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最新专利技术
  • 一种半导体器件的制造方法及半导体器件
    一种半导体器件的制造方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511288242.X
    本方案涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件， 该半导体器件的制造方法包括 : 提供一衬底， 衬底包括通过隔离沟槽分隔的至少两个区域， 至少一个区域中形成有功能沟槽；对形成有功能沟槽的区域进行掺杂离子注入， 形成MOS区；在功能沟槽形成应...
    2025-11-08
  • 功率器件及其制备方法、电子设备
    功率器件及其制备方法、电子设备_广东芯粤能半导体有限公司_202511271928.8
    本申请涉及一种功率器件及其制备方法、电子设备， 器件包括：衬底， 衬底的第一表面上包括外延层；外延层内包括经由顶面沿朝向衬底的第一方向排列的源区、基区、屏蔽区；多个栅极， 沿平行于第一表面的第二方向间隔分布， 并沿第一方向贯穿源区、基区， ...
    2025-11-08
  • 短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法
    短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法_南京第三代半导体技术创新中心有限公司_202511174234.2
    本发明公开了一种短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法， 结构包括：位于第一导电类型外延层中的不连通的第二导电类型阱区；相邻第二导电类型阱区之间的第一导电类型外延层作为第一导电类型JFET区；位于第二导电类型阱区之中的第一导电类型...
    2025-11-08
  • 沟槽碳化硅MOSFET芯片及其制造方法
    沟槽碳化硅MOSFET芯片及其制造方法_株洲中车时代半导体有限公司_202410367522.9
    本发明实施例公开了一种沟槽碳化硅MOSFET芯片及其制造方法， 芯片包括：第一导电类型衬底、依次设置在所述第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区、第二导电类型阱区和第一导电类型源区， 在所述第一导电类型源区之间设置栅沟槽， 在所述栅沟槽中设...
    2025-11-08
  • 一种混合势垒碳化硅场效应晶体管及其制造方法
    一种混合势垒碳化硅场效应晶体管及其制造方法_复旦大学_202510985668.4
    本发明公开一种混合势垒碳化硅场效应晶体管及其制造方法。该混合势垒碳化硅场效应晶体管包括：第一导电类型碳化硅衬底；第一导电类型漂移层， 形成于第一导电类型碳化硅衬底上；沟槽， 间隔分布于第一导电类型漂移层中；第二导电类型多晶硅层， 填充于沟槽...
    2025-11-08
  • 半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202510878388.3
    本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆， 属于半导体技术领域。该半导体器件包括半导体本体、栅极、二维材料层、源极和漏极， 半导体本体被设置为第一导电类型， 半导体本体包括相对的第一表面和第二表面， 第一表面设置有...
    2025-11-08
  • 半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202510878380.7
    本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆， 属于半导体技术领域。该半导体器件包括半导体本体、栅极、二维材料层、源极和漏极， 半导体本体被设置为第一导电类型， 半导体本体包括相对的第一表面和第二表面， 栅极设置于第一...
    2025-11-08
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510095179.1
    一种半导体装置， 所述半导体装置包括：在下层间绝缘层上沿第一水平方向延伸的第一绝缘图案和第二绝缘图案， 堆叠在所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案上的第一多个纳米片和第二多个纳米片， 围绕所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案的场绝缘层， 位于所...
    2025-11-08
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社日本显示器_202510256155.X
    本发明涉及半导体装置及其制造方法。实现即使为微细的像素电路也不会对电路动作造成不良影响的半导体装置。半导体装置具备：第1栅电极；第1栅极绝缘层；氧化物半导体层；设置有到达前述氧化物半导体层的第1开口及第2开口的第2栅极绝缘层；沿第1方向延伸...
    2025-11-08
  • 一种GaN基HEMT器件及其制备方法
    一种GaN基HEMT器件及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511285775.2
    本发明公开了一种GaN基HEMT器件及其制备方法， 属于半导体器件技术领域， 其包括HEMT外延结构、源极结构、栅极结构、漏极结构、阶梯状混合漏极结构、钝化层及源极场板和漏极场板。阶梯状混合漏极结构位于栅极与漏极之间， 包含阶梯状空穴注入层...
    2025-11-08
  • 一种衬底电位悬空设置的半导体器件
    一种衬底电位悬空设置的半导体器件_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202511149346.2
    本发明公开了一种衬底电位悬空设置的半导体器件。该半导体器件依次包括：衬底、缓冲层、电位屏蔽层、沟道层和势垒层， 电位屏蔽层的禁带宽度大于缓冲层的禁带宽度；电位屏蔽层的禁带宽度大于沟道层的禁带宽度；第一P型氮化物层和第二P型氮化物层， 位于势...
    2025-11-08
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202510920282.5
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法， 属于电力电子领域。该晶体管包括：沟道层、势垒层、p型层、二次外延层、栅极、源极和漏极， 所述势垒层层叠于所述沟道层上， 所述p型层位于所述势垒层的远离所述沟道层的表面上， 所述源极和所述漏极间隔排布在所...
    2025-11-08
  • 一种大功率密度的异质结器件及制备工艺
    一种大功率密度的异质结器件及制备工艺_西南交通大学_202510853728.7
    本发明公开了一种大功率密度的异质结器件及制备工艺， 包括单一半导体衬底、至少两个异质结结构单元， 两个异质结结构单元以背对背堆积方式垂直集成于单一半导体衬底上， 相邻异质结结构单元通过顶面金属电极直接键合实现电气互联， 且单一半导体衬底为所...
    2025-11-08
  • 具有复合保护层的半导体芯片及其制备方法
    具有复合保护层的半导体芯片及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202510701455.4
    本公开公开了一种具有复合保护层的半导体芯片及其制备方法， 属于半导体技术领域。该半导体芯片， 包括依次叠设的一次外延层、复合保护层和二次外延层；复合保护层包括AlON层、SiN层和TiN层， AlON层、SiN层和TiN层沿外延生长方向依次...
    2025-11-08
  • 具有电容式分压器电路的晶体管器件
    具有电容式分压器电路的晶体管器件_英飞凌科技奥地利有限公司_202510415998.X
    具有电容式分压器电路的晶体管器件。一种晶体管器件， 包括：衬底；外延层堆叠， 其被形成在衬底上， 外延层堆叠包括在具有不同带隙的两个外延层之间的异质结， 异质结限定了晶体管器件的沟道区；源极端子， 其被电连接到外延层堆叠的源极区；漏极端子，...
    2025-11-08
  • JFET区浅槽结构的平面碳化硅功率器件及其制备方法
    JFET区浅槽结构的平面碳化硅功率器件及其制备方法_复旦大学_202510985669.9
    本发明公开一种JFET区浅槽结构的平面碳化硅功率器件及其制备方法。该JFET区浅槽结构的平面碳化硅功率器件包括碳化硅衬底；第一导电类型漂移区， 形成于第一导电类型碳化硅衬底上；第二导电类型阱区， 形成在第一导电类型漂移区两侧；第一导电类型重...
    2025-11-08
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510784613.7
    本发明的实施例提供了一种方法， 包括形成从衬底突出的鳍， 形成跨过鳍的伪栅极堆叠件， 伪栅极堆叠件包括伪栅极介电层、伪栅极介电层上的伪栅电极和布置在伪栅电极的侧壁上的氧化层， 在伪栅极堆叠件的侧壁上形成栅极间隔件， 去除伪栅电极， 使氧化层...
    2025-11-08
  • 一种低界面态GaN功率器件及其制备方法
    一种低界面态GaN功率器件及其制备方法_西南交通大学_202510693296.8
    本发明公开了一种低界面态GaN功率器件及其制备方法， 属于半导体器件技术领域， 包括以下步骤：制备AlGaN/GaN异质结基底并进行氢等离子体预处理；在预处理的基底上沉积栅极电介质；以N2/CF4/Ar三元等离子体对器件进行脉冲等离子体掺杂...
    2025-11-08
  • 栅极控制型二极管以及电子电路
    栅极控制型二极管以及电子电路_三菱电机株式会社_202510116333.9
    本公开涉及栅极控制型二极管以及电子电路， 目的在于在栅极控制型二极管中控制对其他主要电特性的负面影响并扩大栅极脉冲宽度的允许范围。栅极控制型二极管(110)具备：二极管栅电极， 其经由氧化膜(6)埋入到第一活性区域RA1的多个第一沟槽(51...
    2025-11-08
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411661480.6
    实施例的半导体装置包含：半导体基板， 包含第一主表面和第二主表面， 第一主表面和第二主表面在第一方向上相互面对；漂移区域；缓冲区域， 包含多个浓度峰值；第一电极， 设置在第一主表面上；第二电极， 设置在第二主表面上；以及晶体管区域， 所述多...
    2025-11-08
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