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最新专利技术
  • 一种电镀槽自动补液装置及控制方法
    一种电镀槽自动补液装置及控制方法_杭州泛亚卫浴股份有限公司_202510790646.2
    本发明公开了一种电镀槽自动补液装置及控制方法， 属于电镀技术领域， 包括电镀槽筒， 还包括补液机构、辅助机构， 通过在电镀槽筒设置的辅助机构， 不仅能够有效抵御腐蚀性气体和液体的侵蚀， 还能有效阻挡杂质进入传感器内部， 避免杂质干扰传感器的...
    2026-01-03
  • 一种锂离子电池的钢壳清洗方法
    一种锂离子电池的钢壳清洗方法_郑州比克电池有限公司_202511070067.7
    本发明涉及锂离子电池， 具体涉及一种锂离子电池的钢壳清洗方法， 将钢壳和导电板浸入电解液中分别作为阴极和阳极， 施加高频脉冲电压， 电解液触发介电阻挡放电， 生成高密度等离子体气泡群， 利用等离子气泡溃灭瞬间产生的局部高压冲击波物理剥离钢壳...
    2026-01-03
  • 一种不锈钢镶嵌试样的阳极双端供电电解腐蚀方法
    一种不锈钢镶嵌试样的阳极双端供电电解腐蚀方法_广西钢铁集团有限公司_202510914113.0
    本发明实施例提供一种不锈钢镶嵌试样的阳极双端供电电解腐蚀方法， 包括：将带有平面的两件钢样和一件块状观察样置于平面玻璃板上；将两件钢样分别焊接在观察样的两侧， 将两件钢样与观察样的侧面建立导电连接；对建立导电连接后的两件钢样和观察样进行镶嵌...
    2026-01-03
  • 一种不锈钢镶嵌试样的阳极单端供电电解腐蚀方法
    一种不锈钢镶嵌试样的阳极单端供电电解腐蚀方法_广西钢铁集团有限公司_202510922889.7
    本发明实施例提供一种不锈钢镶嵌试样的阳极单端供电电解腐蚀方法， 包括：将带有平面的一件钢样和一件块状观察样置于平面玻璃板上；将所述钢样和所述观察样的侧面建立导电连接；对建立导电连接后的所述钢样和所述观察样进行镶嵌， 并将所述平面玻璃板取下，...
    2026-01-03
  • 带钢电解清洗槽
    带钢电解清洗槽_中冶京诚工程技术有限公司_202510859576.1
    本发明公开了一种带钢电解清洗槽， 其涉及电解清洗领域， 所述带钢电解清洗槽包括：主槽体；至少一组电极板组， 所述电极板组设置在所述主槽体内部， 所述电极板组包括相对设置的第一电极板和第二电极板， 所述第一电极板和所述第二电极板之间用于通过待...
    2026-01-03
  • 阴极杆辅助安装机构
    阴极杆辅助安装机构_深圳先进光源研究院_202510950521.1
    本申请公开了一种阴极杆辅助安装机构， 用于辅助电化学抛光装置中的阴极杆水平插入超导射频腔， 涉及超导射频腔技术领域。阴极杆辅助安装机构的阴极杆对接模组包括第一导轨、阴极杆固定组件和支撑组件；阴极杆辅助安装机构的硬质导杆对接模组包括第二导轨、...
    2026-01-03
  • 一种全自动不锈钢管道内表面电解抛光设备
    一种全自动不锈钢管道内表面电解抛光设备_泰州核纯管业科技有限公司_202510977051.8
    本发明属于不锈钢电解抛光技术领域， 具体的说是一种全自动不锈钢管道内表面电解抛光设备, 包括处理箱， 所述处理箱内部依次开设有电解池和清洗池；所述处理箱中部固接有一对支撑板；所述支撑板侧壁固接有伺服电机；所述伺服电机输出端固接有圆杆；通过使...
    2026-01-03
  • 一种半导体级EP管道电解抛光加工装置
    一种半导体级EP管道电解抛光加工装置_泰州核纯管业科技有限公司_202510978043.5
    本发明属于钢管电解处理领域， 具体的说是一种半导体级EP管道电解抛光加工装置， 包括槽体和仓体， 所述仓体固接在槽体的顶部；所述槽体的内部开设有电解槽和清洗槽， 所述仓体的内部设有支架， 所述支架的底部滑动连接有移动架， 所述支架的侧面固接...
    2026-01-03
  • 一种立方相HgSe晶体的固相制备方法
    一种立方相HgSe晶体的固相制备方法_云南大学_202510945483.0
    本发明公开一种立方相HgSe晶体的固相制备方法， 属于无机材料制备领域。所述立方相HgSe晶体的固相制备方法为：将硫化汞和硒粉混合研磨均匀后压片放入石英管中， 然后借助高真空扩散泵机组将石英管抽真空， 使用氢氧焰将石英管密封；将石英管放入高...
    2026-01-03
  • 一种外延生长100平方厘米级垂直排列介孔单晶二氧化钛薄膜及其制备方法
    一种外延生长100平方厘米级垂直排列介孔单晶二氧化钛薄膜及其制备方法_内蒙古大学_202511153182.0
    本发明公开了一种外延生长100平方厘米级垂直排列介孔单晶二氧化钛薄膜及其制备方法， 涉及功能介孔材料制备领域。本发明旨在解决原子尺度单晶生长与介观尺度自组装的动力学不兼容问题。其方法是：采用一种基于溶液体系的外延生长策略， 利用预先形成的稳...
    2026-01-03
  • 一种利用熔盐法制备二氧化铀单晶的方法及得到的二氧化铀单晶
    一种利用熔盐法制备二氧化铀单晶的方法及得到的二氧化铀单晶_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202510959380.X
    本发明提供一种利用熔盐法制备二氧化铀单晶的方法及得到的二氧化铀单晶， 以解决现有的助熔剂法制备二氧化铀单晶时无法控制不同晶面生长的问题。所述方法为：在还原剂和表面活性物质存在的条件下， 将U3O8粉末在熔盐中升温至保温温度， 保温， 然后降...
    2026-01-03
  • 材料制备方法、器件制备方法和热电器件
    材料制备方法、器件制备方法和热电器件_南方科技大学_202510718451.7
    本申请公开一种材料制备方法、器件制备方法和热电器件。材料制备方法应用于制备热电腿的材料， 热电腿包括第一热电腿， 第一热电腿的材料包括N型Mg3Bi2晶体， 制备方法包括：称取第一原料装入第一反应容器， 并将第一反应容器放入第一加热装置中，...
    2026-01-03
  • 一种具有特殊磁转变性质的高质量LaCoO3-δ单晶制备方法
    一种具有特殊磁转变性质的高质量LaCoO3-δ单晶制备方法_浙江光电子研究院_202510851240.0
    本发明公开了一种特殊具有磁转变性质的高质量LaCoO3‑δ单晶制备方法， 包括La2O3粉末先进行除水烧结；将预处理的La2O3粉末和Co3O4粉末按照化合反应比置于研钵中， 进行研磨均匀；将粉末倒入定制的不锈钢模具中， 使用1.4T压力进...
    2026-01-03
  • 一种单晶炉、单晶硅棒的制备方法、硅片和太阳能电池
    一种单晶炉、单晶硅棒的制备方法、硅片和太阳能电池_晶科能源股份有限公司_202510998838.2
    本申请涉及一种单晶炉、单晶硅棒的制备方法、硅片和太阳能电池， 单晶炉包括水冷屏， 水冷屏包括外筒体和内筒体， 外筒体设置于内筒体的外周， 内筒体包括本体、交替设置的第一散热体和第二散热体， 第一散热体和第二散热体均沿内筒体的径向相对本体凸起...
    2026-01-03
  • 一种连续加料装置及加料速度控制方法
    一种连续加料装置及加料速度控制方法_包头美科硅能源有限公司_202511065268.8
    本发明涉及硅单晶炉技术领域， 具体涉及一种连续加料装置及加料速度控制方法， 其中加料装置包括竖直安装在单晶炉上并延伸至坩埚上方的进料管， 以及滑动安装在单晶炉一侧设置的机架上的料仓， 料仓底部设置有竖直的出料管， 出料管的输出端与进料管的输...
    2026-01-03
  • 一种碳化硅晶体及其生长装置与生长方法
    一种碳化硅晶体及其生长装置与生长方法_江苏超芯星半导体有限公司_202510921526.1
    本发明属于半导体材料制备技术领域， 本发明提供了一种碳化硅晶体及其生长装置与生长方法， 所述生长装置设置有主副坩埚；其中， 所述主坩埚的内部包括碳化硅原料区及第一气相传输区， 用于碳化硅的晶体生长反应；所述副坩埚的内部包括硅补充原料区及第二...
    2026-01-03
  • 一种碳化硅晶体生长设备
    一种碳化硅晶体生长设备_江苏兑尚半导体科技有限公司_202510924093.5
    本发明涉及碳化硅晶体加工技术领域， 更具体的公开了一种碳化硅晶体生长设备， 包括定位底座， 所述定位底座的顶部固定连接有加热炉体， 所述加热炉体的顶部安装有顶部密封盖， 所述定位底座的顶部安装有石墨坩埚组件；本发明将需要进加工的碳化硅原料放...
    2026-01-03
  • 一种分子束外延系统的钼托组件
    一种分子束外延系统的钼托组件_中国电子科技集团公司第十一研究所_202510793323.9
    本申请公开了一种分子束外延系统的钼托组件， 涉及半导体技术， 包括：钼托本体， 材料为钼， 呈环状结构， 所述钼托本体内环设置有台面结构， 所属钼托结构底部配有氮化硼(PBN)环状结构， 所述钼托本体内环的台面结构的规格与晶圆结构的规格相适...
    2026-01-03
  • 一种寄生碳化硅的去除方法
    一种寄生碳化硅的去除方法_蓝河科技(绍兴)有限公司_202511203858.2
    本发明提供了一种寄生碳化硅的去除方法， 包括采用甲硅烷和含氢气和氟化氢气体的无氧清洁气体， 保持清洁腔室内的清洁温度不低于1300摄氏度， 清洁压力不低于100mbar下去除寄生碳化硅， 有利于提升清洁速率。利用氢气对氟化氢气体起到稀释作用...
    2026-01-03
  • 半导体工艺腔室及半导体设备
    半导体工艺腔室及半导体设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410382838.5
    本发明公开一种半导体工艺腔室及半导体设备， 所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体和设置于腔室本体内的基座、预热环和环形内衬， 腔室本体通过基座分为第一腔室和第二腔室；环形内衬环绕基座设置， 且与基座之间形成环形间隙；预热环与环形内衬连接， 且...
    2026-01-03
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