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最新专利技术
  • 伸缩式电镀支架
    伸缩式电镀支架_礼鼎半导体科技秦皇岛有限公司_202411323954.6
    一种伸缩式电镀支架，包括第一伸缩部分、第二伸缩部分以及伸缩部。所述第一伸缩部分包括第一套管、连接所述第一套管的第一横杆以及设于所述第一横杆的多个第一夹具所述第一夹具用于夹持工件的一端。所述第二伸缩部分包括第二套管、连接所述第二套管的第二横杆...
    2026-04-16
  • 一种铝电解电容器用腐蚀箔的八次发孔制备方法
    一种铝电解电容器用腐蚀箔的八次发孔制备方法_广西贺州市桂东电子科技有限责任公司_202511866639.2
    本发明公开一种铝电解电容器用腐蚀箔的八次发孔制备方法，属于铝电解电容器电极材料制备领域。该方法经预处理后，依次进行四组同电解液异参数的八次发孔、硝酸扩孔及后处理；通过梯度化调控各阶段温度、电流密度等参数，配合专属电解液配方，实现腐蚀箔孔结构...
    2026-04-16
  • 镍钛合金管材的大长径比内孔电化学机械抛光方法及装置
    镍钛合金管材的大长径比内孔电化学机械抛光方法及装置_西南科技大学_202610222406.7
    本发明公开了一种镍钛合金管材的大长径比内孔电化学机械抛光方法及装置，涉及金属管内表面精密加工技术领域，包括：S1、将镍钛合金管材固定在夹持单元上；S2、通过定位单元调整抛光单元的位置，使得抛光单元的抛光面与镍钛合金管材内壁的最低点接触，完成...
    2026-04-16
  • 基于双极性方波电流的光学金属元件表面抛光装置和方法
    基于双极性方波电流的光学金属元件表面抛光装置和方法_上海交通大学_202411334538.6
    本发明提供了一种基于双极性方波电流的光学金属元件表面抛光装置和方法，该装置包括电化学离子刻蚀槽体、工件、电极、光敏元件组件、放大电路及激光发射器等，通过电机驱动反射镜扇叶改变激光方向，实现光电转换并生成周期双极性方波电流。该电流在电化学抛光...
    2026-04-16
  • 一种大尺寸金刚石抑制外延生长工艺
    一种大尺寸金刚石抑制外延生长工艺_内蒙古中启芯材料有限公司_202610196360.6
    本发明公开了一种大尺寸金刚石抑制外延生长工艺，将含硼无定形碳包覆的金刚石微粉与复合相变抑制剂微球进行表面改性并均匀混合；在衬底上分区铺设纯金刚石微粉中心层与所述混合粉末边缘层，并施加动态梯度压力进行压制成型；采用分区独立加热，第一温度区间使...
    2026-04-16
  • 一种区熔单晶及其生长方法、生长炉
    一种区熔单晶及其生长方法、生长炉_天津中环领先材料技术有限公司_202511793603.6
    本申请公开了一种区熔单晶及其生长方法、生长炉，涉及晶体制备技术领域。生长方法包括扩肩阶段，扩肩阶段包括凹槽成型步骤，凹槽成型步骤包括：当区熔单晶的直径达到第一直径D1时，进行缩径调节，使区熔单晶的直径减小至第二直径D2；当区熔单晶的直径达到...
    2026-04-16
  • 一种石英坩埚及其制备方法、大尺寸N型硅棒的制备方法
    一种石英坩埚及其制备方法、大尺寸N型硅棒的制备方法_四川高景太阳能科技有限公司_202511849724.8
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体而言，涉及一种石英坩埚及其制备方法、大尺寸N型硅棒的制备方法。所述的石英坩埚，包括：石英坩埚本体以及分散在所述石英坩埚本体中的掺杂材料。所述的石英坩埚，通过将掺杂材料直接均匀分散在石英坩埚本体的基体材料...
    2026-04-16
  • 一种用于PVT氮化铝晶体生长的弹性支撑籽晶座
    一种用于PVT氮化铝晶体生长的弹性支撑籽晶座_奥趋光电技术(杭州)有限公司_202511623557.5
    本发明公开了一种用于PVT氮化铝晶体生长的弹性支撑籽晶座，该装置包括基座本体、固定于基座本体上的弹性支撑组件以及搭接于弹性支撑组件上的弹性缓冲层，还设有环形刚性支撑台、弹簧定位座以及对缓冲层径向定位的导向柱等辅助结构。弹性支撑组件采用变径变...
    2026-04-16
  • 沉积机构及碳化硅外延设备
    沉积机构及碳化硅外延设备_深圳市纳设智能装备股份有限公司_202512039988.3
    本发明涉及样品沉积的技术领域，公开了一种沉积机构及碳化硅外延设备，沉积机构包括反应室、盘体组件、进气组件和探测件。反应室限定出反应腔，反应室的底部设置有安装口，安装口连通反应腔；盘体组件设于反应腔，盘体组件包括转盘和至少两个托盘，至少两个托...
    2026-04-16
  • 一种外延片及其制备方法
    一种外延片及其制备方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202511820863.8
    本申请公开了一种外延片及其制备方法。该外延片制备方法，包括：提供衬底；将衬底放置在反应腔内；在氢气氛围下，向反应腔内通入反应源，以在衬底上生长外延层；在生长外延层的过程中，反应腔具有第一压力P1；将氢气和残留的反应源通入尾气燃烧装置中进行燃...
    2026-04-16
  • 一种β-Ga2O3自支撑薄膜及其制备工艺
    一种β-Ga2O3自支撑薄膜及其制备工艺_西湖大学_202512001823.7
    本发明公开一种β‑Ga2O3自支撑薄膜及其制备工艺，涉及半导体薄膜技术领域，解决了现有工艺难以同时满足技术发展对单晶质量、大面积、厚度可控与可扩展性的多重需求的技术问题。本发明通过下述技术方案实现：S1：在β‑Ga2O3(100)面衬底上生...
    2026-04-16
  • 一种改善固液界面和杂质分布的晶体硅铸锭坩埚旋转控制方法
    一种改善固液界面和杂质分布的晶体硅铸锭坩埚旋转控制方法_浙大宁波理工学院_202511991152.7
    本发明提供了一种改善固液界面和杂质分布的晶体硅铸锭坩埚旋转控制方法，属于晶体硅材料的定向凝固制备技术领域。本发明所述的晶体硅铸锭坩埚旋转控制方法，包括以下步骤：采用间歇性正反旋转模式控制盛有硅熔体的坩埚，其中每一旋转周期依次包括正向旋转阶段...
    2026-04-16
  • 一种硅晶体生长系统及其控制方法
    一种硅晶体生长系统及其控制方法_山东力冠微电子装备有限公司_202610068810.3
    本发明为一种硅晶体生长系统及其控制方法，属于半导体生产领域。其技术方案为，一种硅晶体生长系统，包括坩埚，坩埚外周设有加热模组和磁场模组：加热模组含多个环形的加热单元，加热单元沿坩埚高度方向同轴排布且与中控模块电连接，可精准调控温度梯度；磁场...
    2026-04-16
  • 一水合碘酸铈二阶非线性光学晶体及其制备与应用
    一水合碘酸铈二阶非线性光学晶体及其制备与应用_燕山大学_202512020554.9
    本发明属于非线性光学材料技术领域，具体涉及一水合碘酸铈二阶非线性光学晶体及其制备与应用。本发明光学晶体的化学式为Ce2(IO3)6·H2O，属于单斜晶系，其空间群为Pc，晶胞参数为a=7.2639~7.2645 Å，b=11.1315~11...
    2026-04-16
  • 一种立方萤石型氟化镨钙钾磁光晶体及其制备方法
    一种立方萤石型氟化镨钙钾磁光晶体及其制备方法_福州大学_202610082501.1
    本发明公开了一种立方萤石型氟化镨钙钾磁光晶体材料及其制备方法和应用，属于磁光晶体材料技术领域。所述磁光晶体化学式为KxCayPr1‑x‑yF3‑2x‑y，其中x=0.1~0.6, y=0.1~0.7。该晶体属立方晶系，空间群为Fm3m。本发...
    2026-04-16
  • 一种立方萤石型氟化镨钠钾磁光晶体及其制备方法
    一种立方萤石型氟化镨钠钾磁光晶体及其制备方法_福州大学_202610082565.1
    本发明公开了一种立方萤石型氟化镨钠钾磁光晶体材料及其制备方法和应用，属于磁光晶体材料技术领域。所述磁光晶体的化学式为Kx Na1‑xPrF4，其中x=0.1~0.7。该晶体属立方晶系，空间群为Fm3m。通过在晶体中适量添加助熔剂KHF2，降...
    2026-04-16
  • 一种基于多晶InSe块生长多晶In2O3纳米线的制备方法
    一种基于多晶InSe块生长多晶In2O3纳米线的制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511730683.0
    本申请属于纳米材料制备技术领域，尤其涉及一种基于多晶InSe块生长多晶In2O3纳米线的制备方法，包括：将多晶InSe块经蒸馏水浸泡后，放入容器；将装有所述多晶InSe块的容器放入加热装置中，以10~50℃/min的升温速率，从室温加热至目...
    2026-04-16
  • 二维垂直生长稀土材料Eu2SO2的拓扑化学转化生长方法及应用
    二维垂直生长稀土材料Eu2SO2的拓扑化学转化生长方法及应用_天津大学_202511990613.9
    本发明公开了二维垂直生长稀土材料Eu2SO2的拓扑化学转化生长方法及应用，属于二维稀土材料和磁性材料技术领域。本发明利用铕粉和硫粉制备二维稀土材料，在高温下铕粉和氧气生成垂直生长的Eu2O3，为Eu2SO2提供了理想的拓扑框架，通入硫粉后发...
    2026-04-16
  • 一种层状过渡金属碲化物单晶材料及其制备方法和应用
    一种层状过渡金属碲化物单晶材料及其制备方法和应用_中国科学院合肥物质科学研究院_202511925102.9
    本发明涉及层状单晶材料技术领域，具体公开了一种层状过渡金属碲化物单晶材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：称取钽粉、碲粉、镍粉、钯粉作为原料，加入研钵中，加入碘粒后研磨至混合均匀；将研磨后的粉末放入石英管中真空密封，煅烧，降至预...
    2026-04-16
  • 一种半导体电镀的退火腔结构
    一种半导体电镀的退火腔结构_天沐半导体科技(江苏)有限公司_202512048067.3
    本发明公开了一种半导体电镀的退火腔结构，包括若干个上下设置的退火腔，每个退火腔的一侧开有出风口；均流通道设置在出风口的一侧，均流通道包括主体结构、排气接口和晶圆进出通道；主体结构的内部具有腔体；排气接口与腔体的一端相通；晶圆进出通道设置在主...
    2026-04-16
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