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最新专利技术
  • 层叠陶瓷电容器
    层叠陶瓷电容器_株式会社村田制作所_202480033721.4
    提供可靠性进一步提高了的层叠陶瓷电容器。在层叠陶瓷电容器(1)中，外部电极(25)包含作为玻璃的钡‑硼‑硅系玻璃或者锶‑硼‑硅系玻璃或者钡‑锶‑硼‑硅系玻璃的至少一者、以及铜，在外部电极(25)的表面(58)，露出玻璃以及铜，在外部电极(2...
    2025-12-24
  • 电容器、电路、电路基板、设备、电容器用构件和电容器的制造方法
    电容器、电路、电路基板、设备、电容器用构件和电容器的制造方法_松下知识产权经营株式会社_202480029089.6
    一种电容器，其具备包含多个孔的多孔体和导电体。多孔体包含具有导电性的基材、配置在基材上的第一电介质层、以及配置在基材上的第二电介质层。导电体配置在第一电介质层以及第二电介质层上。在多孔体中第一电介质层配置在包含多孔体与多孔体的外部之间的边界...
    2025-12-24
  • 接触机构和电磁继电器
    接触机构和电磁继电器_宜尔敏电子设备株式会社_202480033944.0
    本发明的目的是有效抑制在通电状态下作用于可动元件和固定元件之间的电磁斥力。本公开一个方面的一种接触机构(1)包括第一固定元件(10)、第二固定元件(20)以及可动元件(30)。第一固定元件(10)包括励磁部分(12)，而励磁部分(12)包括...
    2025-12-24
  • 具有用于测量其高压接头上的电压的电极的外壳接地高压断路器和利用该电极进行电压测量的方法
    具有用于测量其高压接头上的电压的电极的外壳接地高压断路器和利用该电极进行电压测量的方法_西门子能源国际公司_202480034144.0
    本发明涉及一种外壳接地高压断路器(1)，该外壳接地高压断路器具有壳体(2)和在该壳体(2)上的用于电导体(4)的至少一个套管(3)以及至少一个电极(5)，该至少一个电极用于相对于壳体(2)对电导体(4)进行屏蔽。该至少一个电极(5)处于浮动...
    2025-12-24
  • 切断装置、切断系统、车辆以及探测单元
    切断装置、切断系统、车辆以及探测单元_松下知识产权经营株式会社_202480034112.0
    切断装置(4)具备探测单元(1)和切断单元(2)。切断单元(2)与探测单元(1)电连接。探测单元(1)具有芯(10)、线圈(11)以及全波整流电路(12)。芯(10)由磁性体形成。线圈(11)卷绕于芯(10)。全波整流电路(12)与线圈(1...
    2025-12-24
  • 密封的电气装置
    密封的电气装置_森萨塔科技公司_202480031117.8
    一种气密密封的电气装置，该电气装置包括壳体和顶部组件。顶部组件包括触点端子、馈通件和/或延伸穿过盖板的管。玻璃‑金属密封部和/或钎焊接头用于将触点端子、馈通件和/或管密封到盖板，使得不再需要陶瓷顶部。盖板可以电阻焊接到下壳体或罐。
    2025-12-24
  • 建立离子能量分布函数(IEDF)
    建立离子能量分布函数(IEDF)_应用材料公司_202480027515.2
    本公开是使用成形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一个实施例中，一种方法包括：向处理腔室的电极施加负跳变电压来为晶片设定晶片电压，调制所述晶片电压的振幅以产生具有不同振幅的脉冲串组序列，以及重复调制所述晶片电压的所述振幅...
    2025-12-24
  • 基板处理设备
    基板处理设备_周星工程股份有限公司_202480034577.6
    根据本发明一示例性实施例的电容耦合等离子体基板处理设备包含：腔室，包含供基板安装的基板支撑件；上电极，设置于腔室内的上部以喷射气体并产生电容耦合等离子体；多个射频杆，用以在多个位置将射频功率供应至上电极；射频功率分配单元，用以将射频功率分配...
    2025-12-24
  • 用于制备生物材料以将其转移到质谱仪中的接口和方法
    用于制备生物材料以将其转移到质谱仪中的接口和方法_里尔大学_202480021357.X
    本发明涉及一种用于制备材料，特别是生物材料，以将其转移到质谱仪中的接口(1)，其中所述材料为气溶胶形式，所述接口包含用于产生电离的雾气的电离装置(2)，和具有材料入口和雾气入口的电离室(3)，从而在混合区使所述材料与所述电离的雾气接触，其中...
    2025-12-24
  • 使用沟槽图案的低温单晶2D材料生长
    使用沟槽图案的低温单晶2D材料生长_麻省理工学院_202480012525.9
    描述了在基材上生长二维(2D)材料的方法，所述方法包括：(a)在基材上形成掩模层；(b)在所述掩模层中形成沟槽，所述沟槽具有在掩模层中形成的侧壁，所述侧壁包围所述基材的暴露部分；和(c)在所述基材的暴露部分上沉积2D材料的核，并使所述核生长...
    2025-12-24
  • 在沟槽特征中的抑制式原子层沉积
    在沟槽特征中的抑制式原子层沉积_朗姆研究公司_202480034285.2
    所公开的示例涉及使用ALD沉积处理的抑制剂来以介电间隙填充材料填充沟槽特征。一个示例提供了一种处理包括深沟槽特征的衬底的方法。深沟槽特征包括具有内凹特征的多晶硅表面。方法包括执行抑制循环，抑制循环包括在衬底上沉积抑制剂，沉积条件为在沟槽特征...
    2025-12-24
  • 光加热方法、n型SiC半导体用的光加热装置
    光加热方法、n型SiC半导体用的光加热装置_优志旺电机株式会社_202480028487.6
    提供一种能够高效地加热包含n型SiC半导体的被处理体的光加热方法。具有对包含n型SiC半导体的被处理体经由窗部件照射从具备红外光灯的光源部射出的色温为2, 200K~2, 600K的范围内的加热光而对所述被处理体进行加热的工序(a)。
    2025-12-24
  • 等离子体处理装置和等离子体处理方法
    等离子体处理装置和等离子体处理方法_东京毅力科创株式会社_202480033622.6
    等离子体处理装置包括：腔室；基片支承部，其配置在腔室内，用于支承包含含硅膜的基片；气体供给部，其能够向腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体；和等离子体生成部，其能够从处理气体生成等离子体，腔室或配置在腔室内的内部部件中的至少一者含有磷。
    2025-12-24
  • 蚀刻方法、DRAM电容器的制造方法和等离子体处理装置
    蚀刻方法、DRAM电容器的制造方法和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480034526.3
    本发明提供提高硅氮化物膜相对于掩模的蚀刻选择比的技术。蚀刻方法包括：(a)将包含层叠膜、层叠膜上的含有硅和氮的单层膜、以及单层膜上的掩模的基片，提供到腔室内的基片支承部上的步骤，其中，层叠膜包含两种以上不同的含硅膜，掩模具有规定至少一个开口...
    2025-12-24
  • 低温烧结性接合用材料及接合结构体
    低温烧结性接合用材料及接合结构体_株式会社大赛璐_202480025836.9
    本发明提供一种低温烧结性接合用材料，其在用于烧结接合的情况下，能够在低温下进行烧结，能够得到可靠性高的接合结构体，并且准备简易。一个实施方式的低温烧结性接合用材料包含银粒子及硅粒子，上述硅粒子表面的超过50%由硅原子构成。另外，另一个实施方...
    2025-12-24
  • 基板结构体的激光热处理方法及应用其的电子器件制备方法
    基板结构体的激光热处理方法及应用其的电子器件制备方法_RNR实验室公司_202480034163.3
    公开基板结构体的激光热处理方法及应用其的电子器件制备方法。所公开的基板结构体的激光热处理方法通过向能够划分为多个单位区域的基板结构体的一面部照射激光束来执行对所述基板结构体的热处理，所述激光热处理方法可包括如下步骤：执行对所述基板结构体的第...
    2025-12-24
  • 基板收纳容器
    基板收纳容器_未来儿股份有限公司_202380098446.X
    一种基板收纳容器(1)，具备形成有基板收纳空间(27)的容器主体(2)和可封闭容器主体开口部(21)的盖体(3)，并具有支承固定于下壁(24)的槽构件(245)，所述槽构件(245)具有：槽形成部(2451)，形成有朝向下方开口的槽；以及被...
    2025-12-24
  • 基板收纳容器
    基板收纳容器_未来儿股份有限公司_202380098505.3
    一种基板收纳容器(1)，在一对侧壁(26)的外表面分别设置有支承容器主体(2)的操作构件(261)，操作构件(261)包括：前后方向延伸部(2611、2612)，分别在上下方向(D2)上设置成一对并在前后方向(D1)上延伸；以及前部连接部(...
    2025-12-24
  • 用于边缘钝化的载体
    用于边缘钝化的载体_新格拉斯科技集团_202480030384.3
    本发明总体涉及一种用于半导体器件的边缘钝化的载体，并且更具体地，涉及一种用于接收多个晶片或半导体器件的堆叠的存储插入件、一种用于多个这种存储插入件的载体以及一种用于装载这种载体的方法。
    2025-12-24
  • 映射装置以及映射方法
    映射装置以及映射方法_昕芙旎雅有限公司_202480031046.1
    本发明提供一种能够以充分的准确度判定基板的收容状态的技术。映射装置(60)包括：第一映射传感器(61a)，其配置于收容在收容容器(9)的矩形的基板(W)的端面(We)的延伸方向的一侧，一边在基板(W)的排列方向上移动，一边在第一检测点(Pa...
    2025-12-24
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