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最新专利技术
  • 一种用于PCB水平沉铜的沉铜液及其制备方法
    一种用于PCB水平沉铜的沉铜液及其制备方法_惠州市荣安达化工有限公司_202510755868.0
    本申请涉及水平沉铜技术领域， 更具体地说， 涉及一种用于PCB水平沉铜的沉铜液及其制备方法， 以水为溶剂， 包括以下浓度的组份：可溶性铜盐15‑30g/L、还原剂10‑30g/L、稳定剂0.45‑0.55g/L、调节剂0.5‑0.8g/L、...
    2025-12-27
  • 一种解决印制电路板盲槽渗金的方法
    一种解决印制电路板盲槽渗金的方法_珠海杰赛科技有限公司_202510762688.5
    本发明公开了一种解决印制电路板盲槽渗金的方法， 包括下列步骤：S1， 在沉镍金工艺前， 使用30至50%质量浓度的硫脲除钯剂将印制电路板的盲槽内含钯组分进行反应；S2， 使用等离子清洗机将盲槽内反应后的残留物进行清洁， 清洁温度在20℃至3...
    2025-12-27
  • 一种环形波导电子回旋共振等离子体化学气相沉积装置
    一种环形波导电子回旋共振等离子体化学气相沉积装置_北京科技大学_202510835349.5
    一种环形波导电子回旋共振等离子体化学气相沉积装置， 属于微波等离子体法化学气相沉积领域。装置包括：微波电源、矩形波导、三销钉调配器、短路活塞、环形波导、环形石英窗、钨制偏压电极、圆柱形微波谐振腔、测温观察窗口、进气口、排气口、可升降式衬底台...
    2025-12-27
  • 预沉积的工艺设备、工艺方法和一种双层预涂层
    预沉积的工艺设备、工艺方法和一种双层预涂层_拓荆科技(上海)有限公司_202510926183.8
    本发明公开了一种预沉积的工艺设备、工艺方法和双层预涂层。该工艺设备包括：反应腔；第一进气管路组， 用于分别向所述反应腔内通入第一前驱体和第二前驱体， 生成第一预沉积膜层， 以粘附于所述反应腔内壁；以及第二进气管路， 用于向所述反应腔内通入第...
    2025-12-27
  • 光学窗口组件、反应装置及光波波段的过滤方法
    光学窗口组件、反应装置及光波波段的过滤方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202510992179.1
    本申请提供了一种光学窗口组件、反应装置及光波波段的过滤方法， 涉及集成电路制造技术领域， 本申请将入射窗口设置为中空结构且具有供气体出入的气体通道， 这样当光源依次通过入射窗口和匀光窗口照射至晶圆表面， 驱动晶圆表面发生化学反应时， 将不同...
    2025-12-27
  • 一种用于化学气相沉积的回转炉装置
    一种用于化学气相沉积的回转炉装置_北京壹金新能源科技有限公司_202511199122.2
    本发明涉及一种用于化学气相沉积的回转炉装置， 包括回转炉体及外部的加热装置， 回转炉体依次包括给料段、反应段和冷却段， 给料段设有尾气过滤器， 用于截留尾气中的固体物料；反应段内设有搅拌装置；反应段与冷却段之间设有布气换热装置， 用于为反应...
    2025-12-27
  • 声波辅助减少腔壁颗粒脱落的方法及其设备
    声波辅助减少腔壁颗粒脱落的方法及其设备_重庆芯联微电子有限公司_202510784535.0
    本发明提供一种声波辅助减少腔壁颗粒脱落的方法及其设备， 包括反应腔、喷淋头、承载台及声波发生器， 本发明通过引入声波发生器， 可使得声波在腔壁上产生机械振动， 增强分子的运动和相互扩散， 以形成有序的晶体生长和排列， 促使沉积过程中位于腔壁...
    2025-12-27
  • 匀流组件及立式炉
    匀流组件及立式炉_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510759264.3
    本发明提供一种匀流组件及立式炉， 涉及半导体加工技术领域。该匀流组件包括进气结构和排气结构， 其中， 进气结构具有进气流道和连通于进气流道的多个进气部， 多个进气部沿第一方向间隔排布；排气结构具有排气流道和连通于所述排气流道的多个排气部， ...
    2025-12-27
  • 镀膜设备及镀膜方法
    镀膜设备及镀膜方法_深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司_202510792436.7
    本申请提出了一种镀膜设备及镀膜方法， 镀膜方法包括如下步骤：将基片置于真空环境中， 并向真空环境中通入至少一种反应源和第一氧源；通过热丝加热反应源以生成活性基团， 并使活性基团在基片的表面沉积形成金属膜层， 同时第一氧源催化活性基团和残余反...
    2025-12-27
  • 一种SiC/Ti3AlC2多层交替涂层及制备方法
    一种SiC/Ti3AlC2多层交替涂层及制备方法_西北工业大学_202510910613.7
    发明公开了一种SiC/Ti3AlC2多层交替涂层及其制备方法， 属于涂层复合材料技术领域。该涂层以SiC层为外层和底层， 中间为交替排列的Ti3AlC2层和SiC层， 避免贯穿性裂纹产生。结合化学气相沉积与料浆涂刷工艺：先在C/C基体表面沉...
    2025-12-27
  • 一种改善Poly非晶硅膜边缘毛边的方法
    一种改善Poly非晶硅膜边缘毛边的方法_宜宾英发德耀科技有限公司_202510911824.2
    本发明公开了一种改善Poly非晶硅膜边缘毛边的工艺结构及方法， 针对N型TOPCON电池背面POLY层制备中LPCVD工艺因进气管硅烷颗粒堵塞导致硅片边缘毛边的问题， 提供了无需硬件改造的解决方案。通过将沉积温度从622℃降至615℃、沉积...
    2025-12-27
  • 一种金属有机化合物化学气相沉积设备
    一种金属有机化合物化学气相沉积设备_叁砖科技(南京)有限公司_202511206908.2
    本发明公开了一种金属有机化合物化学气相沉积设备， 涉及半导体制造设备技术领域。该金属有机化合物化学气相沉积设备包括至少由第一阻隔部件、第二阻隔部件和第三阻隔部件组成的多级阻隔系统， 以及至少由主气体供应端口、第一副气体供应端口和第二副气体供...
    2025-12-27
  • 一种等离子体腔室及用于物理气相沉积的预清洗设备
    一种等离子体腔室及用于物理气相沉积的预清洗设备_盐城工学院_202510991706.7
    本发明涉及半导体制造领域， 尤其涉及一种等离子体腔室及用于物理气相沉积的预清洗设备， 本发明的等离子体腔室包括：真空腔室， 所述真空腔室顶部设置有气体分配模块， 所述真空腔室正面设置有门体一， 所述真空腔室内设置有基座， 所述基座上设置有夹...
    2025-12-27
  • 一种镀膜机镀膜质量的检测方法及系统
    一种镀膜机镀膜质量的检测方法及系统_东阳富仕特磁业有限公司_202510947281.X
    本发明公开了一种镀膜机镀膜质量的检测方法及系统， 涉及工业自动化与智能检测技术领域， 采集并预处理光谱反射率数据和膜层厚度振荡频率数据， 提取出镀膜质量特征， 构建质量分类模型和厚度预测模型， 输出镀膜质量分类结果、质量置信度、厚度预测值与...
    2025-12-27
  • 铂金纳米级表面处理智能控制系统
    铂金纳米级表面处理智能控制系统_金泰隆珠宝有限公司_202510997578.7
    本发明涉及铂金表面处理技术领域， 公开了铂金纳米级表面处理智能控制系统。该系统包括能量分配调控模块、电场环境优化模块、离子动态调整模块、处理异常干预模块和表面处理质量提升模块。能量分配调控模块分析能量分布与热均匀性适配程度， 生成能量分布控...
    2025-12-27
  • Ta-C复合涂层及制备方法
    Ta-C复合涂层及制备方法_上海海立电器有限公司_202511213334.1
    本发明提供了一种Ta‑C复合涂层及制备方法， 所述复合涂层形成于高速钢基体、不锈钢基体或铸铁基体上， 所述复合涂层包括依次层叠设置的过渡层和耐磨层；所述过渡层包括Me层、MeN层、Me(W)N层以及MeWN层；所述耐磨层包括WC层、WC/T...
    2025-12-27
  • 一种脉冲磁控溅射涂层制备装置及制备方法
    一种脉冲磁控溅射涂层制备装置及制备方法_成都超迈光电科技有限公司_202511003754.7
    本发明公开了一种脉冲磁控溅射涂层制备装置及制备方法， 属于磁控溅射技术领域， 包括溅射罐；溅射罐内设有靶材溅射机构和基板夹持机构；靶材溅射机构用于夹持并轰击靶材， 以产生靶材原子；基板夹持机构包括固定架；固定架上设有以溅射罐轴线为中心对称布...
    2025-12-27
  • 一种半导体生产用陶瓷基板镀膜设备
    一种半导体生产用陶瓷基板镀膜设备_芯聚精密制造(泰州)有限公司_202510958915.1
    本发明公开了一种半导体生产用陶瓷基板镀膜设备， 涉及镀膜设备技术领域， 镀膜设备包括输送机构、夹持机构、清洁机构、镀膜机构和温控机构， 输送机构和夹持机构传动连接， 夹持机构和清洁机构传动连接， 输送机构和镀膜机构紧固连接， 温控机构和镀膜...
    2025-12-27
  • 一种高靶材利用率的条形平面磁控阴极
    一种高靶材利用率的条形平面磁控阴极_上海源创同章表面涂层科技有限公司_202510939528.3
    本发明属于离子镀膜技术领域， 具体涉及一种高靶材利用率的条形平面磁控阴极， 包括条形靶材、背板、内磁钢和外磁钢， 其中：条形靶材固定于背板上， 外磁钢设置于背板背对条形靶材的一侧， 包含至少一个N‑S磁极对；内磁钢完全嵌入在背板内， 每个内...
    2025-12-27
  • 一种超导薄膜及其制备工艺设备
    一种超导薄膜及其制备工艺设备_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202510929615.0
    本发明提供一种超导薄膜及其制备工艺设备， 工艺设备中溅射系统和基底系统在反应腔室内上下相对；工作气体进气通道位于反应腔室的壳体靠近靶材的位置， 反应气体进气通道位于反应腔室的壳体靠近基底系统的位置， 排气口位于反应腔室侧壁的壳体。本发明设置...
    2025-12-27
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