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最新专利技术
  • 一种厚金属湿法刻蚀工艺改善方法
    一种厚金属湿法刻蚀工艺改善方法_广州市艾佛光通科技有限公司_202511298372.1
    本发明提供了一种厚金属湿法刻蚀工艺改善方法， 涉及湿法刻蚀技术领域。该方法包括步骤：对覆盖光刻胶膜层后的待刻蚀金属膜层进行一次湿法刻蚀， 并持续监测被刻蚀部位侧壁的腐蚀宽度；当腐蚀宽度大于预设值时， 终止本次湿法刻蚀；对完成本次湿法刻蚀后的...
    2025-11-30
  • 一种Mg掺杂GaN材料及其制备方法和应用
    一种Mg掺杂GaN材料及其制备方法和应用_西南交通大学_202510693298.7
    本发明公开了一种Mg掺杂GaN材料及其制备方法和应用， 属于GaN材料技术领域， 其制备方法包括：在衬底上生长Mg掺杂GaN层， 制得基体材料；于N2或N2/O2混合气氛条件下， 将基体材料进行退火处理， 退火的同时对基体材料施加交变电场；...
    2025-11-30
  • 一种功率模块的封装方法及其固定装置
    一种功率模块的封装方法及其固定装置_采埃孚股份公司_202410424163.6
    本发明涉及一种功率模块的封装方法及其固定装置。该封装方法包括S1， 将可拆卸的固定装置装配到散热器上， 在固定装置上设有安装孔， 在散热器的表面设有凸块， 安装孔和凸块上下对应配合， 形成与功率模块适配的放置槽；S2， 将功率模块置入放置槽...
    2025-11-30
  • 电子装置以及其制造方法
    电子装置以及其制造方法_群创光电股份有限公司_202411316045.X
    本发明提供一种电子装置的制造方法， 包含以下步骤：提供基板；形成电路结构于基板上；形成孔洞于基板；形成导电组件于孔洞中；将芯片接合于电路结构上；以及实行第一切割步骤以切割电路结构与基板的一部分， 且于基板中形成凹槽。本发明亦提供一种由前述方...
    2025-11-30
  • 一种用于纯银凸块的化学镀防腐工艺
    一种用于纯银凸块的化学镀防腐工艺_晶度半导体科技(安徽)有限公司_202510801537.6
    本发明公开了一种用于纯银凸块的化学镀金防腐工艺， 包括如下步骤：在基底上电镀形成纯银凸块；对所述纯银凸块依次进行去胶、种子金层刻蚀和种子钛钨层刻蚀处理；对经处理的纯银凸块进行化学镀处理步骤， 所述化学镀处理步骤包括：在所述纯银凸块表面按预设...
    2025-11-30
  • 一种预植铜柱基板的巨量转移方法
    一种预植铜柱基板的巨量转移方法_日月新半导体(苏州)有限公司_202510873591.1
    本发明公开了一种预植铜柱基板的巨量转移方法， 包括制备预植板， 所述预植板包括在不锈钢板上设置离型剂， 在离型剂上方形成多组铜柱；通过在不锈钢板上涂抹离型剂制成预植板， 并采用干膜电镀工艺形成多组铜柱， 可精确控制铜柱的位置、高度及排列密度...
    2025-11-30
  • 防止产生气泡的加热固晶方法
    防止产生气泡的加热固晶方法_梭特科技股份有限公司_202410400077.1
    本发明提供一种防止产生气泡的加热固晶方法， 包括下列步骤：将液体分布在基板上；晶粒在液体中固定在基板上；对晶粒加热， 使得液体蒸发成水蒸气；对晶粒加热加压；以及停止对晶粒加热加压， 使得晶粒逐渐冷却并且固定在基板上。借此， 液体会附着在基板...
    2025-11-30
  • 一种微柱金刚石基GaN器件及其制备方法
    一种微柱金刚石基GaN器件及其制备方法_钱塘科技创新中心_202410406330.4
    本申请涉及一种微柱金刚石基GaN器件及其制备方法。制备方法包括：提供集成衬底， 集成衬底包括依次设置的保护层、纳米烧结金属层、钝化层、氮化镓层和衬底层， 保护层的厚度大于衬底层的厚度；在衬底层表面形成微孔通道；在微孔通道内及衬底层的背向氮化...
    2025-11-30
  • 一种扇出型封装结构及制作方法
    一种扇出型封装结构及制作方法_日月新先进技术研究(昆山)有限公司_202510902610.9
    本发明公开了一种扇出型封装结构及制作方法， 步骤一：所述对作业产品第一面进行线路层一制作， 通过旋转涂布的方式涂布PI‑1层， 再进行曝光显影并固化， 在所述PI‑1层上制作开孔， 所述开孔包括开孔A和开孔B， 通过溅射工艺在所述PI‑1层...
    2025-11-30
  • 基板处理方法及半导体装置
    基板处理方法及半导体装置_武汉新芯集成电路股份有限公司_202510947451.4
    本发明涉及一种基板处理方法及一种半导体装置。所述基板处理方法中， 对于被钝化层暴露的金属连接垫的测试区， 进行第一平坦化处理使测试区的金属凸起不高于钝化层对应暴露测试区的开口处的表面， 之后形成补偿介质层以补偿钝化层表面的高度差并填充钝化层...
    2025-11-30
  • 晶圆结构及其形成方法
    晶圆结构及其形成方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202510948499.7
    本发明涉及一种晶圆结构及其形成方法。所述形成方法中， 用于键合的晶圆上形成有识别标记， 方便在键合工艺流程中识别追踪晶圆， 并且， 在所述边缘区形成覆盖所述识别标记的第一介质层并进行第一平坦化处理， 降低了所述识别标记产生的高度落差， 使得...
    2025-11-30
  • 半导体管芯封装和形成其的方法
    半导体管芯封装和形成其的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510657908.8
    提供了一种半导体管芯封装和形成其的方法。从半导体管芯封装中的半导体管芯的装置层的背侧表面省略高介电常数(高k)钝化层。代替地， 硬掩模层直接形成在装置层的背侧表面上， 以及图案化硬掩模层并用于形成通过装置层的一个或多个延伸导电结构(例如， ...
    2025-11-30
  • 一种双向对接的植球机
    一种双向对接的植球机_讯科半导体(苏州)有限公司_202510883506.X
    本发明公开了一种双向对接的植球机， 包括机架本体， 第一移载机构， 第二移载机构， 定位机构， 第三移载机构， 第四移载机构， 助焊剂上料组件， 植球组件， 检测组件和第五移载机构， 机架本体的两侧分别开设有第一对接口和第二对接口， 第一对...
    2025-11-30
  • 芯片封装方法及芯片封装体
    芯片封装方法及芯片封装体_华宇华源电子科技(深圳)有限公司_202511041892.4
    本发明公开了一种芯片封装方法及芯片封装体， 芯片封装方法包括：S1、在载体上设置第一焊盘以及第一绝缘层；S2、在第一绝缘层上设置第二焊盘；S3、贴装芯片；S4、设置塑封体， 芯片以及第二焊盘被包裹在塑封体中；S5、设置线路层， 线路层导电连...
    2025-11-30
  • 半导体晶圆及测量半导体晶圆的方法
    半导体晶圆及测量半导体晶圆的方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410383758.1
    一种测量半导体晶圆的方法包括形成多个岛状金属块于半导体层的背面。岛状金属块分别具有不同面积。岛状金属块的多个中心点沿着轴等间距地排列。方法还包括依序测量岛状金属块中任意相邻两者之间的电流‑电压关系。方法还包括基于电流‑电压关系获取特征接触电...
    2025-11-30
  • 用于监测MOS管结性能的电性测试结构及测试方法
    用于监测MOS管结性能的电性测试结构及测试方法_江苏卓胜微电子股份有限公司_202410393295.7
    本发明提供一种用于监测MOS管结性能的电性测试结构及测试方法， 通过设置测试单元， 且该测试单元结构有着类似于MOS管的结构， 即包括衬底层、阱层、栅极结构、掺杂区及测试焊盘， 但却将掺杂区分为掺杂类型相反的两个区， 即第一及第二导电类型掺...
    2025-11-30
  • 一种具有除尘机构的等比线扫成像显示设备
    一种具有除尘机构的等比线扫成像显示设备_山东交通学院_202410415898.2
    本发明公开了一种具有除尘机构的等比线扫成像显示设备， 其技术方案包括：晶圆生产线和线扫主机， 所述晶圆生产线顶部两侧均安装有支撑座， 两侧所述支撑座靠近顶部通过连接架安装有线扫主机， 两侧所述支撑座间隙通过丝杆安装有滑板， 所述丝杆一端连接...
    2025-11-30
  • 一种形貌参数的确定方法、装置、设备和介质
    一种形貌参数的确定方法、装置、设备和介质_深圳中科飞测科技股份有限公司_202510886122.3
    本申请提供一种形貌参数的确定方法、装置、设备和介质， 确定高深宽比纳米结构对应的参数化模型， 参数化模型用于表示高深宽比纳米结构的形貌参数与高深宽比纳米结构的高度之间的函数关系， 参数化模型包括多个基函数， 以及每个基函数对应的基函数系数；...
    2025-11-30
  • 一种间隔支撑可移动位置式半导体检测装置
    一种间隔支撑可移动位置式半导体检测装置_叁砖科技(南京)有限公司_202510916244.2
    本发明公开了一种间隔支撑可移动位置式半导体检测装置， 涉及半导体检测技术领域。该检测装置， 包括：腔室顶盖；监测窗， 监测窗的顶部为监测边框支撑的一体式石英窗；支撑架体， 通过支撑件间隔支撑于监测窗的顶部之上， 用于可移动的支撑一个以上的探...
    2025-11-30
  • 一种受激辐射的晶圆检测装置
    一种受激辐射的晶圆检测装置_深圳中科飞测科技股份有限公司_202510921026.8
    本申请提供的一种受激辐射的晶圆检测装置， 激发光源产生的激发光束经第一照明镜组进行准直、匀光和形状调制后形成均匀的整形光束， 整形光束经第二照明镜组进行汇聚产生的汇聚光束能够经光束分离元件和物镜后形成出射光束且照射于晶圆的表面以激发产生荧光...
    2025-11-30
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