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最新专利技术
  • 一种光伏电池串的修复加工方法和光伏组件
    一种光伏电池串的修复加工方法和光伏组件_正泰新能科技股份有限公司_202411513767.4
    本发明公开了一种光伏电池串的修复加工方法及光伏组件，该光伏电池串的修复加工方法包括：将多个电池片通过焊带焊接形成电池串；为所述电池串接通反向电压，并利用激光光线照射所述电池串，以修复所述电池串。本申请中在电池片完成焊带焊接形成电池串之后，利...
    2025-12-30
  • 一种背接触电池的制备方法及背接触电池
    一种背接触电池的制备方法及背接触电池_正泰新能科技股份有限公司_202411718245.8
    本发明公开了一种背接触电池的制备方法及背接触电池，应用于太阳能电池技术领域，包括：采用LCVD工艺于衬底的背面形成图形化的原位掺杂层；图像化的原位掺杂层之间具有隔离区域，隔离区域为基于激光未照射区域所形成的隔离区域；形成电极；其中，电极对应...
    2025-12-30
  • 一种晶硅太阳能电池制绒方法及晶硅太阳能电池
    一种晶硅太阳能电池制绒方法及晶硅太阳能电池_正泰新能科技股份有限公司_202411793751.3
    本发明公开了一种晶硅太阳能电池制绒方法及晶硅太阳能电池，应用于光伏电池制备领域，包括：提供硅片预制件；在待制绒区域喷涂经超声分散处理形成的悬浊液，并对悬浊液进行固化处理，得到待制绒硅片预制件；对待制绒硅片预制件中的待制绒区域进行刻蚀，以在待...
    2025-12-30
  • 一种光伏组件的制备方法及光伏组件
    一种光伏组件的制备方法及光伏组件_正泰新能科技股份有限公司_202510251607.5
    本申请公开了一种光伏组件的制备方法及光伏组件，属于光伏技术领域，该方法包括：在第一盖板表面铺设第一胶膜，并对第一胶膜进行抚平；第一盖板表面设置有第一通孔；抚平完成后，将第一胶膜固定在第一盖板表面；固定完成后，在第一通孔的位置沿第一胶膜的厚度...
    2025-12-30
  • 银包铜浆料、栅线及其制备方法与太阳能电池
    银包铜浆料、栅线及其制备方法与太阳能电池_正泰新能科技股份有限公司_202510285423.0
    本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种银包铜浆料、栅线及其制备方法与太阳能电池。与现有技术相比，本发明实现了银包铜浆料通过激光辐射及热能量使银包铜颗粒中的银与硅进行致密接触形成银硅合金，而铜依然包裹于银内部避免与硅接触而出现铜刺现象，也...
    2025-12-30
  • 一种硅片硼扩散制备方法及太阳能电池
    一种硅片硼扩散制备方法及太阳能电池_正泰新能科技股份有限公司_202510521825.6
    本发明公开了一种硅片硼扩散制备方法及太阳能电池，应用于光伏领域，包括：将待硼扩硅片放于扩散炉内，将扩散炉温度升高至第一温度后，以第一流量通入硼源气体，对待硼扩硅片进行硼源沉积扩散处理，得到第一待推结硅片；将扩散炉的温度升高至第二温度后，以第...
    2025-12-30
  • 一种BC电池及其制备方法
    一种BC电池及其制备方法_正泰新能科技股份有限公司_202510607206.9
    本发明公开了一种BC电池及其制备方法，该BC电池的制备方法包括在硅晶片的背面形成第一隧穿氧化层和poly‑Si膜层；利用纳秒激光或皮秒激光，对第一设定区域中的第一隧穿氧化层和poly‑Si膜层进行图案化刻蚀去除；制备形成覆盖第一设定区域和p...
    2025-12-30
  • 一种光伏组件制备方法及光伏组件
    一种光伏组件制备方法及光伏组件_正泰新能科技股份有限公司_202510715612.7
    本申请公开了一种光伏组件制备方法及光伏组件，属于光伏技术领域，该方法包括：电池片串焊排版，对设置有衬底和钝化层的至少两个电池片进行串焊和排版，得到电池串层；紫外光辐照，采用具有预设累计辐照量和预设温度的紫外光对电池串层表面进行辐照，以使钝化...
    2025-12-30
  • 一种太阳能电池制备方法及太阳能电池
    一种太阳能电池制备方法及太阳能电池_正泰新能科技股份有限公司_202510724288.5
    本申请公开了一种太阳能电池制备方法及太阳能电池，属于光伏技术领域，该方法包括：金属化处理，对设置有减反射层的半成品片进行金属化处理；紫外光辐照，采用具有预设能量值的紫外光对金属化处理后的半成品片表面进行辐照，以使减反射层释放出游离氢元素，游...
    2025-12-30
  • 一种太阳能电池的钝化方法
    一种太阳能电池的钝化方法_正泰新能科技股份有限公司_202510776755.9
    本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池的钝化方法。与现有技术相比，本发明先采用腔体水钝化工艺然后进行原子层沉积，通过水预处理分解的H离子对表面进行钝化，饱和不饱和的悬挂键，从而使反应更加均匀彻底，缺陷也得到及时的修复，少子寿命...
    2025-12-30
  • 一种匹配光伏电池表面密栅的硼扩方法及光伏组件
    一种匹配光伏电池表面密栅的硼扩方法及光伏组件_正泰新能科技股份有限公司_202510779788.9
    本发明公开了一种匹配光伏电池表面密栅的硼扩方法及光伏组件，应用于光伏领域，包括：将炉内温度设置为第一通源温度，将炉内压力设置为第一炉压，以预设流量向炉内通入硼源气体，对电池基片进行第一步沉积扩散处理；将炉内温度由第一通源温度升高至第二通源温...
    2025-12-30
  • 一种高自旋选择性光电探测器的构建方法
    一种高自旋选择性光电探测器的构建方法_内蒙古科技大学_202510869490.7
    本发明涉及一种高自旋选择性光电探测器的构建方法，包括：在扶手椅型Janus WSSe晶格构建的光电探测器模型中，中部设为散射区，两端区域分别作为左右电极；在光电探测器的散射区引入单个原子级别的空位缺陷，并对缺陷引入后的散射区进行电子局域态分...
    2025-12-30
  • 一种电极制备方法、电极及光伏电池
    一种电极制备方法、电极及光伏电池_正泰新能科技股份有限公司_202510889850.X
    本申请公开了一种电极制备方法、电极及光伏电池，属于电池领域。本申请通过在形成第二类金属层前预先形成一层呈致密连续结构的第一类金属层作为阻挡层，一方面可以阻挡第二类金属内扩，另一方面可以增强第二层呈三维网状结构的第一类金属层的拉力，进一步的呈...
    2025-12-30
  • 一种背接触电池0BB互联方法及一体化电池串制备系统
    一种背接触电池0BB互联方法及一体化电池串制备系统_宏润泰阳(宣城)绿色能源有限公司_202511064919.1
    本发明公开了一种背接触电池0BB互联方法及一体化电池串制备系统，涉及背接触电池无主栅互联技术领域。针对背接触电池电池互联时银耗高、易短路、硅片受热弯曲及生产良率低等问题，该方法通过制备两面涂覆胶黏剂的高分子绝缘复合膜，经定位打孔后与0BB低...
    2025-12-30
  • 光伏电池片的栅线转印方法及系统
    光伏电池片的栅线转印方法及系统_安徽华晟新能源科技股份有限公司_202511087699.4
    本公开涉及一种光伏电池片的栅线转印方法及系统，该方法包括将待转印栅线的光伏电池片移动至合模工位，提供掩膜板，于浆料凹槽中填充导电浆料，将填充导电浆料后的掩膜板传送至合模工位，并与光伏电池片相对布置，将相对布置的光伏电池片和掩膜板移动至激光转...
    2025-12-30
  • 电池串替片返修方法及返修装置
    电池串替片返修方法及返修装置_浙江求是半导体设备有限公司_202511093093.1
    本申请公开了一种电池串替片返修方法及返修装置，该电池串包括多个电池片以及布设于多个电池片上的焊带组，焊带组将多个电池片相连，定义电池串中需要返修的电池片为第一电池片，定义第一电池片沿预设方向两侧的电池片为第二电池片，定义用于替换的电池片为替...
    2025-12-30
  • 一种晶硅太阳能电池金属化的方法及晶硅太阳能电池
    一种晶硅太阳能电池金属化的方法及晶硅太阳能电池_正泰新能科技股份有限公司_202511141789.7
    本发明提供了一种晶硅太阳能电池金属化的方法及晶硅太阳能电池，该方法包括以下步骤：S1)在太阳能电池半成品的表面进行开槽，得到凹槽；S2)在凹槽处通过激光化学气相沉积制备金属种子层；S3)在金属种子层上进行电镀铜，得到晶硅太阳能电池。与现有技...
    2025-12-30
  • InGaAsP外延片的生长方法及外延片
    InGaAsP外延片的生长方法及外延片_埃特曼(厦门)光电科技有限公司_202511195455.8
    本申请实施例涉及一种InGaAsP外延片的生长方法及InGaAsP外延片，通过先确定符合所需制备器件的目标波长的x的理论值和y的理论值，并根据x的理论值和y的理论值进行外延生长，通过对生长得到的InxGa1‑xAsyP1‑y层进行检测，首先...
    2025-12-30
  • 一种背接触电池制备方法及背接触电池
    一种背接触电池制备方法及背接触电池_正泰新能科技股份有限公司_202511232407.1
    本申请公开了一种背接触电池制备方法及背接触电池，属于电池领域。本申请通过在衬底引入一层本征非晶硅作为缓冲层，再依次沉积中间层和沉积第二层本征非晶硅层，形成三明治结构，再经高温退火修复本征非晶硅层的晶格结构得到本质多晶硅层，形成双层钝化结构，...
    2025-12-30
  • 一种全金属氧化物异质结紫外光电探测器的制备方法
    一种全金属氧化物异质结紫外光电探测器的制备方法_江苏大学_202511289814.6
    本发明属于半导体技术领域，公开了一种全金属氧化物异质结紫外光电探测器的制备方法。该探测器基于SrSnO3/NiO异质结，通过构建pn结实现自供能紫外光探测。本发明采用掺杂手段SrSnO3优化n型导电性能，提升其迁移率，同时与p型NiO结合形...
    2025-12-30
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