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最新专利技术
  • 一种基于调控云的配电网中低压模型贯通辅助方法
    一种基于调控云的配电网中低压模型贯通辅助方法_国网天津市电力公司_202411678431.3
    本发明涉及一种基于调控云的配电网中低压模型贯通辅助方法，包括：1、根据调度和营销信息，生成馈线关系对照表；2、根据步骤1生成的馈线关系对照表，按照每个变电站、每条馈线开展专变与用户、公变与台区的精确匹配；3、根据精准匹配结果生成可视化图表；...
    2025-09-14
  • 桥接式电路控制灯条的方法及采用此方法的灯条控制电路
    桥接式电路控制灯条的方法及采用此方法的灯条控制电路_新唐科技股份有限公司_202411684001.2
    本发明的实施例关于一种桥接式电路控制灯条的方法及采用此方法的灯条控制电路，此方法用以控制多数个指定位置的灯条，并兼容不同版本的灯条。此桥接式电路控制灯条的方法包括：提供一桥接电路，其中，所述桥接电路的每一个桥接端耦接对应的灯条位置；提供一序...
    2025-09-14
  • 用于车辆的车门闩锁装置
    用于车辆的车门闩锁装置_现代自动车株式会社_202411668846.2
    一种用于车辆的车门闩锁装置，其包括：车门撞击件、闩锁单元、弹出引导单元、锁定单元以及车门下垂防止支架，其中，车门撞击件对应于车门的下部一侧固定到车身，所述车门借助于铰链单元通过弹出运动和摆动运动的双重运动而打开或关闭；闩锁单元安装在车门的下...
    2025-09-14
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202411674785.0
    一种半导体器件包括第一区域和位于所述第一区域周围的第二区域，并且包括：源极层；堆叠结构，所述堆叠结构包括在所述源极层上沿着第一方向顺序地堆叠并且彼此间隔开的多个栅电极；覆盖所述堆叠结构的层间绝缘膜；在所述第一方向上延伸的沟道结构，所述沟道结...
    2025-09-14
  • 电池容量的推定方法和电池的SOC的推定方法
    电池容量的推定方法和电池的SOC的推定方法_丰田自动车株式会社_202411661084.3
    本发明涉及电池容量的推定方法和电池的SOC的推定方法。提供正确地推定电池容量的方法以及基于采用该电池容量的推定方法求出的推定电池容量正确地推定电池的SOC的方法。推定电池容量的方法包括使计算机执行下述的工序：(a)在80％以上的规定的暂定S...
    2025-09-14
  • 半导体存储设备及其自刷新方法
    半导体存储设备及其自刷新方法_三星电子株式会社_202411660812.9
    一种半导体存储器设备的自刷新方法，包括：接收自刷新进入命令；基于自刷新进入命令执行自刷新循环；接收自刷新退出命令；基于接收到自刷新退出命令确定刷新操作状态；以及基于确定刷新操作状态指示空闲状态，执行与行锤护理相对应的护理刷新操作。
    2025-09-14
  • 基于闪存的存储装置及其读取操作方法
    基于闪存的存储装置及其读取操作方法_三星电子株式会社_202411660627.X
    一种存储器装置，其包括：包括多个存储器单元的存储器单元阵列；页缓冲器电路，其通过位线连接到多个存储器单元并且被配置为以页为单位读取存储在多个存储器单元中的数据；以及列解码电路，被配置为在读取操作期间基于包括在读取命令中的子页位图信息输出存储...
    2025-09-14
  • 电池组
    电池组_三星SDI株式会社_202411660524.3
    提供了一种电池组，所述电池组包括：多个电池模组；以及电力控制装置，被构造为控制由多个电池模组供应的电力。电力控制装置包括：壳体，包括限定安置区域的分隔壁；电气元件，在壳体内；以及传热元件，与电气元件接触或被施用在电气元件周围。
    2025-09-14
  • 一种宽电源范围下的输入管防击穿结构
    一种宽电源范围下的输入管防击穿结构_电子科技大学_202411663677.3
    宽电源范围下输入管反击穿结构，涉及集成电路技术领域，在输入电压较高时保护输入管不被击穿。该结构通过冗余差分对为耐压管提供随输入变化的偏置，保证输入管的集电极与发射级电压差始终处于一个较小的恒定值，不随输入电压的变化而变化，避免输入管在输入电...
    2025-09-14
  • 包括像素坐标图案的图像感测装置
    包括像素坐标图案的图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202411662309.7
    公开了一种包括像素坐标图案的图像感测装置，像素坐标图案表示单位像素的坐标值。图像感测装置包括：基板，该基板被配置成包括光电转换元件；多条导电线，该多条导电线设置在基板的第一表面上方；以及多个像素坐标图案，该多个像素坐标图案设置在导电线之间以...
    2025-09-14
  • 透气膜、透气构件和发光器件
    透气膜、透气构件和发光器件_日东电工株式会社_202480005416.4
    所提供的透气膜具有厚度方向的透气性，实施了着色，并且具有第一主面和位于第一主面的相反侧的第二主面。第二主面显示出比第一主面大的明度。第一主面与第二主面之间的明度之差的绝对值为1.5以上且76以下。第二主面的明度为20以上且95以下。从第一主...
    2025-09-14
  • 芍药苷在制备治疗纳米氧化锌诱导的肾损伤药物中的应用
    芍药苷在制备治疗纳米氧化锌诱导的肾损伤药物中的应用_天津农学院_202411651798.6
    本发明公开了芍药苷作为SIRT1激动剂及其应用；试验结果证明：芍药苷能够与SIRT1在激动剂位点稳定结合从而促进去乙酰化酶SIRT1活性。本发明所述的去乙酰化酶SIRT1激动剂在分子水平上对SIRT1与p53底物的去乙酰化反应有良好的激活作...
    2025-09-14
  • 一种基于PLC的自动恒压供水控制系统
    一种基于PLC的自动恒压供水控制系统_睿路纬峻(烟台)信息科技有限公司_202411650692.4
    本发明公开了一种基于PLC的自动恒压供水控制系统，属于工业自动化领域的控制系统。其主要包括：电动机、变频器、PLC控制器、软起动器、电机保护器数据采集及其辅助设备组成。该系统可根据管网瞬间压力变化，自动调节某台水泵的转速和多台水泵的投入及退...
    2025-09-14
  • 一种气相分子吸收光谱分析的S形平台峰面积测量方法
    一种气相分子吸收光谱分析的S形平台峰面积测量方法_上海安杰智创科技股份有限公司_202411651319.0
    本发明公开了一种气相分子吸收光谱分析的S形平台峰面积测量方法，本发明涉及光谱分析技术领域,通过预热仪器、配制载流液、精确控制载气流速和泵速等步骤，确保了测量的稳定性和准确性；使用标准曲线进行校准，进一步提高了测量的精度；全程由全自动化气相分...
    2025-09-14
  • 图形处理器线程中期抢占
    图形处理器线程中期抢占_英特尔公司_202411652005.2
    本公开的发明名称是“图形处理器线程中期抢占”。提供了在图形处理器中能够实现线程中期(指令级)抢占而不要求由与图形处理器相关联的图形驱动器进行软件干预的技术。使用图形处理器的线程调遣硬件来触发图形处理器对内核程序的执行，从而促进基于硬件的线程...
    2025-09-14
  • 针状焦及其制备方法和应用
    针状焦及其制备方法和应用_中国石油天然气股份有限公司_202411647336.7
    本发明涉及针状焦生产领域，公开了一种针状焦及其制备方法和应用，本发明的针状焦的强度为25％‑34％；针状焦的热膨胀系数为0.8×10‑6/℃‑1.2×10‑6/℃；针状焦的显微结构中：镶嵌结构的含...
    2025-09-14
  • 针状焦及其制备方法
    针状焦及其制备方法_中国石油天然气股份有限公司_202411647338.6
    本发明涉及针状焦领域，公开了一种针状焦及其制备方法，该针状焦含有补强剂，补强剂镶嵌在针状焦的针形结构之间，针状焦的强度为24％‑28％，热膨胀系数为0.9×10‑6/℃‑1.1×10‑6/℃，电导...
    2025-09-14
  • 长丝异常检测装置及异常检测程序
    长丝异常检测装置及异常检测程序_日本TMT机械株式会社_202411645029.5
    本发明提供一种用于检测长丝相对于引导件的丝道异常的技术。长丝异常检测装置针对牵引从纺丝装置纺出的多根长丝的纺丝牵引装置检测异常。纺丝牵引装置具备引导件，该引导件用于将从上游侧向下游侧输送的多根长丝以相互靠近的方式进行引导。长丝异常检测装置具...
    2025-09-14
  • 用于具有其中第一节段连接到两个第二节段的绕组的电感器的结构和方法
    用于具有其中第一节段连接到两个第二节段的绕组的电感器的结构和方法_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202411640537.4
    本公开提供了一种用于具有其中第一节段连接到两个第二节段的绕组的电感器的结构和方法。根据本公开的电感器包括围绕磁芯串联地耦合在一起的多个绕组。多个绕组中的至少一个绕组包括位于第一布线层中并在磁芯的宽度上延伸的第一节段。第二节段位于第二布线层内...
    2025-09-14
  • 硅控整流器
    硅控整流器_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202411641355.9
    本公开涉及半导体结构，更具体地涉及器件触发的硅控整流器(SCR)和制造方法。该结构包括：第一器件，其包括位于第二导电类型的第一阱内的第一导电类型的第一浅扩散区以及位于第二导电类型的第一阱内的第一导电类型的第二浅扩散区。
    2025-09-14
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