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  • 本申请公开了一种拍摄参数调整方法、装置及电子设备,属于摄像技术领域。该方法包括:在电子设备的移动速度由第一移动速度变化为第二移动速度的情况下,基于第二移动速度,调整拍摄曝光时间;基于第二移动速度或调整后的拍摄曝光时间,调整电子设备的闪光灯的...
  • 本公开涉及一种紫边矫正方法、装置、设备及计算机可读存储介质。本公开通过多阈值检测与校正,联合边缘梯度、亮度以及色差的联合判定,避免单一维度的误判,提高紫边检测的准确性,并利用多维度矫正系数共同确定紫边矫正系数进行紫边矫正,且无需依赖昂贵的镀...
  • 本发明属于助听设备技术领域,公开了一种助听装置,包括外壳、支撑结构、电池组件及主板组件。外壳包括连接的第一壳体和第二壳体,第一壳体与第二壳体相互连接并形成一容置腔;支撑结构设于容置腔内,支撑结构设有半槽;电池组件的至少部分位于半槽;主板组件...
  • 本申请提供停车场的车辆定位方法、装置、系统、电子设备及介质,其中,停车场的车辆定位方法包括:获取至少一个5G基站采集的目标车辆的第一测距信号和至少一个超宽带锚点采集的目标车辆的第二测距信号;基于第一测距信号和第二测距信号,确定目标车辆的行驶...
  • 本发明公开了一种通信应急迂回路由切换方法、系统及电子设备,该方法包括:获取当前通信路径的各项通信网络状态数据,将通信网络状态数据划分为第一层级数据、第二层级数据和第三层级数据;针对每个层级对应的层级数据,确定层级数据对应的加权总值,并基于加...
  • 本申请实施例提供一种网络切换的信息确定方法、装置及终端设备。该方法包括:当确定进行网络切换时,获取配置信息,所述配置信息包括指示字段;若所述指示字段用于指示所述网络切换为连续条件切换CHO或连续主辅助小区条件切换CPC,则获取所述网络切换的...
  • 本发明提供了一种用于直放站的5G TDD同步方法、装置,其实现成本低、精度高,且同步保持时间长,包括:通过计数器记录输入射频信号中的高、低电平时长,找出帧头位置;找到帧头后,当找到帧头位置的计数器每次从帧头位置计数满一个半帧的周期长度时,输...
  • 本申请实施例公开了一种通信干扰控制方法、通信系统及设备,应用于通信系统,通信系统包括多个互联的通信模组,通信系统从多个互联的通信模组中确定一个主控模组;非主控模组向主控模组发送工作信息,该工作信息包括非主控模组当前所使用的通信技术和工作频率...
  • 本申请公开了一种电子设备的连接方法、装置、电子设备及可读存储介质,属于通信技术领域。该方法包括:通过第一电子设备的第一应用程序,以及第二电子设备的第二应用程序,建立第一电子设备与第二电子设备之间的第一连接;该第二电子设备与第一电子设备对应不...
  • 本发明实施例涉及PCB制作技术领域,具体涉及线路板大铜块PAD制作方法及装置,本方法在对所述PCB基板进行负片蚀刻处理制作第一PAD区域时根据侧蚀量对所述第一PAD区域进行第一次蚀刻补偿;对所述PCB基板进行正片电镀蚀刻处理时根据底铜厚度和...
  • 本发明涉及传感器技术领域,具体涉及一种抗电磁干扰的高精度霍尔传感器,包括安装板,安装板一端与传感器本体可拆式连接,还包括壳体、架体、一对盖板、除湿组件、降温组件和切换组件,架体可竖直滑动的安装于壳体上,安装板顶部与架体底部固定连接,本发明为...
  • 本发明公开了一种利用热通道的数据中心冷却控制方法及相关装置,涉及数据处理技术领域,所述方法包括:构建数据中心的数字孪生模型以分析数据中心的产热量;基于数字孪生模型确定数据中心的气流组织模拟数据以进行气流组织影响分析;基于气流组织影响分析数据...
  • 本发明涉及半导体领域,公开了一种mosfet用智能复合终端结构,包括若干个近源沟槽以及间距为D的若干个终端沟槽,至少一个近源沟槽的一侧配置p型阱区,p型阱区至少一个肩部形成N型重掺杂源极;终端沟槽内形成多晶硅层,多晶硅层具有弧形界面,远离近...
  • 本发明涉及半导体领域,尤其是涉及一种低导通电阻与电磁优化的碳化硅MOSFET,本发明在肖特基势垒二极管侧的结型场效应管区设高导区,降低导通电阻,提升电流密度均匀性,肖特基势垒二极管金属与源极金属电极以导流斜面连接,增大接触面积,降低接触电阻...
  • 本申请提出了一种基于二维材料异质结的多功能浮栅晶体管及其制备方法,涉及半导体技术领域,包括:衬底,包括从下至上层叠设置的背栅与栅极介电层;浮栅层,位于栅极介电层远离背栅的表面;隧穿介电层,分别位于浮栅层和栅极介电层远离背栅的表面,隧穿介电层...
  • 本申请适用于显示设备技术领域,提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板,其中,阵列基板包括衬底和多个薄膜晶体管,各薄膜晶体管彼此间隔设于衬底上,薄膜晶体管包括半导体层、底栅层以及顶栅层,半导体层包括层叠设置的下层半导体和上层半导体,下层半导体...
  • 本申请涉及光伏技术领域,提供了一种光伏组件及其制备方法。该光伏组件包括:边框,具有安装槽;阻水材料层,位于安装槽内,阻水材料层的材料包括金属材料和含氟聚合物中至少之一;第一胶黏剂层,位于安装槽内的阻水材料层远离安装槽的内表面的一侧,或者位于...
  • 本公开提供了一种氧化镓探测器及其制备方法,可以应用于高能粒子探测技术领域。该氧化镓探测器包括:衬底;衬底下的欧姆电极;衬底上的氧化镓外延层;氧化镓外延层上的氧化铝绝缘层;氧化铝绝缘层上的肖特基电极。
  • 本申请涉及一种太阳能电池链式加工系统及其单片追溯方法,上料机读取上料花篮的标识信息,根据标识信息生成花篮上料请求发送至管理平台,管理平台用于根据上料机发送的花篮上料请求分配电池硅片的虚拟ID,上料机根据花篮内层数信息将虚拟ID与上料花篮内的...
  • 本发明涉及太阳能电池领域,本发明提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制备方法。该太阳能电池包括基底,基底具有相对的第一表面和第二表面,第二表面的具有凹槽;第一掺杂导电层,位于第一表面上或者凹槽至少一侧的第二表面上;第二掺杂导电层,至少部分位于...
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