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最新专利技术
  • 层叠陶瓷电容器
    层叠陶瓷电容器_株式会社村田制作所_202380096398.0
    提供一种能够不增大层叠陶瓷电容器的尺寸地提高电容的层叠陶瓷电容器。层叠陶瓷电容器(1)具有：第1对置部(EA)，具有第1区域(EA1)、第2区域(EA2)、以及在第1区域(EA1)与第2区域(EA2)之间且覆盖率比它们高的第1中央区域(EA...
    2025-11-21
  • 层叠陶瓷电容器
    层叠陶瓷电容器_株式会社村田制作所_202380097310.7
    提供一种能够降低由电压施加时的电致伸缩效应引起的应力集中的层叠陶瓷电容器。一种层叠陶瓷电容器，具有第1引出部(31B)、第1对置部(31A)、第2引出部(32B)、和第2对置部(32A)，第1引出部(31B)具有第1外部电极侧区域(31BB...
    2025-11-21
  • 层叠体、电容器、电路、电路基板、设备及层叠体的制造方法
    层叠体、电容器、电路、电路基板、设备及层叠体的制造方法_松下知识产权经营株式会社_202480025248.5
    本发明涉及一种层叠体，其具备金属钽和包含第一部位和第二部位的电介质，所述第二部位于所述金属钽与所述第一部位之间，所述第一部位包含氧化钽和锡，且位于所述电介质的表面，所述第二部位包含氧化钽，且被所述第一部位覆盖，所述第一部位中的锡的含有率高于...
    2025-11-21
  • 具有大量颗粒的PEDOT分散体
    具有大量颗粒的PEDOT分散体_贺利氏电子化学材料有限公司_202480026169.6
    本发明涉及一种分散体，该分散体包含i)分散剂；ii)分散在该分散剂i)中的至少一种聚噻吩；其中该分散体包含粒度为1.5μm或更大的颗粒，这些颗粒的总数在20, 000/ml至1, 000, 000/ml的范围内；并且其中由该分散体制备的导电...
    2025-11-21
  • 掺入聚合物的电解质化学配制剂
    掺入聚合物的电解质化学配制剂_南8技术公司_202480019453.0
    本发明公开了将聚合物材料添加到液化气体电解质溶液中的方法和材料，用于电化学储能装置如锂离子电池组或相关技术以进一步改进电池组电池的安全性能。示例性装置包括包含液化气体溶剂、盐和聚合物的离子导电电解质。液化气体溶剂在293.15K温度下的蒸气...
    2025-11-21
  • 具有受控放电的隔离开关触头系统
    具有受控放电的隔离开关触头系统_日立能源有限公司_202480021878.5
    本文中的实施方式提供了一种用于电气设备(200)的气体绝缘式隔离开关(300)，其包括具有纵向中心轴线的第一触头(310)和第二触头(320)。第一触头(310)和第二触头(320)中的至少一个触头能够在第一触头(310)的纵向中心轴线的方...
    2025-11-21
  • 接触判定系统、接触判定用模块以及电子设备
    接触判定系统、接触判定用模块以及电子设备_松下知识产权经营株式会社_202480025368.5
    接触判定系统是判定有无物体向对象部位的接触的接触判定系统。接触判定系统具备接触判定用模块、振动控制部和判定部。接触判定用模块具备：探测用振动器；振动探测器；第1介质，在探测用振动器与对象部位之间作为振动的传播的媒介；和第2介质，在探测用振动...
    2025-11-21
  • 快速接地开关
    快速接地开关_日立能源有限公司_202380095450.0
    本发明涉及一种快速接地开关(1)，包括：两个接触构件(2)，其中的至少一个接触构件(2)可相对于另一接触构件沿着致动方向(Z)在闭合位置与断开位置之间移动，在闭合位置，接触构件(2)电连接，在断开位置，接触构件(2)未电连接，所述接触构件(...
    2025-11-21
  • NH熔断器式隔离开关
    NH熔断器式隔离开关_EFEN有限责任公司_202480018865.2
    本发明涉及一种NH熔断器式隔离开关，包括电网接入装置(3)、壳体(2)、至少两个开关盖(4、5、6)和至少一个支承装置(7、8、9)，开关盖(4、5、6)借助于支承装置以能相对于壳体(2)移动的方式支承于壳体(2)上，其中，开关盖(4、5、...
    2025-11-21
  • 具有受控放电的隔离开关触头系统
    具有受控放电的隔离开关触头系统_日立能源有限公司_202480022577.4
    本文中的实施方式提供了一种用于电气设备(200)的隔离开关(300)，其包括具有纵向中心轴线的第一触头(310)和第二触头(320)。第一触头(310)和第二触头(320)中的至少一个触头能够在第一触头(310)的纵向中心轴线的方向上移动，...
    2025-11-21
  • 非接触操作检测装置以及电梯目的地楼层登记系统
    非接触操作检测装置以及电梯目的地楼层登记系统_三菱电机楼宇解决方案株式会社_202380081988.6
    本公开的非接触操作检测装置具有判定部，该判定部在判定为多个非接触按钮各自具有的多个接近传感器中的任意一个以上的接近传感器的检测值大于登记判定值的情况下，基于检测值的变化量比检测值的变化量最大的第1接近传感器小的第2接近传感器的检测值的变化，...
    2025-11-21
  • 温度开关
    温度开关_打矢恒温器株式会社_202480025175.X
    提供一种容易向发热体安装且热响应性高的温度开关。温度开关(100)具备：基体板(120)；热响应元件(140)，其配置在所述基体板上；可动板(150)，其以通过所述热响应元件的反转而移动的方式一部分接合于所述基体板，并设置有可动触点；固定板...
    2025-11-21
  • 用于晶片漂洗的纳滤
    用于晶片漂洗的纳滤_应用材料公司_202480021885.5
    本技术包括用于漂洗电镀设备、其部件和/或基板的方法。所述方法包括从电镀浴移除具有第一pH的浴溶液的至少一部分。所述方法包括通过纳滤膜过滤经移除的浴溶液，从而形成含有经回收的漂洗剂的渗透液以及渗余物。所述方法包括将所述经回收的漂洗剂转移到一个...
    2025-11-21
  • 碳化硅衬底的制造方法
    碳化硅衬底的制造方法_索泰克公司_202480022115.2
    本发明涉及一种衬底(300)的制造方法，所述衬底包括多晶碳化硅层(30，30A，30B)以及与所述多晶碳化硅层直接接触的单晶碳化硅层(20，20A，30B)，所述方法依次包括以下步骤：‑将第一单晶碳化硅层(20, 20A)转移至临时石墨支撑...
    2025-11-21
  • 组合物、基板层叠体及基板层叠体的制造方法
    组合物、基板层叠体及基板层叠体的制造方法_三井化学株式会社_202480022347.8
    一种组合物，其包含具有阳离子性官能团和Si‑O键的化合物(A)、下述式(1)所示的交联剂(B)和极性溶剂(C)，上述阳离子性官能团包含选自伯氮原子和仲氮原子中的至少1个，上述化合物(A)相对于1个Si原子具有3个Si‑O键，作为上述交联剂(...
    2025-11-21
  • 半导体装置的制造方法以及晶圆支撑结构
    半导体装置的制造方法以及晶圆支撑结构_罗姆股份有限公司_202480022812.8
    本发明的半导体装置的制造方法包括：准备工序，准备具有一侧的第一面和另一侧的第二面的晶圆；第一支撑工序，通过板状的第一部件从所述第一面侧支撑所述晶圆；薄化工序，在所述第一部件的支撑状态下将所述晶圆薄化；第二支撑工序，在所述薄化工序之后，通过使...
    2025-11-21
  • 半导体基板以及半导体基板的制造方法
    半导体基板以及半导体基板的制造方法_京瓷株式会社_202480020914.6
    本半导体基板具备：主基板；位于所述主基板的上方且包含第1区域的籽晶图案；和从所述第1区域延伸的第1半导体部，所述主基板是由并非氮化物半导体的块状晶体构成的基板，所述主基板的表面的一部分是俯视观察下不与所述籽晶图案重叠的非籽晶区域。
    2025-11-21
  • 外延硅晶片及其制造方法
    外延硅晶片及其制造方法_胜高股份有限公司_202480022054.X
    [课题]提供一种电阻率的面内偏差小且翘曲量小的外延硅晶片及其制造方法。[解决方案]直径为300mm、厚度为761‑795μm的外延硅晶片1具有：掺杂了硼的电阻率为8～20mΩ·cm的块状硅基板2、形成于块状硅基板2的表面2a上的外延硅膜3、...
    2025-11-21
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置_株式会社国际电气_202380096037.6
    本发明提供能够形成低电阻的膜的技术，其具有以下工序：(a)对基板供给含第一元素气体；(b)对基板供给第一还原气体；(c)对基板供给第二还原气体；(d)对基板供给惰性气体；(e)在进行(d)的期间，将(a)和(b)至少一部分并行地进行，且在进...
    2025-11-21
  • 用于背面供电之隔离模块
    用于背面供电之隔离模块_应用材料公司_202480026382.7
    一种形成全环绕式栅极场效晶体管的一部分的方法包括执行选择性沉积工艺以在基板的通过浅沟槽隔离(STI)隔离的多个部分内形成的接触沟槽的底部处形成选择性封盖层，其中所述接触沟槽各自通过延伸区域与S/D外延(epi)层介接，执行基板成角度蚀刻工艺...
    2025-11-21
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