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最新专利技术
  • DFN和PDFN系列半导体封装分选机中的通用振动盘
    DFN和PDFN系列半导体封装分选机中的通用振动盘_佛山市蓝箭电子股份有限公司_202510927120.4
    本发明属于半导体封装分选设备制造技术领域，其提供了一种DFN和PDFN系列半导体封装分选机中的通用振动盘，包括振动盘本体、切换装置和两条或两条以上相互平行且分别适用于DFN和PDFN系列半导体封装中一种型号的前端导轨，切换装置通过其连接端与...
    2025-12-01
  • 具有减少占地面积的半导体处理工具平台配置
    具有减少占地面积的半导体处理工具平台配置_应用材料公司_202510903598.3
    本发明涉及具有减少占地面积的半导体处理工具平台配置。基板处理系统包括具有受控环境的工厂接口和传送腔室。传送腔室包括四个第一小平面和三个第二小平面，其中三个第二小平面的每一个具有比四个第一小平面的每一个的宽度窄的宽度。第一处理腔室附接到四个第...
    2025-12-01
  • 激光退火装置及使用该激光退火装置的激光退火方法
    激光退火装置及使用该激光退火装置的激光退火方法_浙江晶盛机电股份有限公司_202510899319.0
    本申请公开了一种激光退火装置及激光退火方法，激光退火装置包括光源模块、扩束模块、整形模块、扫描模块、控制模块和视觉检测模块，光源模块产生第一光束，扩束模块调节第一光束的直径并出射第二光束，整形模块将第二光束整形为整形光束，扫描模块包括扫描振...
    2025-12-01
  • 基板处理设备
    基板处理设备_周星工程股份有限公司_202510894235.8
    本发明关于一种基板处理设备，包含：腔室，提供处理空间；盖件，覆盖腔室的上部；基板支撑单元，支撑着至少一个基板且可绕旋转轴旋转，以使基板穿过成像区域；气体喷射单元，用于将处理气体喷向基板支撑单元；区域摄影单元，拍摄成像区域的图像以获得成像区域...
    2025-12-01
  • 具有双排放集气室的方法和设备
    具有双排放集气室的方法和设备_ASMIP私人控股有限公司_202510559931.3
    本技术的各种实施例可以提供一种具有两个单独的排放集气室的设备。该设备可以包括顶部部分，其具有至少一个入口以及第一排放集气室和第二排放集气室。该设备可以还包括底部部分，其具有联接到第一排放集气室的多个第一排放通孔和联接到第二排放集气室的多个第...
    2025-12-01
  • 一种太阳能板串异常分区处理方法、系统、终端及介质
    一种太阳能板串异常分区处理方法、系统、终端及介质_宁波中宜新能源有限公司_202511420117.X
    本申请涉及一种太阳能板串异常分区处理方法、系统、终端及介质，涉及太阳能板检测技术的领域，其方法包括：将多个单体太阳能板依次连接，形成太阳能板串；对太阳能板串进行检测，并根据显示界面中的显示亮度从单体太阳能板中的筛选出异常太阳能板；若异常太阳...
    2025-12-01
  • 一种半导体芯片中晶圆智能封测方法及系统
    一种半导体芯片中晶圆智能封测方法及系统_弘润半导体(苏州)有限公司_202511396049.8
    本发明公开了一种半导体芯片中晶圆智能封测方法及系统，涉及半导体制造技术领域，包括，初始化磁电场协同参数，并通过多目标遗传算法对磁电场协同参数进行优化，并驱动核壳纳米颗粒对高精度通孔晶圆进行金属化填充，生成金属化通孔结构的晶圆；基于金属化通孔...
    2025-12-01
  • 一种单晶硅片无损识别层错环方法
    一种单晶硅片无损识别层错环方法_浙江金瑞泓科技股份有限公司_202511007691.2
    本发明涉及一种单晶硅片无损识别层错环方法，包括如下操作步骤：步骤一：准备硅片样品，一组样品刻号相连，为相邻片；步骤二：硅片样品进行激光缺陷检测，采用科天颗粒测定仪进行SP7测试；步骤三：激光缺陷检测后对颗粒检测结果进行分析，判断晶棒体内层错...
    2025-12-01
  • 基于二次谐波的晶圆检测方法及系统
    基于二次谐波的晶圆检测方法及系统_上海微崇半导体设备有限公司_202510974708.5
    本发明涉及一种基于二次谐波的晶圆检测方法及系统，其中，方法包括：获取待测样品中的预选测点处的实测二次谐波检测信号集，实测二次谐波检测信号集包括：预选测点被来自不同方位角的光源照射后、受激发所产生的多个二次谐波检测信号；基于预设的拟合算法对实...
    2025-12-01
  • 基于CMP清洗后的TSV晶圆表面污染粒子检测分析方法及系统
    基于CMP清洗后的TSV晶圆表面污染粒子检测分析方法及系统_立川(杭州)半导体设备有限公司_202510928429.5
    本申请提供一种基于CMP清洗后的TSV晶圆表面污染粒子检测分析方法及系统，涉及集成电路技术领域，用于改善相关技术中，对污染粒子风险评估不够精确的的技术问题。方法包括：获取待检测晶圆的粒子分布图；获取待检测晶圆的TSV版图数据；基于预设的基准...
    2025-12-01
  • 晶圆检测设备及晶圆检测方法
    晶圆检测设备及晶圆检测方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510863105.8
    本公开实施例提供了晶圆检测设备及晶圆检测方法，所述晶圆检测设备包括：用于支撑晶圆的支撑装置；超声波发生器，所述超声波发生器用于向所述晶圆发送超声波，以在所述晶圆内部引发振动，其中，所述超声波的传播方向设置成与所述晶圆的主表面成非零夹角；判定...
    2025-12-01
  • 用于光伏电池板生产的检测装置
    用于光伏电池板生产的检测装置_合肥博斯维尔能源科技有限公司_202510829870.8
    本发明公开了一种用于光伏电池板生产的检测装置，涉及光伏电池板生产技术领域。本发明包括水平设置的基座以及设置于基座上方的摄像头；基座的上表面竖直装设有用于搭载光伏电池板的旋转机构，且旋转机构能够水平转动光伏电池板；旋转机构的一侧水平装设有推拉...
    2025-12-01
  • 一种基于电流辅助热压键合的铜柱表面金属化及键合工艺
    一种基于电流辅助热压键合的铜柱表面金属化及键合工艺_中国矿业大学_202511068026.4
    本发明公开了一种基于电流辅助热压键合的铜柱表面金属化及键合工艺，属于半导体封装技术领域。包括以下步骤：在铜柱表面依次电镀镍层(2.0±0.3μm)和金层(3.0±0.4μm，Ra≤0.8μm)，随后在空气环境下，通过施加脉冲电流(峰值电流1...
    2025-12-01
  • 一种低温低压铜铜金属键合方法
    一种低温低压铜铜金属键合方法_江苏中科智芯集成科技有限公司_202511068020.7
    本发明提供一种低温低压铜铜金属键合方法，属于半导体封装技术领域。该方法首先对电镀形成的铜柱凸点进行机械化学抛光，将其表面粗糙度降至纳米级，形成高平整度的键合面，随后在空气环境下，施加290～300℃的温度、100～170MPa的压力，并加载...
    2025-12-01
  • 一种半导体晶圆的键合装置及键合方法
    一种半导体晶圆的键合装置及键合方法_矽赫微科技(上海)有限公司_202511029357.7
    本申请通过简单结构提高半导体制造工艺中晶圆之间的键合强度。本申请提供一种用于将半导体晶圆W1、W2相互键合的半导体晶圆键合装置34，在对半导体晶圆W1、W2进行等离子处理以激活其表面之后，规定时间内使其处于高真空状态，从而使半导体晶圆W1、...
    2025-12-01
  • 引线键合机线弧参数补偿方法、装置、计算机设备及介质
    引线键合机线弧参数补偿方法、装置、计算机设备及介质_深圳市德沃先进自动化有限公司_202511009061.9
    本申请公开了引线键合机线弧参数补偿方法、装置、计算机设备及介质，其方法实现，包括：基于目标芯片的封装需求，确定线弧形状以及线弧参数；基于所述线弧形状以及线弧参数，对所述目标芯片进行焊接，形成初始线弧；确定所述初始线弧是否符合预设焊接需求；若...
    2025-12-01
  • 一种用于功率模块芯片互联的高性能烧结铜膜及其制备方法和应用
    一种用于功率模块芯片互联的高性能烧结铜膜及其制备方法和应用_合肥钧联汽车电子有限公司_202510976894.6
    本申请提供了一种用于功率模块芯片互联的高性能烧结铜膜及其制备方法和应用，前驱体溶液的制备、溶液旋涂、热退火处理、铜膜分离等处理，获得致密、均匀的烧结铜膜。本发明对铜膜制备工艺的优化，采用溶液旋涂结合热退火工艺，先将铜盐、抗氧化剂、活性元素等...
    2025-12-01
  • 半导体封装方法、半导体组件及电子设备
    半导体封装方法、半导体组件及电子设备_上海易卜半导体有限公司_202510880964.8
    本申请涉及半导体封装方法、半导体组件及电子设备，该方法包括：提供至少一个第一焊接结构；第一焊接结构包括具有第一对准焊接部的半导体器件与具有第二对准焊接部的第一基板，第一对准焊接部与第二对准焊接部对准焊接；第一对准焊接部与第二对准焊接部中的一...
    2025-12-01
  • 用于引线框架封装器件的制造方法
    用于引线框架封装器件的制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510527552.6
    一种制造引线框架封装器件的方法，包括：提供引线框架，所述引线框架包括至少一个引线键合区域以及从所述至少一个引线键合区域延伸的多条引线，其中，每个引线键合区域包括多个键合焊盘；在每个引线键合区域上沉积镍镀层，以形成镀镍键合焊盘；在所述镍镀层上...
    2025-12-01
  • 一种半导体器件制作方法
    一种半导体器件制作方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511042012.5
    本发明涉及一种半导体器件，尤其涉及一种半导体器件制作方法，其中包括：形成基底层；在基底层的顶面上形成源极金属、漏极金属和栅极金属；在源极金属、漏极金属和栅极金属的顶面上形成第一介质层；在第一介质层的顶面上形成第一金属层；在第一金属层的顶面上...
    2025-12-01
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