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  • 本申请实施例提供一种多波长掺钕脉冲激光器实验装置及其控制设备和控制方法, 涉及脉冲激光器技术领域。该实验装置包括:半导体泵浦源与镀膜光纤输入镜连接;镀膜光纤输入镜、掺钕增益光纤、偏振控制器、调Q器件和镀膜光纤输出镜依次连接;控制系统与半导体...
  • 本发明涉及全固态激光技术领域, 提出了一种1微米波段直接泵浦光参量中红外激光装置及其调控方法, 该装置包括基频光源、整形透镜模块、脉冲调制模块、同步泵浦谐振腔, 腔内有相位匹配的增益介质。泵浦激光注入增益介质产生中红外激光并通过输出镜输出。...
  • 本发明提供高重复频率深紫外脉冲激光器及其设计方法, 所述激光器包括光纤种子源、多级固体放大器、第二声光调制器、第一倍频系统、预补偿系统、第二倍频系统、输出稳定调节系统。所述第二倍频系统中包含有第一BBO晶体、第二BBO晶体。预补偿系统包含在...
  • 本发明提供一种基于脉冲波形监测的激光器反馈调节方法及系统, 该系统包括:内置于激光器内部的分束器和探测器, 分束器将激光器输出的激光分为主输出光束和监测光束, 探测器对监测光束进行光电转换得到监测电信号;比较器的正向端接入监测电信号, 负向...
  • 本发明属于激光控制技术领域, 具体涉及一种基于ARM和FPGA的激光自动稳频系统及方法。为提高激光频率的稳定性, 本发明基于ARM和FPGA的协同工作, 在FPGA内部生成控制激光器输出频率的扫描电压, 进行激光器输出频率的多峰值检测并运行...
  • 本发明公开了一种高精度RGB边发射激光器灯组模块, 涉及光电子封装技术领域, 包括铜基板, 所述铜基板的顶部固定连接有芯片托架, 所述芯片托架的顶部固定连接有若干个T台型硅棱镜, 所述芯片托架的顶部固定连接有边发射激光芯片组件, 所述铜基板...
  • 本公开提供一种光电封装结构。所述结构包括:第一基板、电集成芯片和第一光集成芯片, 电集成芯片位于第一基板的一侧表面。第一光集成芯片内包括多个矩阵分布的垂直腔面发射激光器, 多个第一光集成芯片周向包围电集成芯片, 垂直腔面发射激光器包括位于衬...
  • 本发明公开了一种激光气体传感器的低功耗控制方法, 该激光气体传感器包括:激光气体传感器, 所述激光气体传感器包括:测温模块、热电制冷器、环境参数检测模块、微处理器系统和供电模块;所述热电制冷器用于控制激光器内部的分布式反馈光栅的温度;所述环...
  • 本发明涉及电极保护层技术领域, 具体地说, 涉及抗老化激光芯片电极保护层工艺, 其包括以下步骤:采用1号标准清洗液和2号标准清洗液对激光芯片晶圆表面进行预清洗, 随后使用超纯水冲洗并在氮气气流下干燥;利用电子束蒸发系统在晶圆表面依次沉积金属...
  • 本发明属于激光器领域, 尤其涉及一种双波长复合共振的光泵浦有机激光器及其制备方法, 激光器包括自下而上依次设置的底部布拉格反射器、光栅层、有源层、介质补偿层和顶部布拉格反射器, 所述底部布拉格反射器、光栅层、有源层、介质补偿层和顶部布拉格反...
  • 本申请涉及一种驱动电路和驱动系统。该驱动电路包括:控制电路、保护电路和调节电路, 控制电路包括控制器、发光器件和采样电阻;保护电路, 用于根据采样电阻的采样信号和预设阈值信号, 向调节电路输出控制信号;调节电路, 用于基于控制信号, 向控制...
  • 本申请提供一种宽脊单模半导体激光器及其制作方法, 所述激光器包括依次堆叠N电极、基底层、外延结构以及P电极, 所述外延结构内设置有光栅层, 所述光栅层靠近中心部分刻蚀有光栅, 以所述光栅所在区域为中心对所述外延结构进行部分刻蚀, 得到脊型结...
  • 本发明公开了一种量子自注入锁定激光器及其实现方法, 属于激光技术领域。本发明为解决传统DBR激光器易受干扰、线宽较宽、频率漂移严重且无法自动对应原子谱线的问题, 主要采用基于法拉第原子滤光器的自注入锁定机制。本滤光器利用碱金属原子D1或D2...
  • 本发明提供一种集成量子点阵列的可调谐激光芯片及制备方法, 涉及激光芯片技术领域, 该芯片包括衬底和生长于其上的半导体叠层结构, 半导体叠层结构在横向上包含位于中央的核心发光通道以及与其一体化形成的梯度带隙缓冲保护层, 该保护层通过低温选择性...
  • 本申请涉及光电子技术领域, 更具体地, 涉及一种基于电子阻挡层优化的半导体光放大器结构。通过调整铝组分大小来调节导带势垒高度, 从而增强电子势垒的阻挡效应, 减少载流子的横向扩散与隧穿损失, 提高量子阱区域的载流子复合效率, 在特定铝组分下...
  • 本发明公开了一种新型电吸收调制激光器的制备方法及结构, 其中方法包括:将衬底对称划分为双端调制区、增益区、光栅区及相位区, 在增益区表面制作第一掩膜图形, 通过选区外延技术在掩膜间隙生长含量子阱结构的有源层, 实现增益区禁带红移;随后制作覆...
  • 本发明公开了一种可调谐激光器的制备方法及结构, 其方法包括:对衬底进行表面布局, 依次划分前增益区、前相区、共用光栅区、后相区和后增益区;生长有源层, 在增益区制作对接掩膜图形, 刻蚀去掉共用光栅区和相区的有源层并对接生长无源层, 去除掩膜...
  • 本发明公开了一种负氧离子装置, 包括装设在上部的发生装置和装设在下部的水箱, 所述发生装置上设有进气口, 所述进气口与压缩机相连接, 向发生装置内部输入压缩空气;所述发生装置内部装设有冲击部件, 所述冲击部件一侧通过连接管与进气口连接, 连...
  • 本发明涉及配电柜辅助器械技术领域, 且公开了配电盘配制支架, 配电盘配制支架, 包括框架一和框架二:所述框架一和框架二的结构特征一致, 所述框架一和框架二的内部中部位置均设置有定位梁, 所述框架一和框架二上设置的定位梁上设置有角度调节机构。...
  • 本发明涉及电力柜技术领域, 且公开了一种用于公共安全具有线缆排列结构的电力柜, 包括柜体, 所述柜体的左侧内壁转动连接有柜门, 所述柜门的前部固定连接有抵押块, 所述柜体的内壁固定连接有安装架, 所述安装架的外表面安装有电子元件, 所述柜体...
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