025-09-12
  • 一种基于磁感应张力探测技术的核电站张力围栏
    一种基于磁感应张力探测技术的核电站张力围栏_深圳市依电科技有限公司_202410682907.4
    本发明提供了一种基于磁感应张力探测技术的核电站张力围栏，其包括：围栏杆件单元；围栏索件单元，包括至少一条张力索；第一磁感应检测单元，连接所述围栏索件单元与所述围栏杆件单元，用于检测所述张力索上的张力变化；第二磁感应检测单元，设于所述围栏杆件...
    2025-09-12
  • 具有包括水平延伸部分和竖直延伸部分的源极接触层的三维存储器设备及其形成方法
    具有包括水平延伸部分和竖直延伸部分的源极接触层的三维存储器设备及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202480005213.5
    一种存储器设备包括：源极级材料层，该源极级材料层包含下部源极级半导体层、源极接触层和上部源极级半导体层；绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于该源极级材料层上方；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠并且进入该源极级材料层的上部部...
    2025-09-12
  • 防眩膜以及使用了该防眩膜的图像显示装置
    防眩膜以及使用了该防眩膜的图像显示装置_株式会社凸版巴川光学薄膜_202410661704.7
    提供即使在用于高精细的图像显示装置的情况下也能够兼具防眩性和耐闪光性的防眩膜以及使用了该防眩膜的图像显示装置。一种防眩膜，其中，在透明基材上层叠至少1层以上的防眩层，在最表面具有凹凸形状，其特征在于，利用光干涉方式测定的存在于最表面的算术平...
    2025-09-12
  • 一种光栅波导装置以及显示系统
    一种光栅波导装置以及显示系统_北京至格科技有限公司_202510643628.1
    本发明提供一种光栅波导装置以及显示系统，其中，光栅波导装置包括波导基体和光栅结构；光栅结构设置于波导基体；光栅结构接收成像装置的投射光束；光栅结构具有光栅矢量，光栅矢量将投射光束进行调制得到调制光束，调制光束在波导基体内部传播或从波导基体内...
    2025-09-12
  • 一种激光点云的标注框的优化方法以及电子设备
    一种激光点云的标注框的优化方法以及电子设备_深圳引望智能技术有限公司_202410668820.1
    本申请提供了一种激光点云的标注框的优化方法以及电子设备，可应用于感知系统数据标注领域，包括：基于第一标注框得到第二标注框，将两个框包括的激光点云分别预处理后得到第一点云集和第二点云集，将两个云集进行比对得到第一比对结果，在第一比对结果不满足...
    2025-09-12
  • 基于NAND磨损水平的写入聚合
    基于NAND磨损水平的写入聚合_闪迪技术公司_202480005468.1
    不使用可编程块大小聚合，而使用较低倍数的页面，乃至使用页面大小聚合。控制器中的坏块预测单元能够预测可编程块何时具有坏页面。坏块预测单元可以通过在坏块统计收集期间监测可编程块的生命周期来降低可编程块的聚合大小。当累积大小超过阈值时，坏块预测单...
    2025-09-12
  • 具有倾斜嵌入式延迟器或接合部的光导光学元件及对应的制造方法
    具有倾斜嵌入式延迟器或接合部的光导光学元件及对应的制造方法_鲁姆斯有限公司_202480005079.9
    一种用于制造具有以斜角倾斜的嵌入式延迟器的光导光学元件(LOE)的方法，该方法包括：形成多个平面延迟器元件的第一堆叠(560)，多个平面延迟器元件用多个透明板(562)间隔开并且接合至多个透明板。然后，沿着相对于延迟器元件成斜角的切片平面(...
    2025-09-12
  • 考虑外部和内部流量的多主机带宽管理
    考虑外部和内部流量的多主机带宽管理_闪迪技术公司_202480005421.5
    在SSD中不使用带宽限制器进行带宽分配，而是使用虚设虚拟功能(VF)来传输内部操作。诸如该带宽限制器之类的集中式逻辑被并入设备控制器中。这种逻辑负责控制主机之间的带宽。该逻辑不仅负责由该主机触发的数据传输，而且还负责由设备在诸如垃圾收集之类...
    2025-09-12
  • 一种光网络通信方法以及通信装置
    一种光网络通信方法以及通信装置_华为技术有限公司_202510422778.X
    本申请提供了一种光网络通信方法以及通信装置，该方法中，第一从设备能够收到来自主设备的速率放大因子，该速率放大因子是第一速率(即CIR属性/PIR属性的属性值)的调整系数，第一从设备通过速率放大因子和第一速率确定第二速率(即第一从设备的有效的...
    2025-09-12
  • 具有不同侧壁间隔物构型的高压场效应晶体管及其制造方法
    具有不同侧壁间隔物构型的高压场效应晶体管及其制造方法_桑迪士克科技股份有限公司_202480005301.5
    一种半导体结构包括第一场效应晶体管，该第一场效应晶体管包括第一栅极间隔物，该第一栅极间隔物具有与第一栅极电介质的第一横向笔直侧壁的顶部边缘重合的第一横向笔直底部边缘。该半导体结构还包括第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管包括：第二栅极电介质...
    2025-09-12
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