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最新专利技术
  • 用于制造三维动态随机存取存储器阵列结构的方法
    用于制造三维动态随机存取存储器阵列结构的方法_北京超弦存储器研究院_202510781324.1
    本公开提供了一种用于制造三维DRAM阵列结构的方法。该方法包括：在电路基板上交替堆叠隔离层和叠层，每个叠层包括第一导电层、牺牲层和第二导电层；形成贯穿隔离层和叠层的位线孔，每个位线孔在叠层中的面积大于在隔离层中的面积；在每个位线孔内形成栅介...
    2025-11-24
  • 一种浮栅型闪存存储器及其制作方法
    一种浮栅型闪存存储器及其制作方法_杭州积海半导体有限公司_202511104306.6
    本发明公开了一种浮栅型闪存存储器及其制作方法，属于闪存存储器技术领域，该浮栅型闪存存储器的制作方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底上具有存储单元区和外围逻辑电路区；在外围逻辑电路区上形成光阻，刻蚀完存储单元区氧化物；在存储单元区和带有光阻的外...
    2025-11-24
  • 存储单元结构及存储单元结构的形成方法
    存储单元结构及存储单元结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410592451.2
    一种存储单元结构及存储单元结构的形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；刻蚀所述衬底，形成源线结构以及位线结构，所述位线结构和源线结构之间具有第一开口；在所述第一开口的底部表面以及所述位线结构表面形成浮栅介质层；在所述浮栅介质层上形成浮栅层；...
    2025-11-24
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202410729766.7
    本发明提供了一种半导体装置及其形成方法。此半导体装置包含基板、多个导电单元、与多个气隙。多个导电单元设置于基板上。每个导电单元包含导电结构与一对间隔物结构。导电结构设置于基板上。间隔物结构沿着导电结构的两侧上设置。气隙设置于每个导电单元之间...
    2025-11-24
  • 基于栅极载流子隧穿的mirror SONOS存储器及工艺方法
    基于栅极载流子隧穿的mirror SONOS存储器及工艺方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511054394.3
    本发明公开了一种基于栅极载流子隧穿的mirror SONOS存储器及工艺方法，选择管多晶硅栅的两侧依次从里至外形成有ONO隔离氧化层、ONO存储氮化硅层、ONO氮氧化硅层、ONO隧穿氧化层的复合层，且在所述的选择管多晶硅栅下方与半导体衬底的...
    2025-11-24
  • 一种具备双重记忆特性的人工神经元器件及其制备方法
    一种具备双重记忆特性的人工神经元器件及其制备方法_杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)_202510876546.1
    本发明涉及一种具备双重记忆特性的人工神经元器件及其制备方法。该器件包括衬底及至少两个突触晶体管，每个突触晶体管包括半导体层、栅极、源极、漏极和栅介质层，采用独立沟道的设计，使得器件能够实现不同的记忆特性。器件接收不同模态的电压脉冲信号，通过...
    2025-11-24
  • 一种多态铁电存储器及其操作方法
    一种多态铁电存储器及其操作方法_复旦大学_202510985147.9
    本发明属于铁电存储器件技术领域，具体为一种多态信息存储的铁电存储器及其操作方法。本发明通过构建特定的电极结构，实现铁电材料内部形成不同的电场分布，在不同的电场下翻转不同区域的电畴，进而形成不同倾角/长度/数目的导电畴壁，由于不同的畴壁倾角/...
    2025-11-24
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_联华电子股份有限公司_202410708242.X
    本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括衬底、存储元件以及介电层。所述衬底具有存储元件区以及围绕所述存储元件区的周边区。所述存储元件设置于所述存储元件区中的所述衬底上。所述介电层设置于所述衬底上，并覆盖所述存储元件。位于所述...
    2025-11-24
  • 制造包括存储器电路的电子装置的方法
    制造包括存储器电路的电子装置的方法_意法半导体国际公司_202510614132.1
    本公开涉及制造包括存储器电路的电子装置的方法。一种电子装置包括半导体基板、在半导体基板上并且与半导体基板接触的绝缘层，以及包括多个存储器单元的存储器电路。每个存储器单元包括设置在半导体基板中且在半导体基板上的双极型选择晶体管，每个双极型选择...
    2025-11-24
  • 存储设备、数据处理方法、计算机系统和介质
    存储设备、数据处理方法、计算机系统和介质_北京超弦存储器研究院_202410598420.8
    一种存储设备、数据处理方法、计算机系统和介质，涉及数据存储领域，其中，存储设备包括存储单元、控制芯片和电容管理器，其中，存储单元包括垂直堆叠的多层高带宽内存硅晶粒和垂直堆叠的多层闪存硅晶粒，多层闪存硅晶粒通过3D封装方式堆叠在多层高带宽内存...
    2025-11-24
  • 具有盖和加强件环的多芯片模块
    具有盖和加强件环的多芯片模块_苹果公司_202511103202.3
    本公开涉及具有盖和加强件环的多芯片模块。描述了多芯片模块(MCM)结构。在实施方案中，模块包括位于模块基板的顶侧上的第一部件和第二部件、安装在模块基板的顶侧上的加强件结构和安装在该加强件结构上并且覆盖第一部件和第二部件的盖。该加强件在形成于...
    2025-11-24
  • 一种嵌入式层叠芯片封装结构及其封装方法、集成电路板
    一种嵌入式层叠芯片封装结构及其封装方法、集成电路板_广东长兴半导体科技有限公司_202511435803.4
    为克服现有芯片封装存在散热性能不足的问题的问题，本发明提供了一种嵌入式层叠芯片封装结构及其封装方法、集成电路板，所述嵌入式层叠芯片封装结构包括层叠的多个层板，层板包括芯板本体和第一芯片，芯板本体上开设有安装孔，所述第一芯片嵌入于所述安装孔中...
    2025-11-24
  • 半导体封装结构及其封装方法
    半导体封装结构及其封装方法_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202511461017.1
    本申请公开一种半导体封装结构及其封装方法，涉及半导体技术领域，包括具有多层布线层的衬底以及层叠设置的第一芯片、第二芯片、第三芯片和第四芯片，衬底上开设有凹槽，第一芯片正装在衬底上且位于凹槽内，第二芯片倒装在衬底和第一芯片上，且第二芯片的凸点...
    2025-11-24
  • 三维堆叠的芯片系统、内存访问方法和电子设备
    三维堆叠的芯片系统、内存访问方法和电子设备_芯来智融半导体科技(上海)有限公司_202511476735.6
    本申请实施例提供了一种三维堆叠的芯片系统、内存访问方法和电子设备，芯片系统包括：基板；一个或多个计算芯粒，设置于所述基板上；一个或多个内存芯粒，每个所述内存芯粒通过硅通孔堆叠设置于对应计算芯粒上方，且所述计算芯粒和所述内存芯粒被封装为第一芯...
    2025-11-24
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511453828.7
    本申请实施例中提供一种半导体结构及其形成方法；所述半导体结构，包括：基底，包括电容区；第一介质层，覆盖于所述电容区；电容第一凹槽，位于所述电容区的所述第一介质层中；第一电极层，填充于所述电容第一凹槽内；电容介质层，覆盖于所述第一电极层上；第...
    2025-11-24
  • 一种T型深沟槽结构电容及其制造方法
    一种T型深沟槽结构电容及其制造方法_上海光键半导体设备有限公司_202511479217.X
    本发明公开了一种T型深沟槽结构电容及其制造方法。该电容中四个T型结构旋转组合成一个正方形的最小单元，整体呈中心对称分布，解决了单个T型结构应力不平衡而造成的晶圆翘曲问题。最小单元的边长为4a+3b，根据工艺需求的不同，a、b可灵活变化，但最...
    2025-11-24
  • 一种改善沟槽肖特基漏电均匀性的镍铂硅化物形成的制造方法
    一种改善沟槽肖特基漏电均匀性的镍铂硅化物形成的制造方法_江苏新顺微电子股份有限公司_202510985195.8
    本发明公开了一种改善沟槽肖特基漏电均匀性的镍铂硅化物形成的制造方法，包括如下步骤：步骤一，将溅射镍铂金属的沟槽栅极结构晶圆装入合金炉管的晶舟上；步骤二，将晶舟以较低速度推入恒温的合金炉管中，镍铂金属在移动的过程中开始掺杂在硅基表面；步骤三，...
    2025-11-24
  • 一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图
    一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图_豪威集成电路(集团)股份有限公司_202511112814.9
    本申请提供了一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图，利用肖特基金属与较低掺杂浓度第二多晶硅直接接触形成肖特基二极管。当器件有源区通过电流产生热量，晶格将热量传导至第一沟槽内的肖特基结，使肖特基二极管自身势垒高度发生变化，从而改变其...
    2025-11-24
  • 双向TVS二极管及其制备方法
    双向TVS二极管及其制备方法_上海鑫维半导体有限公司_202511169566.1
    本发明公开了一种双向TVS二极管及其制备方法，所述双向TVS二极管包括第一N型层和第二N型层，及位于第一N型层和第二N型层之间的P型层，所述P型层和第一N型层的界面位置形成有第一耗尽区，所述P型层和第二N型层的界面位置形成有第二耗尽区，所述...
    2025-11-24
  • 一种超低正向、高可靠性沟槽肖特基二极管结构及其制造方法
    一种超低正向、高可靠性沟槽肖特基二极管结构及其制造方法_江苏新顺微电子股份有限公司_202511088046.8
    本发明公开了一种超低正向、高可靠性沟槽肖特基二极管结构及其制造方法。其包括作为基片的第一导电类型浓掺衬底；在浓掺衬底上设置有第一导电类型的轻掺杂外延层；在外延层上开出外分压环及内等边等角六边形沟槽；在沟槽内上形成栅氧，填充多晶硅；在多晶回蚀...
    2025-11-24
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