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  • 一种基于四工位旋转平台的PDAF测试设备,其特征在于,包括旋转平台及四个测试工位,所述四个测试工位分别为A工位、B工位、C工位和D工位;所述A工位固定安装于旋转平台上,B工位、C工位和D工位分别位于旋转平台外侧的圆周等分位置,各工位配置独立...
  • 本发明公开了一种基于稀疏低秩分解的数字编码超材料前视视频成像方法及系统,主要解决现有技术在动目标的非稀疏观测场景下,存在运动模糊与成像稳定性差的问题。其实现方案为:采集N帧观测场景的回波数据;将每帧回波对应观测场景的散射系数向量分解为对应观...
  • 本发明属于流媒体管理技术领域,本发明公开了基于多模态数据融合的直播流量动态调度系统及方法;其中,系统包括:信息获取模块,用于确定机构下的多个直播间,对于每个直播间:获取直播间的特征信息以形成对应直播间的多边形特征图,所述特征信息包括关联信息...
  • 本申请提供了一种特效视频生成方法、装置及终端设备,适用于图像处理技术领域,该方法包括:根据人员视频信息以及预设的人员指定动作检测模型,得到人员指定动作持续时间;当人员指定动作持续时间大于预设的人员动作持续时间阈值时,则生成人员指定动作检测信...
  • 本发明公开了一种机坪停机位的全景监控系统及方法,包括:依次连接的视频监控主机、视频处理单元、监控显示模块;所述视频监控主机,用于对机坪区域进行全程监控,获取监控视频;所述视频处理单元,用于基于所述监控视频,对所述监控视频进行拼接融合,得到全...
  • 本发明提出了一种智能短信发送方法及系统,属于通信技术领域。方法包括:从配置数据库中获取各个短信供应商配置信息,包括初始权重配比、供应商启用状态、可用通道数;根据所述配置信息,筛选出可用供应商;根据短信业务类型,对各个可用供应商的权重配比进行...
  • 本发明提供一种基于5G通信与边缘设备的急救方法及系统,该方法包括:基于边缘设备确定与5G基站的通信协议目标适配协议;基于边缘设备根据目标适配协议获取多模态数据,并对多模态数据进行优先级分类,得到优先级分类结果;对边缘设备的5G网络资源进行评...
  • 本发明公开了一种基于能效感知的移动通信负载协同调度系统及方法,属于移动通信技术领域,通过基站内部的多源传感器网络,实时采集基站内部各功能模块的能耗数据以及外部网络环境参数,生成动态能效图谱;基于历史能效数据与实时负载特征,构建能效构建预测模...
  • 本发明实施例提供了一种网络切换参数自动配置方法及系统,其中,该方法包括:接收融合终端上报的位置信息和终端类型;调取数据库中所述位置信息和所述终端类型对应的切换参数;其中,所述切换参数至少包括以下之一:无线网络的信号门限、切换灵敏度、切换时长...
  • 本发明公开了一种基于MCS档位信息的时隙表动态更新方法,涉及无线通信领域技术领域,包括:S1.基于跳频模式初始化自组网节点信息;S2.发送节点基于节点信息通过信道发送MCS档位信息;S3.接收节点根据发送节点的MCS档位信息动态更新时隙表;...
  • 本发明涉及一种5G通讯天线电磁兼容性能强化方法、装置及设备,属于无线通信网络技术领域,方法包括:通过分布式传感器网络实时采集频段‑空间电磁强度数据,结合基站波束参数与极化信息构建三维映射模型;基于模型筛选干扰频段坐标,利用极化失配度计算相位...
  • 本申请公开了含微通道散热结构的柔性电路板,具体涉及半导体光源装置的技术领域,包括挠性基材层,挠性基材层内部开设有避让槽,避让槽内安装设置有微热管道,微热管道一端设置有第一连接管道,微热管道另一端与微型电子泵输入端连接,微型电子泵输出端与第二...
  • 本发明公开了一种实现倒装焊芯片焊点灌封及打磨的装夹装置,涉及芯片灌封技术领域,本发明包括底板,所述底板顶面固定安装有框架,所述底板顶面固定安装有伺服电机,所述伺服电机内部设置有控制模块,所述伺服电机的控制模块控制伺服电机转轴间歇性转动,所述...
  • 本发明提供了一种自动测试用转接机柜,包括柜体,柜体内设有测试模块;柜体上设有开口以及用于开启或闭合开口的柜门,其特征在于,其特征在于,柜体上设有通过转接线与测试模块电连接的统型连接器。本发明通过将统型连接器设置在柜门上,柜门可打开至不同角度...
  • 本发明公开了一种多环网数据中心风液同源氟制冷系统,属于数据中心制冷系统技术领域,包括复合室外冷源侧、室内风冷末端侧、室内液冷末端侧和多温区串并联复合环网;多温区串并联复合环网包括低温风冷环网、中温液冷环网、高温回液环网;复合室外冷源侧包括三...
  • 本发明公开了一种针柱状氧化锌包覆改性的YCo合金吸波材料及其制备方法,该材料具有核壳结构,所述核壳结构包括针柱状ZnO包覆层和内部的YCo合金,且针柱状ZnO包覆层和内部的YCo合金之间存在异质界面。本发明通过非均相沉淀法和热处理对YCo合...
  • 本申请涉及半导体领域,公开了一种半导体器件及其制作方法、电子设备,方法包括:刻蚀部分栅极,以在栅极的上方形成凹槽;采用气相沉积工艺在凹槽的底部沉积第一金属层以及在凹槽的侧壁沉积第二金属层,其中,第一金属层的厚度大于第二金属层的厚度,第一金属...
  • 本发明公开了一种环栅堆叠纳米片沟道的源漏双掺杂互补场效应晶体管,包括被栅极四面包裹的三层纳米片沟道,设于纳米片沟道两端具有双重掺杂的源端和漏端,设于纳米片沟道左右两侧对称分布的边墙,与边墙接触、四面包裹沟道的栅极氧化物,四面包裹栅极氧化物的...
  • 本发明公开了一种钝化接触电池结构及其制备方法,该结构包括硅基底,在硅基底的背面包括金属接触区域和非金属接触区域;硅基底背面的金属接触区域为绒面结构,该绒面结构由内向外依次层叠设置有背面第一隧穿氧化层、背面第一掺杂多晶硅层、背面第二隧穿氧化层...
  • 本发明属于电气元件技术领域,涉及一种光伏玻璃的排版装置及其工作方法,包括:承载机构承载光伏玻璃,此时光伏玻璃上的接线部朝上;打孔机构设置在承载机构上方,打孔机构下降穿过光伏玻璃的接线部后在光伏玻璃的胶膜上打孔;其中,打孔机构包括:外套筒竖直...
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