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最新专利技术
  • 一种半导体器件制作方法
    一种半导体器件制作方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511042012.5
    本发明涉及一种半导体器件，尤其涉及一种半导体器件制作方法，其中包括：形成基底层；在基底层的顶面上形成源极金属、漏极金属和栅极金属；在源极金属、漏极金属和栅极金属的顶面上形成第一介质层；在第一介质层的顶面上形成第一金属层；在第一金属层的顶面上...
    2025-12-01
  • 一种玻璃基板埋桥接芯片的方法
    一种玻璃基板埋桥接芯片的方法_成都奕成集成电路有限公司_202511097859.3
    本发明公开了一种玻璃基板埋桥接芯片的方法，包括步骤：取一已经完成电镀通孔线路的玻璃基板；在玻璃基板的正面制作出盲槽；将桥接芯片嵌入盲槽内；通过玻璃基板减薄技术将玻璃基板的背面减薄直至露出桥接芯片的背面凸块，以实现桥接芯片的双面导通。本申请中...
    2025-12-01
  • 一种芯片封装方法及结构
    一种芯片封装方法及结构_华天科技(江苏)有限公司_202511059222.5
    本发明公开了一种芯片封装方法及结构，该方法包括以下步骤：在基板上设临时键合层；在临时键合层上设重布线结构；在裸硅上贴装芯片；将芯片与重布线结构键合；去除裸硅；对芯片表面除杂；填充芯片与重布线结构之间的缝隙；形成塑封体；对塑封体进行研磨，露出...
    2025-12-01
  • 衬底布线封装方法、衬底布线封装结构和衬底布线封装载板
    衬底布线封装方法、衬底布线封装结构和衬底布线封装载板_甬矽半导体(宁波)有限公司_202511082814.9
    本发明提供的衬底布线封装方法、衬底布线封装结构和衬底布线封装载板，该方法首先提供一表面溅射有导热金属层的玻璃衬底，然后在导热金属层上旋涂形成粘接层，再在粘接层上形成重构布线组合层。再利用白光照射导热金属层，使得粘接层受热后失去粘性并剥离该玻...
    2025-12-01
  • 一种玻璃基板的制造方法
    一种玻璃基板的制造方法_朴松美_202511054857.6
    本发明公开了一种适用于显示行业及半导体领域的玻璃基板的制造方法，包括以下步骤：S1、通过精密加工和光刻形成允许电流流过电极材料的纯铜板的电极电路；S2、其特征是在高温，真空条件下将玻璃熔化成半液态玻璃，将纯铜板的柱面与半液态玻璃结合，形成玻...
    2025-12-01
  • 一种玻璃基板的结构及其制备方法
    一种玻璃基板的结构及其制备方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511011173.8
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种玻璃基板的结构及其制备方法。包括如下步骤：S1，提供玻璃，将玻璃研磨至指定厚度，得到玻璃芯板；S2，通过镭射激光开槽工艺，在玻璃芯板一侧表面的板边开两条细边槽；S3，通过3D打印技术，在细边槽内打印...
    2025-12-01
  • 一种IDF引线框架的切筋成型方法
    一种IDF引线框架的切筋成型方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511010255.0
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种IDF引线框架的切筋成型方法。包括以下步骤：S1、反向上料：待处理框架产品以引脚朝下的方式进料，将产品放于传送带的上料处；S2、第一次图像自动检测：工业相机采集产品的图像信息，经处理后与标准模板的信...
    2025-12-01
  • 一种减少掺杂层损伤的金属层刻蚀方法
    一种减少掺杂层损伤的金属层刻蚀方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511074534.3
    本发明公开了一种减少掺杂层损伤的金属层刻蚀方法，包括步骤一：提供一衬底，在所述衬底中形成掺杂层；步骤二：在所述衬底表面依次形成金属层、图案化的光刻胶层；步骤三：对所述衬底进行干法刻蚀，移除第一厚度的所述金属层，所述第一厚度大于剩余的所述金属...
    2025-12-01
  • 一种单晶硅环表面处理方法
    一种单晶硅环表面处理方法_重庆臻宝半导体材料有限公司_202511043561.4
    本申请公开了一种单晶硅环表面处理方法，包括对精加工后的单晶硅环的工作面及装配面进行研磨处理；将单晶硅环的装配面进行防腐蚀遮蔽处理；将单晶硅环放入气相射流刻蚀装置的刻蚀腔体内的旋转平台上，并使含添加剂的刻蚀液加热后产生的刻蚀气相蒸汽与辅助气体...
    2025-12-01
  • 附金属膜的衬底的分断方法
    附金属膜的衬底的分断方法_三星钻石工业股份有限公司_202511046680.5
    本发明提供一种可良好分断附金属膜的衬底的方法。本发明的分断附金属膜的衬底的方法具备：通过在特定的分断预定位置对设有金属膜的第1主表面侧进行刻划而形成划线，分断金属膜且使垂直裂缝沿分断预定位置向衬底内部延展的步骤；及使裂断杆从未设金属膜的第2...
    2025-12-01
  • 一种降低硼离子注入晶圆表面缺陷密度的工艺及晶圆
    一种降低硼离子注入晶圆表面缺陷密度的工艺及晶圆_西安微电子技术研究所_202511068898.0
    本发明公开了一种降低硼离子注入晶圆表面缺陷密度的工艺及晶圆，属于集成电路制造工艺领域，在待注入的晶圆表面依次生长SiO2掩蔽膜和SiO2缓冲氧化膜，再进行硼离子注入，然后在1050‑1200℃下退火1‑4h，得到退火后的晶圆，再于900‑1...
    2025-12-01
  • 半导体元件及其形成方法
    半导体元件及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202511039833.3
    一种形成半导体元件的方法，包括形成介电层，位于基板上方；形成导电层，位于介电层上方；形成光阻层，位于导电层上方，其中光阻层包含磁性材料；对光阻层执行曝光工艺以在光阻层中形成曝光区域与未曝光区域；对光阻层施加定向磁场；对光阻层执行曝光后烘烤工...
    2025-12-01
  • 消除图案化无定形硅掩膜层时产生的缺陷的方法
    消除图案化无定形硅掩膜层时产生的缺陷的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511002338.5
    本申请提供一种消除图案化无定形硅掩膜层时产生的缺陷的方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底上依次形成氮化钛掩膜层、氧化物掩膜层和无定形硅掩膜层；步骤二，在无定形硅掩膜层上形成用于限定离子注入窗口的掩膜层；步骤三，对无定形硅掩膜层实施离子注入...
    2025-12-01
  • 氮化硅硬掩膜沉积方法
    氮化硅硬掩膜沉积方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511002292.7
    本发明公开了一种氮化硅硬掩膜沉积方法，所述氮化硅硬掩膜用于锗硅硬掩膜，炉管原子层沉积系统沉积氮化硅时，关闭Plasma。本发明通过关闭Plasma能有效减少Si‑H键提高氮化硅硬掩膜沉积均匀性，通过控制成膜温度保证沉积速率的平衡，通过增加N...
    2025-12-01
  • 氮化物模板的制备方法、氮化物模板及半导体器件
    氮化物模板的制备方法、氮化物模板及半导体器件_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511047940.0
    本发明公开一种氮化物模板的制备方法、氮化物模板及半导体器件，该方法包括：提供用于生长目标III族氮化物的模板层所需的异质衬底；在异质衬底上依次生长成核层、目标III族氮化物的缓冲层以及目标III族氮化物的第一N型层，得第一外延结构；预处理第...
    2025-12-01
  • 一种硅片及其处理方法
    一种硅片及其处理方法_天津中环领先材料技术有限公司_202511045215.X
    本申请公开了一种硅片及其处理方法，属于半导体制造技术领域。硅片为电子注入后的硅片，处理方法包括：对硅片进行减薄；对减薄后的硅片进行酸洗；对酸洗后的硅片进行热处理，得到处理后的硅片；其中，电子注入后的硅片的电阻率大于或等于300Ω·cm。本申...
    2025-12-01
  • 单层石墨烯/氮化镓异质结的物理性质的调控方法及应用
    单层石墨烯/氮化镓异质结的物理性质的调控方法及应用_赣南医科大学_202511027686.8
    本发明公开了一种单层石墨烯氮化镓异质结的物理性质的调控方法及应用。所述方法包括：提供具有选定极性面的氮化镓基底，所述选定极性面包括氮化镓晶体的c面、r面或a面；在所述选定极性面上覆盖单层石墨烯，形成单层石墨烯氮化镓异质结。本发明所提供的技术...
    2025-12-01
  • 一种硅片处理方法、装置、处理设备、程序产品及介质
    一种硅片处理方法、装置、处理设备、程序产品及介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510965838.2
    本发明提供了一种硅片处理方法、装置、处理设备、程序产品及介质，属于半导体制造技术领域。包括：对硅片进行3D形貌扫描，获得硅片对应的三维点云数据；根据三维点云数据，确定目标标记在硅片上对应的至少两个目标位置点的二维坐标；根据三维点云数据和至少...
    2025-12-01
  • 沉积氮化钼膜的方法和包括氮化钼膜的半导体装置结构
    沉积氮化钼膜的方法和包括氮化钼膜的半导体装置结构_ASMIP私人控股有限公司_202510907848.0
    公开了用于将氮化钼膜沉积在衬底表面上的方法。所述方法可以包括：将衬底提供到反应室中；以及通过执行循环沉积工艺的一个或多个单元沉积循环将氮化钼膜直接沉积在衬底表面上，其中单元沉积循环可以包括使衬底与包含卤化钼前体的第一气相反应物接触，并且使衬...
    2025-12-01
  • 用于晶圆的清洗方法以及晶圆
    用于晶圆的清洗方法以及晶圆_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510852496.3
    本公开提供了一种用于晶圆的清洗方法以及晶圆；清洗方法包括：向待清洗晶圆供应含HF的清洗液以执行蚀刻旋转清洗；向待清洗晶圆供应含O3的清洗液以执行氧化旋转清洗；以及依次交替执行蚀刻旋转清洗和氧化旋转清洗多次；其中，首次执行的蚀刻旋转清洗的持续...
    2025-12-01
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