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最新专利技术
  • 一种镀焊料层铜柱的巨量转移方法
    一种镀焊料层铜柱的巨量转移方法_日月新半导体(苏州)有限公司_202510924066.8
    本发明公开了一种镀焊料层铜柱的巨量转移方法， 制备预植板， 包括在金属载板上设置离型层， 于所述离型层上方设置干膜层， 于所述干膜层上形成通孔， 于所述通孔底部设置金层， 于所述金层上设置铜柱， 于所述铜柱上设置焊料层， 去除所述干膜层。回...
    2025-11-26
  • 居中嵌埋的封装基板及其制作方法
    居中嵌埋的封装基板及其制作方法_珠海越芯半导体有限公司_202510743075.7
    本公开提供一种居中嵌埋的封装基板及其制作方法。具体地， 所述制作方法包括：首先将框架基板嵌入第二介质层， 并且第二介质层填平框架基板的开口；接着在开口中的第二介质层的表面贴附元器件；最后将元器件压入开口中的第二介质层中。这样的技术方案， 可...
    2025-11-26
  • 集成霍尔感应的光电二极管制造方法、光电二极管及光电键盘
    集成霍尔感应的光电二极管制造方法、光电二极管及光电键盘_深圳市华笙光电子有限公司_202410410023.3
    本发明公开了一种集成霍尔感应的光电二极管制造方法、光电二极管及光电键盘， 其中， 该制造方法包括：提供支架， 支架上包括基座和多个引脚， 基座具有第一封装腔和第二封装腔， 多个引脚设在基座上；将可见光发光芯片和幻彩控制芯片固定在第一封装腔内...
    2025-11-26
  • 一种基板封装方法
    一种基板封装方法_渠梁电子有限公司_202511307753.1
    本发明涉及一种基板封装方法， 其中基板封装方法包括提供基板， 所述基板具有相对的第一面和第二面， 在基板上选择焊接区， 所述焊接区的第一面用于供芯片焊接；对所述基板进行烘烤；提供上钢板， 所述上钢板的第二面具有凸起的第一压制面， 将所述上钢...
    2025-11-26
  • 一种用于球栅阵列封装的钎料微颗粒自排布方法
    一种用于球栅阵列封装的钎料微颗粒自排布方法_合肥工业大学_202510964470.8
    本发明公开了一种用于球栅阵列封装的钎料微颗粒自排布方法， 方法包括：清洁芯片的转移基板表面， 对表面洁净的转移基板表面进行低表面能处理；采用激光加工系统扫描转移基板；将多颗与芯片焊点型号相匹配的钎料微颗粒， 随机分布在转移基板表面；控制刮板...
    2025-11-26
  • 封装基板及其制作方法、封装组件及其制作方法
    封装基板及其制作方法、封装组件及其制作方法_礼鼎半导体科技(深圳)有限公司_202410437307.1
    一种封装基板的制作方法， 包括：提供中间基板， 中间基板包括可分离板和玻璃基板；在玻璃基板上形成第一导通柱；在玻璃基板背离可分离板的第一表面形成内层线路层；内层线路层与第一导通柱连接；在第一表面形成第一线路基板；在第一线路基板的表面形成第一...
    2025-11-26
  • 包括等离子体蚀刻工艺的半导体装置制造方法
    包括等离子体蚀刻工艺的半导体装置制造方法_三星电子株式会社_202510454134.9
    一种半导体装置制造方法， 包括：在支撑层上形成无机层；在无机层上形成有机掩模图案；以及通过利用有机掩模图案作为蚀刻掩模对无机层执行等离子体蚀刻工艺， 来形成无机图案和被配置为至少部分地暴露无机图案之间的支撑层的间隔图案。等离子体蚀刻工艺具有...
    2025-11-26
  • 一种改善化学机械抛光工艺中钨损伤问题的方法
    一种改善化学机械抛光工艺中钨损伤问题的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510811611.2
    本申请公开了一种改善化学机械抛光工艺中钨损伤问题的方法， 包括：S1：提供一经过了钨沉积工艺的晶圆， 所述晶圆包括位于表层的层间介质层， 所述层间介质层中形成有钨插塞；S2：使用第一研磨液和研磨垫， 对所述晶圆进行主研磨处理， 其中， 所述...
    2025-11-26
  • 半导体制造装置
    半导体制造装置_铠侠股份有限公司_202510962375.4
    本发明的实施方式涉及一种半导体装置的制造方法及半导体制造装置。根据一实施方式， 半导体装置的制造方法包括在衬底上形成第1膜。所述方法还包括：使用包含碳及氟的第1气体对所述第1膜进行蚀刻， 由此在所述第1膜内形成凹部， 且在所述凹部内形成第2...
    2025-11-26
  • 基于远程等离子体源的掺杂方法
    基于远程等离子体源的掺杂方法_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511332224.7
    本公开实施例公开了一种基于远程等离子体源的掺杂方法， 用于解决如何实现三维结构均匀掺杂的技术问题。该掺杂方法包括：将晶圆放置于工艺腔室内的基座上；其中， 晶圆包括叠层结构以及贯穿叠层结构的凹槽；凹槽暴露叠层结构中的多个半导体层， 相邻两个半...
    2025-11-26
  • 用于数字材料沉积到半导体晶片上的方法及设备
    用于数字材料沉积到半导体晶片上的方法及设备_德州仪器公司_202511024807.3
    本发明涉及用于数字材料沉积到半导体晶片上的方法及设备。一种微电子装置(100)， 其通过在晶片(101)处于允许光致抗蚀剂树脂达到小于10％厚度非均匀性的第一温度下时将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物(109)的离散量从按需液滴位点(108)施...
    2025-11-26
  • 一种选择性沉积以实现图案特征尺寸缩小的方法
    一种选择性沉积以实现图案特征尺寸缩小的方法_浙江大学_202510852277.5
    本发明公开了一种选择性沉积以实现图案特征尺寸缩小的方法， 包括如下步骤：(1)表面活化， 将基板置于反应腔体中， 利用等离子体在基板表面形成反应位点；其中， 基板上具有图案化表面， 包括第一表面和第二表面；第一表面为光刻胶层；第二表面为介电...
    2025-11-26
  • 单颗芯片、单颗芯片的制备方法及其封装结构
    单颗芯片、单颗芯片的制备方法及其封装结构_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202511339513.X
    本发明公开了单颗芯片、单颗芯片的制备方法及其封装结构， 通过该方法制备形成背面具有凹陷部的单颗芯片， 凹陷部呈圆弧状， 凹陷部表面设有金属层；单颗芯片正面为功能区， 单颗芯片正面设有焊点。本发明还公开了包括背面具有凹陷部的单颗芯片的封装结构...
    2025-11-26
  • 一种高品质SOI用硅衬底抛光片的加工方法
    一种高品质SOI用硅衬底抛光片的加工方法_山东有研半导体材料有限公司_202510974564.3
    本发明公开了一种高品质SOI用硅衬底抛光片的加工方法， 包括以下步骤：(1)将单晶硅衬底片固定于圆形吸盘上， 衬底片圆心与吸盘圆心重合， 吸盘以100‑500rpm的转速携带硅片旋转， 此时向衬底片圆心处注入0.3‑8mL液体蜡， 吸盘及衬...
    2025-11-26
  • 湿法刻蚀方法及半导体器件的制造方法
    湿法刻蚀方法及半导体器件的制造方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202510963466.X
    本发明提供一种湿法刻蚀方法及半导体器件的制造方法， 在所述的湿法刻蚀方法中， 通过刻蚀槽对待刻蚀晶圆依次执行至少两次湿法刻蚀工艺， 且相邻两次湿法刻蚀工艺的待刻蚀晶圆在刻蚀槽内的放置角度不同， 其中， 待刻蚀晶圆在刻蚀槽内的放置角度为识别缺...
    2025-11-26
  • 一种基于转移键合的氧化镓外延生长方法
    一种基于转移键合的氧化镓外延生长方法_深圳市新弘途科技有限公司_202510962417.4
    本发明公开了一种基于转移键合的氧化镓外延生长方法， 涉及半导体材料制备技术领域， 包括在第一衬底上外延生长氧化镓薄膜层， 并形成多层氧化物键合中间层；对多层氧化物键合中间层表面和第二衬底表面进行差异化等离子体活化处理；将经活化处理的多层氧化...
    2025-11-26
  • 新型集成电路重工方法
    新型集成电路重工方法_日月新半导体(昆山)有限公司_202510907004.6
    本发明公开了新型集成电路重工方法， 属于集成电路重工技术领域， 将切割后出现异常的芯片重新固定于膜上， 将承载芯片的膜浸泡在冰醋酸溶液中并进行振荡处理， 使溶液循环， 将浸泡后的膜进行清洗， 并进行惰性气体吹干， 通过将晶圆切割后引起的氧化...
    2025-11-26
  • 制造通过生长温度调整而具有高质量GaN沟道区域的GaN HEMT功率半导体外延晶圆的方法
    制造通过生长温度调整而具有高质量GaN沟道区域的GaN HEMT功率半导体外延晶圆的方法_威弗洛得有限公司_202510462760.2
    本发明涉及制造通过生长温度调整而具有高质量GaN沟道区域的GaN HEMT功率半导体外延晶圆的方法。所述方法包括以下步骤：生长形成在生长基底上的AlN成核区域；在高于AlN成核区域的生长温度的第一生长温度生长形成在AlN成核区域上的第一Ga...
    2025-11-26
  • 半导体装置的有源区域中的外延再生长
    半导体装置的有源区域中的外延再生长_美光科技公司_202510454864.9
    本公开涉及半导体装置的有源区域中的外延再生长。本文中描述的实施方案涉及各种结构、集成组合件及存储器装置。在一些实施方案中， 一种集成组合件包含具有第一宽度的元素区。所述元素区包含半导电材料的第一原生部分。所述集成组合件进一步包含在所述元素区...
    2025-11-26
  • 用于改进的欧姆接触形成的SiC背侧调节
    用于改进的欧姆接触形成的SiC背侧调节_英飞凌科技股份有限公司_202510453140.2
    公开了用于改进的欧姆接触形成的SiC背侧调节。描述了一种制造SiC晶片的方法， SiC晶片包括在半导体衬底的表面处的SiC。所述方法包括：通过酸性处理调节SiC晶片衬底的表面区域；在经调节的表面上形成金属接触层；以及对衬底/金属接触堆叠进行...
    2025-11-26
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