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最新专利技术
  • 轴向低压降高电压快恢OJ二极管制造方法
    轴向低压降高电压快恢OJ二极管制造方法_常州银河电器有限公司_202510842001.9
    本发明涉及一种轴向低压降高电压快恢OJ二极管制造方法， 步骤为：材料准备， 材料表面处理， 封装处理， 焊接， 酸洗， 上胶， 固化， 模压， 老化， 回流焊和二次老化。本发明使用经过研磨的晶圆和玻璃钝化切割后芯片， 低温焊接， 焊接气孔更...
    2026-03-22
  • 半导体器件的制造方法、半导体器件、衬底处理装置及记录介质
    半导体器件的制造方法、半导体器件、衬底处理装置及记录介质_株式会社国际电气_202510051978.9
    本发明涉及半导体器件的制造方法、半导体器件、衬底处理装置及记录介质。课题是提供能够抑制在衬底与半导体芯片之间埋入底部填充材料时产生孔隙的技术。解决手段具有：在衬底上接合半导体芯片时， 在所述衬底的与所述半导体芯片的接合面侧的第一面上形成微凸...
    2026-03-22
  • 封装结构及封装方法
    封装结构及封装方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410386170.1
    一种封装结构及封装方法， 其中封装方法包括：提供基板， 所述基板具有键合面；提供芯片封装单元， 所述芯片封装单元具有相对的第一面和第二面；在所述芯片封装单元的第一面上形成粘合层；在所述粘合层上形成辅助基板， 所述辅助基板的热膨胀系数大于所述...
    2026-03-22
  • 功率芯片封装结构及其制造方法
    功率芯片封装结构及其制造方法_同欣电子工业股份有限公司_202410377362.6
    本申请公开一种功率芯片封装结构及其制造方法。所述功率芯片封装结构包含一载板、多个支撑部、一导电膏及一功率芯片。所述载板包含一陶瓷板及形成于所述陶瓷板的一内金属层。所述内金属层包含一连接垫及彼此间隔设置且位于所述连接垫外侧的多个承载区块。多个...
    2026-03-22
  • 一种半导体结构的制作方法
    一种半导体结构的制作方法_长鑫科技集团股份有限公司_202510898016.7
    本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构， 涉及半导体领域， 半导体结构的制作方法包括：形成基底， 基底包括衬底以及设置于衬底上的导电层；于导电层上形成光刻胶图案层；以光刻胶图案层为掩膜， 图案化导电层， 得到接触垫；去除光刻胶图案层...
    2026-03-22
  • 半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备
    半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410362011.8
    本发明提供一种半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备， 该半导体膜层包括由上而下依次设置的第一膜层和第二膜层， 包括：利用第一气体对半导体膜层中的第一膜层进行刻蚀并暴露出第二膜层， 形成图形化的第一膜层；对第一膜层的图形侧壁进行钝化处理， 形...
    2026-03-22
  • 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
    衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质_株式会社国际电气_202510048244.5
    本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题是提供一种能够从衬底上的特定区域选择性地形成金属含有膜的技术。解决手段是(a)通过向衬底供给卤素含有剂， 从而在所述衬底形成促进有机含有剂的吸附的吸附促进层的工序；(...
    2026-03-22
  • 处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及处理装置
    处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及处理装置_株式会社国际电气_202510048168.8
    本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及处理装置。课题在于提供能够选择性地蚀刻特定区域的技术。解决手段包括：(a)通过向具有第1面和第2面的对象供给阻碍剂， 从而使所述阻碍剂吸附于所述第2面的工序；(b)向所述第1面供给含第1卤...
    2026-03-22
  • 半导体基体的处理方法
    半导体基体的处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202410365916.0
    本发明的半导体基体的处理方法包括：在半导体基体的表面形成介质层；在所述介质层上沉积弹性材料层；以及在所述弹性材料层上沉积元器件。该方法简单高效， 能够改善半导体基体的柔韧性， 从而适应更广的应用范围。
    2026-03-22
  • 用于等离子体蚀刻衬底的方法和设备
    用于等离子体蚀刻衬底的方法和设备_SPTS科技有限公司_202411634414.X
    本申请案的实施例涉及用于等离子体蚀刻衬底的方法和设备。一种等离子体蚀刻衬底的方法， 所述方法包括：(a)提供其上形成有掩模的衬底， 所述掩模具有开口， 其中所述衬底包括至少一个GaN或GaN合金层；(b)执行第一等离子体蚀刻步骤以通过所述开...
    2026-03-22
  • 蚀刻方法
    蚀刻方法_SPTS科技有限公司_202411634185.1
    本申请涉及一种蚀刻方法。根据本发明， 提供一种对包括至少一个GaN或GaN合金层的衬底进行等离子体蚀刻以形成特征的方法， 所述方法包括以下步骤：(a)提供上面形成有掩模的衬底， 所述掩模具有开口， 其中所述衬底包括至少一个GaN或GaN合金...
    2026-03-22
  • 一种半导体硅基板的加工方法
    一种半导体硅基板的加工方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202410354963.5
    本发明公开了一种半导体硅基板的加工方法， 包括：在半导体硅基板的表面上形成第一层硅膜；在所述第一层硅膜的表面上形成第二层硅膜；通过化学反应或退火处理， 使所述第二层硅膜发生固相晶化， 并形成晶粒；在所述第二层硅膜中形成横向孔隙结构。采用本发...
    2026-03-22
  • 一种通过激光处理提高碲锌镉厚膜表面质量的方法
    一种通过激光处理提高碲锌镉厚膜表面质量的方法_成都信息工程大学_202511202610.4
    本发明之目的是提供一种通过激光处理提高碲锌镉厚膜表面质量的方法。碲锌镉厚膜处理技术领域， 包括预处理：用去离子水冲洗碲锌镉厚膜样品表面3min；随后用无水乙醇冲洗样品表面5min， 将样品浸泡在无水乙醇中超声波清洗2min；将样品浸泡在丙酮...
    2026-03-22
  • 硅基底的应力释放方法
    硅基底的应力释放方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202410356868.9
    本发明的硅基底的应力释放方法包括：对硅基底置于硅基底激光束下加热， 同时向所述硅基底施加纳秒级电压脉冲；将所述硅基底冷却至室温；以及对所述硅基底进行性能测试。该方法简单高效、成本低， 能够在较短时间内实现应力释放， 同时不会引起晶体生长和相...
    2026-03-22
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511186831.7
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法， 具体涉及半导体领域。所述制造方法包括以下步骤：提供衬底， 所述衬底内形成有若干浅沟槽隔离结构， 相邻所述浅沟槽隔离结构之间的衬底为有源区， 所述有源区上覆盖有垫氧化层；在所述衬底上形成第一图形化的光阻...
    2026-03-22
  • 一种在基于图形化硅衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法
    一种在基于图形化硅衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法_西南交通大学_202510995598.0
    本发明提供一种在基于图形化硅衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法， 包括以下步骤：S1、选用具有凹型图案的图形化硅衬底；S2、利用化学气相沉积方法在所述图形化硅衬底上直接生长数层的石墨烯薄膜；S3、通过金属有机化学气相沉积方法在生长完石墨烯薄膜的...
    2026-03-22
  • 一种降低表面损伤的低温键合方法及其键合片
    一种降低表面损伤的低温键合方法及其键合片_达波科技(上海)有限公司_202511141949.8
    本发明提供了一种降低表面损伤的低温键合方法及其键合片， 涉及晶圆键合技术领域。在高真空环境下， 分别将待键合的第一晶片和第二晶片的键合面采用第一原子束进行第一次辐照处理， 得到第一活化层；将步骤S1第一次辐照处理后的键合面采用第二原子束进行...
    2026-03-22
  • 硬掩模叠层及其制作方法
    硬掩模叠层及其制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202510650703.7
    本发明提供了一种硬掩模叠层及其制作方法， 属于半导体领域。硬掩模叠层包括基底层。中间层， 所述中间层至少包括第一薄膜层和第二薄膜层， 所述第一薄膜层设置于所述基底层表面， 以及覆盖层， 设置于所述第二薄膜层的表面。其中， 所述中间层的材料包...
    2026-03-22
  • 一种半导体复合衬底的制备方法
    一种半导体复合衬底的制备方法_深圳平湖实验室_202511188592.9
    本公开实施例提供了一种半导体复合衬底的制备方法， 通过对将氢离子注入后的薄膜转移衬底的Si面进行面型处理， 在Si面的表面形成的损伤层可以抵消氢离子注入后产生的应力形变， 从而得到低翘曲度的薄膜转移衬底， 提升后续键合质量， 最终可以得到高...
    2026-03-22
  • 可降低退火热应力的含锑化铟异质晶圆制备方法及产品
    可降低退火热应力的含锑化铟异质晶圆制备方法及产品_达波科技(上海)有限公司_202511180090.1
    本申请涉及可降低退火热应力的含锑化铟异质晶圆制备方法及产品， 属于含锑化铟异质晶圆制造技术领域。该方法包括：提供供体锑化铟衬底， 离子注入形成离子注入层、弱化层和供体衬底余质层；提供载体锑化铟衬底；在载体锑化铟衬底和供体锑化铟衬底表面沉积A...
    2026-03-22
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