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  • 本发明公开了一种BC电池半成品返工片清洗方法,涉及电池制备技术领域,包括:采用链式机对BC电池返工片进行正反两面刻蚀处理,将刻蚀后的返工片经重新抛光投料后投入后续正常生产工序,所述链式机进行正反两面刻蚀处理依次包括预处理槽处理、刻蚀槽处理、...
  • 本申请提供了一种用于热退火设备的背侧进气组件及热退火设备,包括:反射板,用于向所述晶圆的背面反射所述晶圆发出的辐射能量;进气组件,为透明材质并设置在反射板上且具有进气内腔和出气孔,出气孔与进气内腔连通;进入进气内腔的惰性气体在进气内腔中分散...
  • 本发明涉及一种以与摩尔斯电码关联的方式显示半导体晶圆的批次信息的标记装置及方法。上述标记装置可包括:通信模块,接收所提供的半导体晶圆(Wafer)的识别信息;转换模块,通过处理上述识别信息来将其转换为显示信息;以及标记模块,将上述显示信息标...
  • 实施方式提供一种能够相对于进展方向将剥离对称地推进的剥离装置及剥离方法。实施方式的剥离装置是将由第一基板与第二基板接合而成的贴合基板剥离为所述第一基板和所述第二基板的剥离装置,具备:第一卡盘,其保持所述贴合基板中的所述第一基板;第二卡盘,其...
  • 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法,其能够提高基板处理装置的吞吐量。本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备装载部、滑动部、桥部、第一前部及第一后部。装载部、滑动部和桥部以该顺序在前后方向上排列。第一前部、桥部和第一后部...
  • 本发明提供一种基板处理装置,其适当地供给处理液。基板处理装置(1)具备前块(3)、箱体部(4)和后块(5)。前块(3)具备腔室(6)。后块(5)具备腔室(8)。箱体部(4)具备处理液容器(71a)、配管(72Fa)和送液部(79Fa)。处理...
  • 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法,其能够提高基板处理装置的吞吐量。本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备第一前部、第一后部和桥部。第一前部、桥部和第一后部以该顺序在前后方向上排列。第一前部具备多个处理单元。第一前部具...
  • 本发明提供一种热处理装置及热处理方法,其能防止闪光照射时的衬底的弹跳。在基座(74)的保持板(75)的上表面,立设具有比半导体晶圆(W)的直径小的直径的圆环形状的石英凸状部,也就是支撑环(77)。对由支撑环(77)支撑的半导体晶圆(W)的表...
  • 本发明的目的是提供一种能在不依赖于半导体晶圆成膜状态的情况下检测半导体晶圆是否存在的技术。晶圆检测单元包括:基座;多个支承销,其竖立设置在基座上并能够支承半导体晶圆;树脂部,其以能够与半导体晶圆接触的方式配置在各个支承销的前端并在中心部设置...
  • 本发明提供一种温度测量用晶圆及使用该温度测量用晶圆的基板处理系统,能够提高运转效率并在更高的温度条件下使用。温度测量用晶圆(1)具备温度传感器(3)、发送部(8)和电池基板(7)。发送部将温度传感器测量出的温度测量对象的温度数据以无线方式发...
  • 本发明公开了一种基板处理装置,该基板处理装置能够在通过将温度和浓度受控的处理溶液供应到基板来处理该基板时,防止在基板处理过程中出现缺陷。根据示例性实施例,该基板处理装置包括混合歧管,并且在该混合歧管中,第一入口管线至第四入口管线与出口管线并...
  • 提供一种无等离子干式蚀刻方法。将包括形成于基体上的介电质层的半导体结构置放在蚀刻腔室中,以执行该无等离子干式蚀刻方法。主要蚀刻剂气体、第一气体及前驱物被引进该腔室中。在该蚀刻程序期间,钝化源被产生以阻碍该主要蚀刻剂气体及该第一气体与该介电质...
  • 本发明适用于半导体技术领域,提供了一种固晶装置及固晶方法,上述固晶装置包括邦头机构与邦头驱动机构。邦头机构包括邦头固定座、固定架组、吸附结构、驱动结构以及压力检测单元,驱动结构用于驱动吸附结构沿第一方向往复运动。邦头驱动机构用于驱动邦头机构...
  • 本发明涉及一种基于槽式清洗消除PIN印的硅片加工方法,所属半导体加工技术领域,包括如下操作步骤:第一步:完成APCVD工序的硅片进行表面状态监测,确认其表面存在二氧化硅粉末。第二步:将所述硅片传送至槽式清洗机中进行沉浸式预清洗。第三步:将经...
  • 本申请涉及半导体制造装备技术领域,公开了一种半导体元件的自动化加工设备,用于加工半导体元件,包括轨道系统,所述轨道系统被设计为具有受控真空环境的密封通道,其包括环形主干道,所述环形主干道四周设置有多个工艺模块,多个所述工艺模块呈放射状围绕环...
  • 本发明提供一种半导体设备运行参数监控方法,涉及半导体设备的技术领域;所述运行参数监控方法通过获取每一晶片在工艺处理过程中的运行参数值,形成按生产顺序排列的运行参数值序列;针对运行参数值序列中的每一运行参数值,计算其与紧邻的前一运行参数值之间...
  • 本发明公开了一种晶圆扩膜装置,属于晶圆制程技术领域,本发明的晶圆扩膜装置包括基板、顶环、升降底板、中空上板、中空下板、第一传动机构和第二传动机构;升降底板、顶环和第一传动机构设置在基板上,中空上板、中空下板和第二传动机构设置在升降底板上;中...
  • 本发明公开了一种内外圈同步旋转的晶圆扩摸装置,属于晶圆制程技术领域,包括基板、顶环、升降底板、中空上板、中空下板、第一传动机构和第二传动机构;升降底板、顶环设置在基板上,中空上板、中空下板设置在升降底板上,中空下板用于放置晶圆框架,中空上板...
  • 本发明涉及电路封装设备技术领域,并具体公开了一种集成电路制造用封装设备,包括工作台,所述工作台顶部转动连接有转动柱,所述转动柱顶部固定连接有多工位转盘,所述转动柱上套设并固定连接有从动齿轮,所述从动齿轮侧面啮合有主动齿轮,所述主动齿轮底部固...
  • 本申请涉及一种分析系统、方法及存储介质,该分析系统包括:数据采集模块、存储模块、数据分析模块以及用户终端;数据采集模块与至少一个半导体工艺设备连接,用于采集每个待评价工艺腔室加工过程中的多类型数据;存储模块用于存储数据采集模块采集到的每个待...
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