Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 真空镀膜机旋转载物支架
    真空镀膜机旋转载物支架_嘉兴晶控电子有限公司_202511772959.1
    本发明公开了真空镀膜机旋转载物支架，包括：旋转支架，旋转支架上呈圆形阵列安装有若干基材夹具支撑环位于主旋转支架下方用于支撑主旋转支架；基材夹具，用于夹装基材；翻转机构，翻转机构用于带动基材夹具翻转；本发明的镀膜机腔室内部为纯机械式的自动翻转...
    2026-04-14
  • 用于真空镀膜的夹具
    用于真空镀膜的夹具_安徽纯源镀膜科技有限公司_202511949922.1
    本发明涉及一种用于真空镀膜的夹具，包括夹具本体，夹具本体上沿其周向间隔设置有用于对基片进行夹装的各夹装部，夹装部活动安装在夹具本体上，夹具本体上还设置有调节机构，调节机构用于调节各夹装部绕竖直方向进行自转。上述方案中，通过设置调节机构调整各...
    2026-04-14
  • 一种靶材与磁铁间距监控系统和方法及物理气相沉积设备
    一种靶材与磁铁间距监控系统和方法及物理气相沉积设备_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410983449.8
    本发明公开了一种靶材与磁铁间距监控系统和方法及物理气相沉积设备，包括：测量模块，设于第一基准面上，用于测量绕转轴旋转的磁铁与所述第一基准面之间的第一间距；所述磁铁远离所述测量模块的一侧的第二基准面上设有靶材，所述第二基准面与所述第一基准面平...
    2026-04-14
  • 一种基于恒功率温度调控的蒸镀方法和装置
    一种基于恒功率温度调控的蒸镀方法和装置_安徽其芒光电科技有限公司_202511491654.3
    本发明提供一种基于恒功率温度调控的蒸镀方法和装置，通过采用恒功率加热与冷却水调节相结合的智能补偿策略，有效克服了蒸镀过程中因材料汽化吸热和蒸发源辐射热引起的热扰动，实现了基片温度的高精度控制，显著优于传统PID控制方法。该方法有效避免了温度...
    2026-04-14
  • 密封结构及真空镀膜设备
    密封结构及真空镀膜设备_深圳市矩阵多元科技有限公司_202511449948.X
    本发明公开了一种密封结构及真空镀膜设备，密封结构包括密封仓和密封门。密封仓具有第一开口，密封仓限定出容纳空间，容纳空间适于容纳目标介质。密封门连接密封仓，且密封门密封第一开口。密封门包括第一门板、第二门板和连接件，沿第一开口的轴线方向，第一...
    2026-04-14
  • 一种引入偏压、防真空电离的全方位镀膜工装
    一种引入偏压、防真空电离的全方位镀膜工装_中国科学院兰州化学物理研究所_202511535347.0
    本发明公开了一种引入偏压、防真空电离的全方位镀膜工装，属于真空镀膜技术领域。该工装主要由轨道、行走机构、行星工件盘组件、偏压接线与引入机构等构成，其核心在于能够在大气状态下将偏压电源输出的偏压，安全施加到与接地真空腔室完全隔离的待镀样品上。...
    2026-04-14
  • 一种不锈钢管内壁镀膜装置及镀膜方法
    一种不锈钢管内壁镀膜装置及镀膜方法_中国科学院兰州化学物理研究所_202511535374.8
    本发明公开了一种不锈钢管内壁镀膜装置及镀膜方法，涉及管体镀膜技术领域。该装置包括支架、真空筒、抽气机构、加热机构、上密封板、可升降的下密封板、上固定卡盘、真空法兰电极、多个可接电进气管及安装机构。所述安装机构包含可依据不锈钢管外径选配的上安...
    2026-04-14
  • PECVD设备
    PECVD设备_江苏博涛智能热工股份有限公司_202512003105.3
    本发明公开了一种PECVD设备，包括壳体、气源、上极板、下极板和掩膜板，所述壳体内部形成有反应腔，所述气源连接至壳体并向所述反应腔输送工艺气体，所述上极板设置于所述反应腔内，用于连接射频源，所述下极板设置于所述反应腔内，用于接地并支撑待反应...
    2026-04-14
  • 一种梯度热导金刚石热沉及其制备方法和应用
    一种梯度热导金刚石热沉及其制备方法和应用_西安交通大学_202511524109.X
    本发明公开了一种梯度热导金刚石热沉及其制备方法和应用，属于高功率器件散热技术领域。所述热沉包括一体成型的金刚石本体，具有中心区域和环绕中心的边缘区域，中心区域的平均热导率大于边缘区域，且两者热导率之比大于1.2。其制备方法采用微波等离子体化...
    2026-04-14
  • 一种化学气相沉积制备球形或类球形聚晶金刚石的方法及其产品
    一种化学气相沉积制备球形或类球形聚晶金刚石的方法及其产品_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202610000633.5
    本发明公开了一种化学气相沉积制备球形或类球形聚晶金刚石的方法及其产品，属于人造金刚石技术领域，方法包括：(1)提供片材，片材表面带有纳米粒子作为形核点；(2)以表面带有纳米粒子形核点的片材作为基材，利用化学气相沉积方法，先使基材温度升至70...
    2026-04-14
  • 一种用于聚变装置第一壁表面硼化处理系统
    一种用于聚变装置第一壁表面硼化处理系统_合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)_202511656432.2
    本发明公开一种用于聚变装置第一壁表面硼化处理系统。其包括特种气体安全柜、气体传输管道、气体分流箱、安全联锁系统、真空抽气机组和尾气处理器；特种气体安全柜通过气体传输管道与气体分流箱相连；气体分流箱与EAST聚变装置真空腔室通过气体传输管道相...
    2026-04-14
  • 一种可调控增强MoS2薄膜磁性的方法
    一种可调控增强MoS2薄膜磁性的方法_苏州科技大学_202511603780.3
    本发明属于二维材料领域，具体涉及过渡金属硫化物二硫化钼(MoS22)的磁性调控技术，以过渡金属锰(Mn)为例，系统研究Mn掺杂对MoS22薄膜磁性能的影响，可调控增强MoS22薄膜磁性能。首次通过实验建立Mn掺杂浓度xx与Mo1‑x1‑x1...
    2026-04-14
  • 一种切削刀具耐磨涂层及其制备方法与应用
    一种切削刀具耐磨涂层及其制备方法与应用_株洲华锐精密工具股份有限公司_202511682300.7
    本申请提供了一种切削刀具耐磨涂层及其制备方法与应用，包括耐磨涂层；所述耐磨涂层包括Ti1‑x1‑xAlxxCyyBzzN1‑y‑z1‑y‑z层；其中，0.60≤x≤0.95, 0≤y≤0.15, 0＜z≤0.10；所述Ti1‑x1‑xAlx...
    2026-04-14
  • 一种切削刀具涂层及其制备方法与应用
    一种切削刀具涂层及其制备方法与应用_株洲华锐精密工具股份有限公司_202511682315.3
    本申请提供了一种切削刀具涂层及其制备方法与应用，包括耐磨涂层；所述耐磨涂层包括Ti1‑x1‑xAlxxCyyBzzN1‑y‑z1‑y‑z层；其中，0.60≤x≤0.95, 0≤y≤0.10, 0＜z≤0.10, 0＜y+z≤0.15；所述T...
    2026-04-14
  • 一种多层超滑碳膜及其制备方法和应用
    一种多层超滑碳膜及其制备方法和应用_清华大学_202511861309.4
    本申请涉及一种多层超滑碳膜及其制备方法和应用。所述多层超滑碳膜包括依次形成在基体表面的过渡层、工作层以及最外层；其中，所述过渡层为金属和非金属掺杂的碳膜；所述工作层为软质层和硬质层交替的多层含氢非晶碳膜；所述最外层为含氢非晶碳膜。本申请采用...
    2026-04-14
  • 一种PZT靶材及其制备工艺
    一种PZT靶材及其制备工艺_辰瓴半导体(嘉兴)有限公司_202511409644.0
    本申请涉及一种PZT靶材及其制备工艺，涉及PZT靶材技术领域；该PZT靶材制备工艺包括如下步骤：准备SOI硅片：选择硅晶圆或绝缘体上硅晶圆为衬底；硅片掺杂：对硅片的表面进行掺杂硅；沉积绝缘层：在硅片掺杂有硅的表面上，生长热氧化层或化学气相沉...
    2026-04-14
  • 一种副产物分离收集装置、半导体工艺设备
    一种副产物分离收集装置、半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411026680.4
    本申请提供了一种副产物分离收集装置、半导体工艺设备，副产物分离收集装置用于分离和收集反应腔室的排气中的副产物，包括：壳体，具有引入排气的进气口和导出排气的出气口；固体收集件，设置在壳体中，并至少用于从排气中分离副产物并收集分离出的固态副产物...
    2026-04-14
  • 一种基于硅烷-氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺
    一种基于硅烷-氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511586213.1
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及基于硅烷‑氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺，包括：低温成核期：温度：530℃，压力：150 Pa，SiH44/N22=1 : 8~10，抑制硅烷快速分解，形成均匀成核层；中温过渡期：温度：550...
    2026-04-14
  • 一种多站式工艺腔及半导体器件的加工设备
    一种多站式工艺腔及半导体器件的加工设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511629636.7
    本发明提供了一种多站式工艺腔及半导体器件的加工设备。多站式工艺腔包括：多个处理站，绕所述多站式工艺腔的轴向呈环形布置；多个抽气口，分别设于各所述处理站之间，以分别连通其相邻的两个所述处理站；以及真空机构，连通各所述抽气口，以经由各所述抽气口...
    2026-04-14
  • 薄膜沉积方法
    薄膜沉积方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511664756.0
    本申请涉及一种薄膜沉积方法，包括：将承载晶圆的晶舟置于反应腔中；在第一温度下，在晶圆的表面上沉积第一子层；第一子层还沉积在晶舟的表面，第一子层的位于晶圆的表面的部分与位于晶舟的表面的部分相连接；第一子层的材料与晶舟的材料之间的热膨胀系数差异...
    2026-04-14
首页 上一页 17 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证