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最新专利技术
  • 辅助自锁结构和断路器
    辅助自锁结构和断路器_浙江正泰电器股份有限公司_202410615281.5
    辅助自锁结构，包括运动设置的锁定件、辅助转换开关，悬臂能够随主轴转动在合闸位置与分闸位置之间切换，辅助转换开关包括微动开关和转动设置的杠杆，悬臂与杠杆驱动配合，并与锁定件联动配合，悬臂具有靠近合闸位置的临界位置。断路器，包括辅助自锁结构。本...
    2025-12-20
  • 通用型断路器电操机构以及补偿方法和健康状态预测方法
    通用型断路器电操机构以及补偿方法和健康状态预测方法_南方电网数字电网科技(广东)有限公司_202510996418.0
    本申请涉及断路器电操机构技术领域，尤其涉及一种通用型断路器电操机构以及补偿方法和健康状态预测方法。该装置包括：主控板、第一滑块、第二滑块、第一弹簧组、第一挡板、第二弹簧组、第二挡板、梯形槽、凸轮连杆机构和控制器。其中，第一滑块与主控板固定连...
    2025-12-20
  • 高速机械开关
    高速机械开关_浙江正泰电器股份有限公司_202511180256.X
    本发明涉及低压电器领域，具体涉及一种高速机械开关，其稳态机构的定位组件和定位部，一个与动触头机构同步移动设置且另一个固定设置；定位组件包括直线滑动设置且其滑动方向和方向d1相互垂直的定位件和锁定弹簧，锁定弹簧在稳态机构在临界态时储能至最大值...
    2025-12-20
  • 一种低压单相断路器
    一种低压单相断路器_温州昌泰电气有限公司_202511231140.4
    本申请涉及一种低压单相断路器，涉及电力设备技术领域，其包括绝缘支架，该绝缘支架设置有用于过载保护的真空保护装置、用于短路保护的熔断保护装置、用于连接和断开电路的分合闸装置、用于过热保护的热敏装置。热敏装置包含形状记忆合金、触发板、楔形块等部...
    2025-12-20
  • 融合开关及新能源系统
    融合开关及新能源系统_上海良信电器股份有限公司_202410613735.5
    本发明提供一种融合开关及新能源系统，涉及开关技术领域，融合开关包括串联的手动分闸、断路器和熔断器；断路器包括脱扣组件；脱扣组件包括磁脱扣器、调节支架和储能打击机构；电流大于第一预设值时，磁脱扣器能够吸合并带动调节支架打击储能打击机构，储能打...
    2025-12-20
  • 一种具有无断档保护区间的集成式电路保护器
    一种具有无断档保护区间的集成式电路保护器_上海良信电器股份有限公司_202410611596.2
    一种具有无断档保护区间的集成式电路保护器，其特征在于：它包括灭弧腔室、触头系统腔室和熔断腔室，所述灭弧腔室与熔断腔室沿水平方向分别并排布设在所述触头系统腔室的两侧，所述灭弧腔室内至少布设有灭弧室，所述触头系统腔室内至少布设有触头系统，所述熔...
    2025-12-20
  • 一种混合式固态断路器
    一种混合式固态断路器_上海良信电器股份有限公司_202410622874.4
    本发明涉及断路器技术领域，尤其是涉及一种混合式固态断路器。本发明提供的混合式固态断路器，包括：外壳、机械开关和固态开关，机械开关和固态开关均设置于外壳内，且机械开关与固态开关电连接形成混合式开关电路；混合式开关电路包括机械支路、电子电力支路...
    2025-12-20
  • 一种内置消弧结构及内置消弧结构的断路器
    一种内置消弧结构及内置消弧结构的断路器_北元电器(株洲)有限公司_202511393444.0
    本发明公开了一种内置消弧结构及内置消弧结构的断路器，包括支持件和栅网组件，所述栅网组件安装在所述支持件的腔体内，通过所述支持件和栅网组件组成内置消弧结构，该内置消弧结构可拆卸的安装在断路器本体内的基座上。相对于现有技术，该内置消弧结构通过将...
    2025-12-20
  • 一种触头系统的灭弧结构及断路器
    一种触头系统的灭弧结构及断路器_上海良信电器股份有限公司_202511420090.4
    本发明涉及断路器技术领域，尤其是涉及一种触头系统的灭弧结构及断路器。本发明提供的触头系统的灭弧结构包括：灭弧室、动引弧件、第一产气件和第二产气件，触头系统包括短动触头；灭弧室设置有若干依次排列的灭弧栅片，动引弧件包括至少一个第一动引弧板，第...
    2025-12-20
  • 一种电阻型超导限流熔断装置及其工作方法
    一种电阻型超导限流熔断装置及其工作方法_南方电网科学研究院有限责任公司_202511197482.9
    本发明涉及一种电阻型超导限流熔断装置及其工作方法，该超导限流熔断装置由不锈钢封装的第二代高温超导带材制成，该超导限流熔断装置在不锈钢封装层加工有狭颈，用于短路熔断。在正常工况下，超导限流熔断装置处于超导态，发热和损耗基本为零，在故障工况下，...
    2025-12-20
  • 一种可恢复式熔断器
    一种可恢复式熔断器_杭州超熔科技有限公司_202511510834.1
    本发明涉及熔断器技术领域，公开了一种可恢复式熔断器，包括外壳体，以及涂装在外壳体外侧的绝缘层，所述陶瓷绝缘管的外侧的上端位于外壳体的内侧设置有云母玻璃管，且在陶瓷绝缘管的外侧靠近云母玻璃管的下端分别设置有负热膨胀组件和受热膨胀组件，所述陶瓷...
    2025-12-20
  • 一种新能源储能熔断器
    一种新能源储能熔断器_深圳市佰盟仕科技有限公司_202511166571.7
    本发明公开了一种新能源储能熔断器，涉及熔断器技术领域。该种新能源储能熔断器，包括设置在跌落式熔断器本体上的高强度绝缘子、下金属箍、上金属箍和熔丝管，所述下金属箍的顶部固定连接有固定环，且固定环套设在熔丝管的侧壁，所述固定环的顶部通过升降机构...
    2025-12-20
  • 一种高压大电流表面贴装熔断器及其制备方法
    一种高压大电流表面贴装熔断器及其制备方法_AEM科技(苏州)股份有限公司_202511359220.8
    本发明提供一种高压大电流表面贴装熔断器，包括熔丝主体、封装部及一侧向内凹陷形成容置腔的绝缘外壳，封装部用于封闭容置腔的开口；熔丝主体包括两个导电电极及设置在导电电极之间的熔断部，熔断部位于容置腔内，导电电极伸出容置腔；容置腔中还填充有第一填...
    2025-12-20
  • 冷场发射器总成
    冷场发射器总成_FEI公司_202510483821.3
    本公开涉及冷场发射器总成。公开了用于与超高真空和间歇性高温闪蒸兼容的机械稳定的长寿命冷场发射器总成的装置和方法。金属适配器焊接在六硼化物电极与金属细丝之间。一些实施方案使用钨细丝、钽适配器和具有纳米棒发射器尖端的LaB6微细棒电极。公开了其...
    2025-12-20
  • 用于超快诊断的小型脉冲展宽漂移管的制备方法及其脉冲展宽漂移管
    用于超快诊断的小型脉冲展宽漂移管的制备方法及其脉冲展宽漂移管_北方夜视技术股份有限公司_202511170320.6
    本申请公开了一种用于超快诊断的小型脉冲展宽漂移管的制备方法及其脉冲展宽漂移管，该方法包括：1)钎焊前壳体、后壳体，前壳体进行填铟、化铟及车铟操作；2)点焊得到第一栅网组件、第二栅网组件、第三栅网组件；3)制备基底、导电膜层、封接膜层组装得到...
    2025-12-20
  • 玻璃电子管芯柱与玻壳封接装置及其封接方法
    玻璃电子管芯柱与玻壳封接装置及其封接方法_锦州华光电子管有限公司_202511311677.1
    一种玻璃电子管芯柱与玻壳封接装置及其封接方法，该装置包括设在机架上的空心立柱和轴套，在空心立柱内设有传动轴，在空心立柱上端设有空心支座，在空心支座内安装有上立轴，在空心支座上端设有气缸，其输出端与上立轴上端同轴连接；传动轴上端与上立轴传动连...
    2025-12-20
  • 一种回旋行波放大器输入耦合器设计方法
    一种回旋行波放大器输入耦合器设计方法_电子科技大学_202511266505.7
    本发明公开了一种回旋行波放大器输入耦合器，属于微波器件技术领域。本发明是矩形波导TE10模式转换到圆波导TE11模式的耦合器，其结构主要包括有输入矩形波导、电子束流通端、输出圆波导，矩形波导与圆波导相连，电子束流通端与输出圆波导完全连通。电...
    2025-12-20
  • 一种微波炉用磁控管
    一种微波炉用磁控管_电子科技大学_202510891241.8
    本发明公开了一种微波炉用磁控管，属于真空电子器件中的微波源技术领域。该磁控管包括：阳极组件、阴极组件、输入组件、输出组件、永磁体；其中，阳极组件的阳极叶片两端采用双端单环隔膜带替换现有的双端双环隔膜带。本发明磁控管在减少阳极材料和简化隔膜带...
    2025-12-20
  • 一种高亮度抗辐射行波分幅成像系统及方法
    一种高亮度抗辐射行波分幅成像系统及方法_中国科学院西安光学精密机械研究所_202511051005.1
    本发明涉及高速成像领域，解决了现有分幅成像系统存在电磁辐射干扰、尖端放电，以及空间分辨率受限导致成像质量差的技术问题。公开了一种高亮度抗辐射行波分幅成像系统及方法。该系统包括微带阴极、微通道板、荧光屏、图像传感器、脉冲磁场发生器以及微带传输...
    2025-12-20
  • 一种栅网装置、离子源设备及离子源性能评估方法
    一种栅网装置、离子源设备及离子源性能评估方法_昂成精密仪器(深圳)有限公司_202511157307.7
    本发明涉及半导体加工设备技术领域，具体涉及一种栅网装置、离子源设备及离子源性能评估方法。该栅网装置包括导电组件、屏栅、加速栅、减速栅和栅网安装板，屏栅、加速栅和减速栅依次层叠且相互间隔绝缘设置，并均通过栅网安装板安装于外部离子源外壳的开口端...
    2025-12-20
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