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最新专利技术
  • 一种提高甜瓜含糖量的栽培方法
    一种提高甜瓜含糖量的栽培方法_黑龙江省农业科学院大庆分院_202510542417.9
    本发明涉及甜瓜栽培技术领域。本发明提供了一种提高甜瓜含糖量的栽培方法，包括如下步骤：(1)将甜瓜种子浸泡后催芽，随后将甜瓜种子播种到育苗基质中，培育得到甜瓜苗；(2)在大田中施入基肥，随后将甜瓜苗定植到大田中；(3)对甜瓜苗进行水肥管理、光...
    2026-02-18
  • 豆皮残渣制备鹿茸菇菌棒的方法及牛饲料
    豆皮残渣制备鹿茸菇菌棒的方法及牛饲料_苏州工学院_202510539285.4
    本发明公开了利用豆皮残渣制备鹿茸菇菌棒的方法及牛饲料，制备方法包括以下步骤：(1)豆皮的预处理：利用酶制剂分解豆皮中的纤维素和半纤维素，破坏其紧密结构；再利用高压脉冲电场破坏豆皮细胞膜和纤维结构，形成多孔结构；(2)活化菌种：将金针菇斜面接...
    2026-02-18
  • 一种物理-化学协同生态防控刺苍耳的方法
    一种物理-化学协同生态防控刺苍耳的方法_石河子大学_202510543151.X
    本发明提供了一种物理‑化学协同生态防控刺苍耳的方法，属于入侵植物综合治理技术领域。本发明提供的物理‑化学协同生态防控刺苍耳的方法，包括如下步骤：在刺苍耳苗期喷施草甘膦溶液后，覆盖黑色地膜。本发明提供的方法对刺苍耳的防效高达97％以上，种子库...
    2026-02-18
  • 一种基于有机聚合物粘结剂的多孔电极及其制备方法与应用
    一种基于有机聚合物粘结剂的多孔电极及其制备方法与应用_华中科技大学_202510547705.3
    本发明提出了一种基于有机聚合物粘结剂的多孔电极及其制备方法与应用，属于光电器件领域。本发明通过在导电浆料中引入一类有机聚合物高温粘结剂，改善了多孔电极中导电颗粒之间的结合强度，提升了相应多孔电极的机械性能，避免了附着能力较差导致的多孔电极变...
    2026-02-18
  • 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
    显示面板、显示面板的制备方法及显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202510552123.4
    本申请提供一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置，该显示面板包括：基板；发光单元，设置于基板的一侧，发光单元包括沿远离基板方向层叠设置的第一电极、发光功能层和第二电极；辅助电极，设置于第二电极远离基板的一侧，辅助电极与第二电极接触。本申...
    2026-02-18
  • 显示面板及其检测方法、显示装置
    显示面板及其检测方法、显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202510550055.8
    本申请实施例提供一种显示面板及其检测方法，显示面板包括：子像素单元，包括发光子像素和感光子像素，发光子像素用于发光，感光子像素用于获取感应光信息；识别单元，用于获取生物识别检测区域，生物识别检测区域包括两个以上的子区域，子区域至少包括感光子...
    2026-02-18
  • 显示模组和显示装置
    显示模组和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202510549875.5
    本发明提供一种显示模组和显示装置，涉及显示技术领域，用于解决显示产品存在边框区域反光的问题。所述显示模组包括：显示区域和位于显示区域周边的周边区域；周边区域包括：封装层、反光层和反射光线吸收层，封装层远离衬底基板的一侧表面包括凹凸部分；反光...
    2026-02-18
  • 发光器件及显示装置
    发光器件及显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202510550957.1
    本申请提供了一种发光器件及显示装置。该发光器件包括：发光层；第一电子阻挡层，位于发光层一侧，第一电子阻挡层和发光层邻接；调节层，位于第一电子阻挡层背离发光层的一侧，所述调节层与所述发光层之间的最小距离大于或等于3nm；以及空穴传输层，位于调...
    2026-02-18
  • 发光器件及其制备方法、显示面板
    发光器件及其制备方法、显示面板_昆山国显光电有限公司_202510549819.1
    本申请提供了一种发光器件及其制备方法、显示面板。该发光器件包括：发光层；空穴传输层，位于发光层的一侧；以及电子阻挡层，位于空穴传输层和发光层之间；其中，电子阻挡层的材料包括第一化合物和第二化合物，第一化合物包括三苯胺，第一化合物中三苯胺的三...
    2026-02-18
  • 有机电致发光器件及其制备方法和显示面板
    有机电致发光器件及其制备方法和显示面板_合肥维信诺科技有限公司_202510551133.6
    本申请实施例提供了一种有机电致发光器件及其制备方法和显示面板，涉及显示技术领域。有机电致发光器件包括电子阻挡层、发光层和空穴阻挡层，发光层位于电子阻挡层的一侧，空穴阻挡层位于发光层背离电子阻挡层的一侧，其中，发光层包括与电子阻挡层接触的第一...
    2026-02-18
  • 有机电致发光器件、显示面板及制备方法、显示装置
    有机电致发光器件、显示面板及制备方法、显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202510551123.2
    本申请提供了一种有机电致发光器件、显示面板及制备方法、显示装置，有机电致发光器件，包括：依次层叠设置的阳极层、发光层和阴极层；其中，发光层包括主体材料、敏化剂和染料；敏化剂和染料掺杂于主体材料中，从阳极层指向阴极层的方向上，敏化剂的掺杂浓度...
    2026-02-18
  • 显示模组封装方法、显示模组封装结构及其修复方法
    显示模组封装方法、显示模组封装结构及其修复方法_东莞市中麒光电技术有限公司_202510547577.2
    本发明公开了一种显示模组封装方法，包括：提供电路板，电路板的正面焊接有若干LED芯片的阵列；将黑色底膜贴附在所述电路板的正面，所述黑色底膜覆盖所述电路板正面的同时全覆盖所述LED芯片，并被所述LED芯片撑开变薄，使得位于所述LED芯片顶面上...
    2026-02-18
  • 一种提升发光效率的发光二极管单晶生长制备方法
    一种提升发光效率的发光二极管单晶生长制备方法_湘能华磊光电股份有限公司_202510544745.2
    本申请提供了一种提升发光效率的发光二极管单晶生长制备方法，涉及半导体芯片制作技术领域，包括S1：对衬底进行脱附处理；S2：在衬底的顶部依次单晶生长缓冲层、非掺杂GaN层和n型GaN层；S3：在n型GaN层中单晶生长InGaN/GaN多量子阱...
    2026-02-18
  • 一种背面局部掺杂的TBC电池及其制备方法
    一种背面局部掺杂的TBC电池及其制备方法_淮安捷泰新能源科技有限公司_202510549826.1
    本发明公开了一种背面局部掺杂的TBC电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域，包括背面具有高度差的衬底，衬底为N型或P型硅基底，衬底正面由内到外依次设有正面钝化层和正面减反射层，衬底背面设有隧穿氧化层，隧穿氧化层下方依次设有掺杂层、背面钝化...
    2026-02-18
  • 一种N-TOPCON电池的制备方法及电池结构
    一种N-TOPCON电池的制备方法及电池结构_淮安捷泰新能源科技有限公司_202510549703.8
    本发明公开了一种N‑TOPCON电池的制备方法及电池结构，属于太阳能电池片生产技术领域，包括制绒、硼扩散掺杂、碱抛、形成SiO层和N+多晶硅层、RCA清洗、ALD氧化铝薄膜、沉积氮化硅薄膜、丝网印刷、烧结、光注入；ALD氧化铝薄膜是采用原子...
    2026-02-18
  • 一种防飓风发电节能玻璃
    一种防飓风发电节能玻璃_信义玻璃(江苏)有限公司_202510544878.X
    本发明涉及玻璃制造技术领域，具体地说是一种防飓风发电节能玻璃，包括钢化均质玻璃，所述钢化均质玻璃上端设置有碲化镉发电芯片、中间隔离层以及钢化玻璃基层，所述中间隔离层包括第一中间隔膜和第二中间隔膜；钢化均质玻璃和钢化玻璃基层组成的复合层可满足...
    2026-02-18
  • 基于非极性m面的氮化物CMOS器件及其制备方法
    基于非极性m面的氮化物CMOS器件及其制备方法_西安电子科技大学_202510548529.5
    本发明公开了一种基于非极性m面的氮化物CMOS器件，包括：衬底、非极性m面GaN层、AlGaN层、漏电极、栅电极、源电极；其中，GaN层位于衬底上，且中间刻蚀有一凹槽；AlGaN层设置在凹槽的左右侧壁上；其中，位于凹槽左侧壁上的AlGaN层...
    2026-02-18
  • 一种基于二维晶圆级材料的抗辐照晶体管设计
    一种基于二维晶圆级材料的抗辐照晶体管设计_鲸鹏二维半导体科技(绍兴)有限公司_202510544407.9
    本发明属于集成电路技术领域，具体为一种基于晶圆级二维材料的抗辐照射频晶体管设计。本发明射频晶体管的结构包括：单层晶圆级二维半导体沟道材料、二维介质层及金属层。利用二维材料不受高能粒子辐照影响的特性和抗辐照高阻的蓝宝石衬底，提高射频器件的抗辐...
    2026-02-18
  • 一种高电容密度的三维电容结构及其制备方法
    一种高电容密度的三维电容结构及其制备方法_上海芯旺微电子技术股份有限公司_202510547307.1
    本发明公开了一种高电容密度的三维电容结构及其制备方法，属于电力电子元件技术领域。包括：在基板表面沉积多层金属层‑绝缘层‑金属层结构形成电容，其中金属层作为电容的极板，绝缘层作为电容的介质层；并且不同金属层间通过绝缘层之间的环形通孔或者通孔阵...
    2026-02-18
  • 一种高电容密度的三维电容结构及其制备方法
    一种高电容密度的三维电容结构及其制备方法_上海芯旺微电子技术股份有限公司_202510547296.7
    本发明公开了一种高电容密度的三维电容结构及其制备方法，属于电力电子元件技术领域。包括：在基板上采用生长工艺形成深槽或者柱状结构作为电容的基础结构，并在此基础结构上沉积金属层‑绝缘层‑金属层结构形成电容，其中金属层作为电容的极板，绝缘层作为电...
    2026-02-18
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