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最新专利技术
  • 时间数字转换器、电路板组件及电子设备
    时间数字转换器、电路板组件及电子设备_宁波奥拉半导体股份有限公司_202511053677.6
    本申请涉及电路技术领域， 公开了一种时间数字转换器、电路板组件及电子设备， 本申请的时间数字转换器包括：脉冲宽度生成器的输出端连接计数模块的输入端， 计数模块的输出端连接第一多路复用器的第一输入端以及符号模块的输入端， 符合模块的输出端连接...
    2026-01-22
  • 一种基于光学参考腔的光钟系统及其控制方法
    一种基于光学参考腔的光钟系统及其控制方法_中国科学院国家授时中心_202511210875.9
    本发明涉及了计量仪器技术领域， 具体涉及了一种基于光学参考腔的光钟系统及其控制方法， 包含激光器A、激光器B、第一与第二光路分配组件、光学参考腔、光学频率梳及伺服系统。激光器A和激光器B分别输出不同频率的激光， 第一光路分配组件置于激光器A...
    2026-01-22
  • 基于循环矩阵调制实现单像素全息成像的成像方法
    基于循环矩阵调制实现单像素全息成像的成像方法_太原理工大学_202510839173.0
    本发明涉及计算全息与单像素成像交叉领域。一种基于循环矩阵调制实现单像素全息成像的方法， 选择使用的循环调制模式生成模块， 选择同轴干涉成像或离轴干涉成像， 确定成像初始条件以及参数， 所述初始条件以及参数包括：待测波前成像分辨率M×N和循环...
    2026-01-22
  • 一种用于光学衍射层析重建的三维频谱分配插值与加权叠加方法
    一种用于光学衍射层析重建的三维频谱分配插值与加权叠加方法_广东工业大学_202511220329.3
    本发明属于光学成像与计算光学技术领域， 具体涉及一种用于光学衍射层析重建的三维频谱分配插值与加权叠加方法， 首先， 将各倾斜照明角度下获得的复振幅分布转换为三维频域点集。对于落在kz轴上非整数坐标的频谱点， 按其与相邻整数点距离计算比重， ...
    2026-01-22
  • 图像形成装置
    图像形成装置_佳能株式会社_202510385009.7
    本申请公开了图像形成装置。一种图像形成装置包括图像承载构件、中间转印带、被配置为清洁残留在中间转印带的外周表面上的调色剂的清洁刮板、被配置为在沿中间转印带的旋转方向上位于第一接触部分下游的第二接触部分处与中间转印带的外周表面接触的刮刀、被配...
    2026-01-22
  • 一种图像形成控制方法、装置、电子设备及存储介质
    一种图像形成控制方法、装置、电子设备及存储介质_珠海奔图电子有限公司_202511072076.X
    本申请提供了一种图像形成控制方法、装置、电子设备及存储介质。其中， 所述方法包括：在转印系统处于非工作状态时， 检测转印系统的阻抗信号；根据阻抗信号， 确定转印电压。可理解， 由于转印系统处于非工作状态， 转印系统中感光鼓和转印辊的接触面积...
    2026-01-22
  • 电子照相构件、处理盒和电子照相图像形成设备
    电子照相构件、处理盒和电子照相图像形成设备_佳能株式会社_202510414131.2
    本发明涉及电子照相构件、处理盒和电子照相图像形成设备。一种电子照相构件， 其包括：具有导电性外表面的支承构件；和设置在所述支承构件的外表面上的导电层， 其中所述导电层包括包含第一橡胶的基体、和分散在所述基体中的多个域， 所述基体的体积电阻率...
    2026-01-22
  • 片材排出设备和成像设备
    片材排出设备和成像设备_佳能株式会社_202510387170.8
    一种片材排出设备包括：片材排出单元， 该片材排出单元设置成沿片材排出方向排出片材；片材支承单元， 该片材支承单元设置成支承片材；第一电荷消除单元， 该第一电荷消除单元布置在片材排出单元的片材排出方向的下游， 并且设置成从片材表面消除电荷；第...
    2026-01-22
  • 一种高分子聚合物增强的打印机墨粉及其制备方法
    一种高分子聚合物增强的打印机墨粉及其制备方法_珠海泽鹏打印耗材有限公司_202510919677.3
    本发明公开了一种高分子聚合物增强的打印机墨粉及其制备方法， 属于墨粉加工技术领域。本发明用于解决现有技术中墨粉在打印时的分辨力和定影牢度有待进一步提高的技术问题， 一种高分子聚合物增强的打印机墨粉， 包括按份量计的以下组成：60‑80份改性...
    2026-01-22
  • 一种用于掩模版的对准装置、传输系统及AOI设备
    一种用于掩模版的对准装置、传输系统及AOI设备_上海御微半导体技术有限公司_202410422918.9
    本发明提供了一种用于掩模版的对准装置、传输系统及AOI设备， 通过设置运动模组， 用于控制待对准的掩模版旋转设定角度；信号器， 用于获取待对准的掩模版在旋转前的第一边缘信息， 获取待对准的掩模版在旋转设定角度后的第二边缘信息， 以及根据第一...
    2026-01-22
  • 水系剥离液及其制备方法和应用
    水系剥离液及其制备方法和应用_佛山西陇化工有限公司_202511015080.2
    本发明提供了一种水系剥离液及其制备方法和应用， 具体涉及光刻技术领域。该水系剥离液包括极性溶剂、渗透剂、表面活性剂、腐蚀抑制剂、增溶剂和纯水。该水系剥离液中， 极性溶剂能够渗透到光刻胶内部， 破坏其分子间作用力， 使光刻胶结构松散；渗透剂加...
    2026-01-22
  • 显影装置、显影方法、计算机程序产品以及计算机可读存储介质
    显影装置、显影方法、计算机程序产品以及计算机可读存储介质_东京毅力科创株式会社_202510369388.0
    本发明提供一种显影装置、显影方法、计算机程序产品以及计算机可读存储介质。显影装置具备：第一喷嘴， 其具备以连续了覆盖基板的宽度的长度的方式在横向上伸长的第一喷出口；移动机构， 其在从第一喷出口喷出显影液的期间设为使第一喷嘴在与第一喷出口的伸...
    2026-01-22
  • 一种用于纠正硅片位置偏移的检测系统及其检测方法
    一种用于纠正硅片位置偏移的检测系统及其检测方法_青岛芯微半导体科技有限公司_202511281757.7
    本发明公开了一种用于纠正硅片位置偏移的检测系统及其检测方法， 涉及硅片位置偏移检测技术领域， 该用于纠正硅片位置偏移的检测系统， 包括载物组件， 所述载物组件的外部设置有支撑架， 所述支撑架的一端设置有驱动电机， 且驱动电机带动载物组件转动...
    2026-01-22
  • 成形光阑组件、电子束分束模块及多电子束光刻机
    成形光阑组件、电子束分束模块及多电子束光刻机_广东省科学院半导体研究所_202511274668.X
    本发明公开一种成形光阑组件、电子束分束模块及多电子束光刻机， 成形光阑组件包括具有第一通孔的第一冷板；和通过第一移动机构能够沿第一冷板的延伸方向往复运动， 以使其部分能位于与第一通孔对应的位置的第一光阑阵列板， 第一光阑阵列板沿第一冷板的延...
    2026-01-22
  • 直描式曝光装置
    直描式曝光装置_株式会社阿迪泰克工程_202511224087.5
    本发明提供一种能够以简单的构造实现低成本化并且能够以高生产率执行曝光工艺的直描式曝光装置。作为工件载置部的载物台(3)连结有多个， 通过转圈机构(21)沿着环状的环绕路转圈。在到达载置作业位置的载物台(3)上装载机(4)载置未曝光的工件W，...
    2026-01-22
  • 套刻误差补偿方法、装置和光刻机
    套刻误差补偿方法、装置和光刻机_中国科学院微电子研究所_202511222470.7
    本公开提供了一种套刻误差补偿方法、装置和光刻机， 可以应用于半导体制造领域。该方法包括：将当前实际套刻误差数据进行高阶多项式拟合， 得到多个当前候选套刻参数， 当前候选套刻参数表征高阶多项式的系数， 高阶多项式的阶数大于或等于4；基于多个当...
    2026-01-22
  • 一种基于脉冲时间驱动激光器曝光的方法
    一种基于脉冲时间驱动激光器曝光的方法_深圳市先地图像科技有限公司_202511196420.6
    本申请实施例公开了一种基于脉冲时间驱动激光器曝光的方法， 运用于激光直写技术领域， 该方法包括：步骤1：获取激光器曝透感光涂层需要的曝光功率P；步骤2：激光直写设备上的测距模块适时检测激光器的实时水平曝光速度V1， 上位机根据V1计算出激光...
    2026-01-22
  • 适用于方形基板涂胶的晶圆边缘曝光工艺及装置
    适用于方形基板涂胶的晶圆边缘曝光工艺及装置_青岛天仁微纳科技有限责任公司_202511032120.4
    本发明涉及适用于方形基板涂胶的晶圆边缘曝光工艺及装置， 具体包括以下步骤：基板预处理和基板清洗及干燥、基板的初步固定、边缘曝光装置进行曝光处理、基板后处理和取片及设备复位， 本发明是对方形基板沿边横纵扫描与边角补扫相结合的方式， 有效的解决...
    2026-01-22
  • 多芯片高密度连接的光刻技术实现方法
    多芯片高密度连接的光刻技术实现方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202510840451.4
    本申请公开了多芯片高密度连接的光刻技术实现方法、芯片级芯片互连方法、掩膜版线条的制作方法以及光刻设备， 光刻技术实现方法包括：选择第一掩膜版通过第二对准标记与第一原有图形单元对准曝光， 将第一掩膜版图形转移到第一曝光区域；将衬底纵向移动M倍...
    2026-01-22
  • 多芯片高密度连接光刻技术的实现方法
    多芯片高密度连接光刻技术的实现方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202510840039.2
    本申请公开了多芯片高密度连接光刻技术的实现方法、用于多芯片互连的光刻技术的实现方法、芯片级芯片互连方法、掩膜版线条的制作方法以及光刻设备， 多芯片高密度连接光刻技术的实现方法包括：选择第一掩膜版通过第二对准标记与第一M×N芯片组中第一原有图...
    2026-01-22
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