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最新专利技术
  • 栅极全环绕场效晶体管
    栅极全环绕场效晶体管_力旺电子股份有限公司_202510371863.8
    一种栅极全环绕场效晶体管(gate‑all‑around field effect transistor， GAAFET)包含基板、源极结构、漏极结构、至少一通道、以及栅极结构。源极结构与漏极结构设于基板上。所述至少一通道的每一者延伸至源极...
    2025-11-19
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410438942.1
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法， 其中， 半导体结构包括：衬底， 所述衬底包括器件区和位于所述器件区之间的隔断区；沟道凸起部， 位于所述器件区的衬底上；绝缘凸起部， 位于所述隔断区的衬底上；隔离结构， 位于所述沟道凸起部和绝缘凸起部侧...
    2025-11-19
  • 一种沟槽型MOS器件及其制造方法
    一种沟槽型MOS器件及其制造方法_湖南杰楚微半导体科技有限公司_202511267810.8
    本发明提供了一种沟槽型MOS器件及其制造方法， 外延层设置于衬底的上表面；第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽的底部延伸至外延层内；第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽的深度、宽度均相等；第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽呈凸形；第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽的底...
    2025-11-19
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202510410104.8
    本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括半导体衬底、势垒金属层和接触插塞。半导体衬底包括金属硅化物区域。接触沟槽被提供在半导体衬底中。势垒金属层被形成在接触沟槽内。接触插塞被形成在势垒金属层上。金属硅化物区域与势垒金属...
    2025-11-19
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510100171.X
    一种半导体器件包括：下层间绝缘层；绝缘图案， 在下层间绝缘层的上表面上沿第一方向延伸；有源图案， 在绝缘图案的上表面上沿第一方向延伸；多个纳米片， 在有源图案的上表面上沿第三方向堆叠；栅电极， 在有源图案的上表面上沿第二方向延伸；第一源/漏...
    2025-11-19
  • 一种功率MOS管及其制造方法
    一种功率MOS管及其制造方法_赵依军_202410427865.X
    一种功率MOS管及其制造方法， 包括：衬底；外延， 位于该衬底的正面；第一沟槽， 形成于该外延中；第二沟槽， 形成于该外延中；漏极， 形成于该衬底的背面；其中， 围绕该第一沟槽形成栅极的第一部分和第一源极， 该第一源极、该栅极的第一部分和该...
    2025-11-19
  • 一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法
    一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法_江苏能华微电子科技发展有限公司_202511341047.9
    本发明提供了一种GaN HEMT器件、P‑GaN延伸层的制备方法， 属于半导体领域。本发明提供了一种GaN HEMT器件， 包括依次层叠的P‑GaN层和AlGaN垒势层；所述P‑GaN层的内部插入有插入层， 水平方向上， 所述插入层与P‑G...
    2025-11-19
  • 金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管及其制备方法
    金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管及其制备方法_北京纳米能源与系统研究所_202511334312.0
    本申请涉及半导体技术领域， 公开一种金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管及其制备方法。该金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管包括外延片；源极和漏极位于外延片的一侧并间隔设置；复合栅介质层位于外延片的一侧， 且位于源极与漏极之间；复合栅介质层包括...
    2025-11-19
  • 一种基于隧穿效应的P型场效应晶体管及其制备方法
    一种基于隧穿效应的P型场效应晶体管及其制备方法_广东工业大学_202511318981.9
    本发明涉及晶体管的技术领域， 涉及一种基于隧穿效应的P型场效应晶体管， 包括依次设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层以及第一P型材料层；第一P型材料层上方设有第二P型材料层、介质层以及第三P型材料层；第二P型材料层上方设有源极；第三P型材料层...
    2025-11-19
  • 一种垂直-横向混合结构的GaN HEMT功率器件及制备方法
    一种垂直-横向混合结构的GaN HEMT功率器件及制备方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202511190333.X
    本发明涉及一种垂直‑横向混合结构的GaN HEMT功率器件及制备方法。该功率器件包括由下至上的垂直漏极、复合衬底、高阻GaN层、AlN/GaN超晶格层、非掺GaN层、AlN插入层、AlGaN势垒层和SiN帽层；垂直漏极上方设有垂直导通柱贯通...
    2025-11-19
  • 半导体器件和芯片
    半导体器件和芯片_深圳平湖实验室_202511135473.7
    本公开提供一种半导体器件和芯片， 涉及半导体技术领域， 用于提升半导体器件的栅极可靠性；该半导体器件包括衬底、沟道层、势垒层、帽层、栅极、源极、漏极和调制层；沟道层和势垒层沿远离衬底的方向层叠设于衬底上；帽层设于势垒层远离衬底的一侧；帽层中...
    2025-11-19
  • 极小尺寸先进制程低维晶体管、芯片及上述晶体管的制备工艺
    极小尺寸先进制程低维晶体管、芯片及上述晶体管的制备工艺_清华大学_202510897431.0
    本发明涉及一种极小尺寸先进制程低维晶体管、芯片及上述晶体管的制备工艺。本发明的极小尺寸低维晶体管包括：基底(1)， 所述基底(1)表面形成有氧化层；栅层结构， 所述栅层结构设置于所述基底(1)表面， 所述栅层结构包含依次堆叠的栅和隔离层， ...
    2025-11-19
  • 基于AlN厚膜的GaN HEMT外延晶圆及其制造方法
    基于AlN厚膜的GaN HEMT外延晶圆及其制造方法_威弗洛得有限公司_202510463065.8
    本发明涉及基于AlN厚膜的GaN HEMT外延晶圆及其制造方法。根据本发明的实施方式是基于AlN厚膜的GaN HEMT外延晶圆， 其包括：生长基底， 该生长基底由半绝缘材料或导电材料制成；AlN成核区域， 该AlN成核区域生长在生长基底上；...
    2025-11-19
  • 具有3D氮化物结构的高质量GaN HEMT功率半导体外延晶圆及其制造方法
    具有3D氮化物结构的高质量GaN HEMT功率半导体外延晶圆及其制造方法_威弗洛得有限公司_202510463052.0
    本发明涉及具有3D氮化物结构的高质量GaN HEMT功率半导体外延晶圆及其制造方法。根据本发明的实施方式提供了一种具有三维氮化物结构的高质量GaN HEMT功率半导体外延晶圆， 其包括：生长基底；成核区域， 该成核区域形成在生长基底上；以及...
    2025-11-19
  • 一种半导体器件及制备方法、电子设备
    一种半导体器件及制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410410608.5
    本申请提供一种半导体器件及制备方法、电子设备， 半导体器件包括衬底、层叠的沟道层和势垒层、基质层以及栅极， 势垒层包括栅槽， 栅槽暴露出沟道层；介质层至少位于栅槽的侧壁和由栅槽暴露出的沟道层的表面；其中， 位于栅槽侧壁上的介质层的厚度， 大...
    2025-11-19
  • 一种半导体器件及其制作方法
    一种半导体器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511316649.9
    本发明公开了一种半导体器件及其制作方法， 属于半导体技术领域， 制作方法包括：提供一衬底， 其内设有阱区；在阱区上形成光刻胶图案并作为掩膜， 向阱区内注入离子， 形成以阱区为间隔的一对第一轻掺杂区；在一对第一轻掺杂区之间的衬底上形成栅极结构...
    2025-11-19
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_江苏长晶科技股份有限公司_202511316186.6
    本申请涉及集成电路技术领域， 特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的一侧形成外延材料层， 外延材料层内设有第一沟槽， 且第一沟槽的侧壁表面形成有阻挡层；基于阻挡层， 刻蚀第一沟槽底部的外延材料层，...
    2025-11-19
  • 半导体装置结构与其形成方法
    半导体装置结构与其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510661866.5
    一种半导体装置结构与其形成方法， 该形成方法包括形成牺牲栅极堆叠于鳍状结构的一部分上；移除鳍状结构的露出部分， 以露出基板的一部分与鳍状结构的半导体层的表面；沉积第一半导体材料于基板其露出的部分上；沉积介电层；进行蚀刻工艺以修整掉介电层的侧...
    2025-11-19
  • 半导体装置的制造方法及半导体装置
    半导体装置的制造方法及半导体装置_株式会社东芝_202410934290.0
    实施方式涉及半导体装置的制造方法及半导体装置。半导体装置的制造方法具有下述工序：在半导体层形成沟槽和台面部；在沟槽内形成场板电极；在场板电极上、台面部上及台面部的上部侧壁形成氮化硅膜；在形成氮化硅膜后， 在沟槽内及台面部上， 通过化学气相沉...
    2025-11-19
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410438384.9
    一种半导体结构及其形成方法， 包括：提供基底， 形成位于基底上的多个鳍；形成横跨所述多个鳍的伪栅， 所述基底形成有伪栅的区域为栅极区；在所述伪栅露出的鳍上形成源漏掺杂层；去除所述伪栅， 露出位于栅极区的鳍；对位于所述栅极区的鳍进行修剪工艺，...
    2025-11-19
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