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最新专利技术
  • 金属材料制品加工化学合成设备
    金属材料制品加工化学合成设备_吉林农业科技学院_202610020665.1
    本发明公开了金属材料制品加工化学合成设备，具体涉及金属配件制备装置领域，包括电镀处理池仓组件，电镀处理池仓组件一侧设有控制器，电镀处理池仓组件另一侧设有吊装组件，吊装组件底部活动设有载件架。本发明通过由上裹筒架和下裹筒架组成的放置笼结构设计...
    2026-05-06
  • 放射源辅助电沉积压力架台及装置
    放射源辅助电沉积压力架台及装置_原子高科股份有限公司_202610108851.0
    本发明涉及电沉积设备技术领域，提供一种放射源辅助电沉积压力架台及装置，该压力架台包括：机架，机架上设有源台，源台上形成有用于支撑放射源片的支撑面；压力机构，连接于机架并形成有朝向支撑面的按压端；压力机构与机架滑移连接，按压端能随压力机构的滑...
    2026-05-06
  • 一种梯度纳米镍铁合金的双面沉积设备
    一种梯度纳米镍铁合金的双面沉积设备_重庆水利电力职业技术学院_202511813745.4
    本发明涉及镍铁合金沉积技术领域，且公开了一种梯度纳米镍铁合金的双面沉积设备，包括电沉积池，电沉积池内侧中端安装隔板，隔板安装有用于隔开一号池和二号池电沉积液的阻挡结构。本发明通过滑块挤压橡胶套使其逐渐挤入到两个挤压块之间，橡胶套的两侧同步过...
    2026-05-06
  • 一种筒形工件无痕电镀夹持装置与电镀工艺方法
    一种筒形工件无痕电镀夹持装置与电镀工艺方法_哈尔滨飞机工业集团有限责任公司_202511841775.6
    本发明属于电镀生产技术领域，涉及一种筒形工件无痕电镀夹持装置与电镀工艺方法。在电镀起始阶段，夹持装置以特定的接触方式与筒形工件配合，保障工件平稳就位，利用夹持装置将筒形件浸入电镀液面以下的预定位置。顺利开启电镀流程，随着电镀反应的逐步推进，...
    2026-05-06
  • 一种电镀用阳极盒及其制作方法
    一种电镀用阳极盒及其制作方法_广东省广新离子束科技有限公司_202511981366.6
    本申请提出一种电镀用阳极盒及其制作方法，该制作方法包括：步骤S100：在盒体内设置阳极支撑框架；步骤S200：将阳极钛网安装在阳极支撑框架上；步骤S300：将阳极滤网安装在阳极支撑框架上，阳极滤网与阳极钛网贴合；步骤S400：将喷管安装在阳...
    2026-05-06
  • 一种基于微纳褶皱铜箔的锌离子电池集流体制备方法无负极锌离子电池
    一种基于微纳褶皱铜箔的锌离子电池集流体制备方法无负极锌离子电池_上海理工大学_202511904300.7
    本发明涉及一种基于微纳褶皱铜箔的锌离子电池集流体制备方法无负极锌离子电池，步骤1：制备微纳褶皱铜箔；步骤2：将具有均匀微纳褶皱结构的铜箔作为锌离子电池集流体并在10~15mA/cm²的电流密度下，得到锌离子的均匀沉积。本发明解决了锌离子电池...
    2026-05-06
  • 一种带钢电解除鳞装置及方法
    一种带钢电解除鳞装置及方法_河北赛强冶金重工机械有限公司_202511953954.9
    本发明涉及钢件表面处理技术领域，提出了一种带钢电解除鳞装置及方法，包括除鳞设备和电解槽，电解槽位于除鳞设备的出口侧，除鳞设备包括机箱；第一张力辊组转动设置于机箱进口处；第二张力辊组，转动设置于机箱出口处，第一张力辊组和第二张力辊组在转动后具...
    2026-05-06
  • 晶圆退镀设备和方法
    晶圆退镀设备和方法_芯栋微(上海)半导体技术有限公司_202610209522.5
    本公开提供了一种晶圆退镀设备和方法，设备包括电镀腔、阳极模块、晶圆夹具、电流密度调节模块、控制器、电源模块和电源切换模块；电源模块包括脉冲电源和直流电源；阳极模块包括若干个相互绝缘的电极板，每个电极板包括若干个相互绝缘的阳极分区；控制器用于...
    2026-05-06
  • 一种升级再造锂离子电池单晶正极材料的方法
    一种升级再造锂离子电池单晶正极材料的方法_北珂新能源(河北)有限公司_202511980537.3
    本发明提供了一种升级再造锂离子电池单晶正极材料的方法，涉及废锂电池正极再生工艺技术领域。包括废NCA多晶正极材料获取步骤，低温水热反应步骤，低温焙烧步骤，高温焙烧步骤，和低温回火补锂焙烧步骤。在剔除表面铝杂质的同时，利用低温水热技术精准调控...
    2026-05-06
  • 一种单晶磷酸铁锂及其制备方法和应用
    一种单晶磷酸铁锂及其制备方法和应用_广东兆瑞新能源技术有限公司_202511909222.X
    本发明公开了一种单晶磷酸铁锂及其制备方法和应用，属于电池材料技术领域，方法包括以下步骤：S01利用双氧水处理回收磷酸铁锂正极片，分离集流体和活性成分料液，使活性成分料液和磷酸加热反应后，降温进行磷酸铁晶体陈化，过滤收集固体并洗涤，得到磷酸铁...
    2026-05-06
  • 一种基于程序化功能切换的硫酸钙晶须长径比精准调控方法
    一种基于程序化功能切换的硫酸钙晶须长径比精准调控方法_青岛惠城环保科技集团股份有限公司_202610008601.X
    本发明公开了一种基于程序化功能切换的硫酸钙晶须长径比精准调控方法，属于无机功能晶体材料制备技术领域。本发明突破传统的静态调控局限，首创“程序化吸附‑解吸功能切换”新机制。本发明利用氨基三亚甲基膦酸(ATMP)作为晶面吸附剂，构建初始生长抑制...
    2026-05-06
  • 一种二水硫酸钙晶须的制备方法
    一种二水硫酸钙晶须的制备方法_中铝山东有限公司_202512017529.5
    本申请涉及硫酸钙制备技术领域，尤其涉及一种二水硫酸钙晶须的制备方法。所述制备方法包括：将生石灰研磨，得到生石灰粉末；使用水将生石灰粉末活化，得到活化石灰浆；将盐酸和活化石灰浆中和反应，得到混合液；将混合液依次压滤和固液分离，得到氯化钙溶液；...
    2026-05-06
  • 一种方便定量加料的单晶硅生长炉
    一种方便定量加料的单晶硅生长炉_新疆晶品新能源有限公司_202511693681.9
    本申请公开了一种方便定量加料的单晶硅生长炉，包括底座、炉体、炉盖、连接室、副室、加热单元、坩埚单元、籽晶夹具、氩气供应单元、水冷单元以及加料室；加料室的顶端安装有顶盖，加料室内具有升降座和料筒。本申请的单晶硅生长炉，具有副室和加料室，从而料...
    2026-05-06
  • 立方碳化硅单晶的制备方法
    立方碳化硅单晶的制备方法_中国科学院物理研究所_202511736043.0
    本发明提供一种立方碳化硅单晶的制备方法，其包括以下步骤：(1)将助溶剂置于石墨坩埚中并对生长炉抽真空，然后通入气体以控制生长炉内的气压；(2)加热所述石墨坩埚至助溶剂完全熔化以形成熔体，并达到SiC的生长温度；(3)下推生长炉内的石墨提拉杆...
    2026-05-06
  • 直拉法单晶硅制备方法以及系统
    直拉法单晶硅制备方法以及系统_上海超硅半导体股份有限公司_202511917499.7
    本发明提供一种直拉法单晶硅制备方法与配套生长系统。所述直拉法单晶硅制备方法，在化料结束后执行安定处理步骤，所述安定处理步骤包括磁场关闭阶段与磁场开启阶段，两个阶段石英坩埚的升降移动轨迹相同且旋转方向相反。上述技术方案在化料后设磁场关闭与开启...
    2026-05-06
  • 一种拉晶炉及其控制方法、计算机可读存储介质
    一种拉晶炉及其控制方法、计算机可读存储介质_上海新昇半导体科技有限公司_202512022461.X
    本发明提供了一种拉晶炉及其控制方法、计算机可读存储介质，拉晶炉包括炉体、保温单元、导流筒、导流筒升降杆和绝缘件；炉体上设接合孔；保温单元在炉体内；导流筒在炉体内，并至少部分地位于保温单元的上方，导流筒与保温单元的上端接触或与保温单元分离；导...
    2026-05-06
  • 一种晶棒断线处理方法及装置、直拉单晶炉
    一种晶棒断线处理方法及装置、直拉单晶炉_上海新昇半导体科技有限公司_202610070294.8
    本发明提供一种晶棒断线处理方法及装置、直拉单晶炉，晶棒断线处理方法包括以下步骤：响应于晶棒断线报警信号，确认启动自动回熔；根据预设的工艺配方，自动调整所述直拉单晶炉的回熔工艺参数，以执行回熔操作；基于传感器信号与时间维持的双重判定机制，确保...
    2026-05-06
  • 一种拉晶控制方法、装置、系统及存储介质
    一种拉晶控制方法、装置、系统及存储介质_天津中环领先材料技术有限公司_202511970298.3
    本申请公开了一种拉晶控制方法、装置、系统及存储介质，属于半导体制造技术领域。拉晶控制方法包括：首先获取单晶的当前熔区边界参数；然后基于当前熔区边界参数与单晶肩部长度的基准映射关系，确定当前基准参数；然后基于当前熔区边界参数与当前基准参数，确...
    2026-05-06
  • 一种基于机器视觉图像处理透明熔体实时控制晶体生长的方法
    一种基于机器视觉图像处理透明熔体实时控制晶体生长的方法_南京大学_202511887921.9
    本发明公开了一种基于机器视觉图像处理透明熔体实时控制晶体生长的方法，包括以下步骤：通过图像采集设备实时采集晶体生长过程中晶体与熔体界面的视频图像；对采集的图像进行预处理并提取有效特征；基于双阈值分割图像，确定精确识别范围与识别准确度，结合极...
    2026-05-06
  • 一种碳化硅晶体生长炉和方法
    一种碳化硅晶体生长炉和方法_宁夏鑫晶盛电子材料有限公司_202511756872.5
    本申请涉及半导体长晶技术领域，尤其是涉及一种碳化硅晶体生长炉和方法，一种碳化硅晶体生长炉，包括：炉体；加热器；以及坩埚，所述坩埚包括：坩埚本体，所述坩埚本体内部具有反应腔，所述坩埚本体的底部用于容置碳化硅原料；盖体，所述盖体盖设于所述坩埚本...
    2026-05-06
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