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最新专利技术
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_株式会社村田制作所_202510579985.6
    本发明提供能抑制基极电阻上升且不与发射极台面交叉地将基极电极与周围布线连接的半导体装置及其制造方法。在含有第1导电型化合物半导体的集电极层的朝向第1方向的表面配置含有与第1导电型相反的第2导电型化合物半导体的基极层。在基极层的朝向第1方向的...
    2025-11-24
  • 改善SEG内外基区连接及填充的方法
    改善SEG内外基区连接及填充的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510956916.2
    本申请公开了一种改善SEG内外基区连接及填充的方法，包括提供一晶圆衬底；在晶圆衬底表面形成外延站点区域，外延站点区域包括外基区和内基区，外基区与内基区均开设有开口，外基区与内基区的开口连通呈倒“T”字型；形成外延层填充内基区，外延层形成过程...
    2025-11-24
  • 一种具有扩散阻挡结构的氧化镓肖特基二极管
    一种具有扩散阻挡结构的氧化镓肖特基二极管_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202510976898.4
    本发明公开了一种具有扩散阻挡结构的氧化镓肖特基二极管。氧化镓肖特基二极管包括衬底层、导电层、扩散阻挡层、漂移层、第一电极和第二电极。导电层设置在衬底层上，导电层由重掺杂的α‑Ga2O3薄膜组成；扩散阻挡层覆盖部分导电层，扩散阻挡层由Al2O...
    2025-11-24
  • 一种低反向漏电氧化镓基肖特基势垒二极管及其制备方法
    一种低反向漏电氧化镓基肖特基势垒二极管及其制备方法_复旦大学_202510836054.X
    本发明公开了一种低反向漏电氧化镓基肖特基势垒二极管及其制备方法，应用于高耐压情景中，该方法包括：准备一氧化镓衬底；在氧化镓衬底上生长标记层；利用离子注入机进行N离子注入形成箱型分布；接着，将样品送入管式炉中，在氮气氛围中退火；再将完成退火的...
    2025-11-24
  • MIM电容器制造方法
    MIM电容器制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511049902.9
    本申请公开了一种MIM电容器制造方法，包括：提供一基底，基底中形成有下极板层；沉积介质层覆盖基底和下极板层暴露的区域；沉积第一上极板层覆盖介质层；在第一上极板层上覆盖光刻胶，依次通过曝光和显影，去除第一目标区域的光刻胶；进行刻蚀，刻蚀形成凹...
    2025-11-24
  • 防止MIM电容ZrO2介质层结晶的方法
    防止MIM电容ZrO2介质层结晶的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511049743.2
    本发明公开了一种防止MIM电容ZrO2介质层结晶的方法，所述的MIM电容的介质层为AL2O3/ZrO2/Al2O3叠层膜，在一个反应腔室内部完成所述叠层膜的沉积；在所述叠层膜的第一层Al2O3形成后，引入常温的O3对晶圆表面进行处理；通入的...
    2025-11-24
  • 一种提高Cu MIM电容TDDB的结构及方法
    一种提高Cu MIM电容TDDB的结构及方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510969329.7
    本发明公开了一种提高Cu MIM电容TDDB的结构及方法，所述的MIM电容包含上下金属极板以及位于所述上下金属极板之间的介质层；所述的介质层为复合层，包含位于下层的氮化硅层和位于上层的氧化层。本发明通过在传统的介质层SiN上额外淀积一层AL...
    2025-11-24
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202411936758.6
    一种半导体器件包括电容器，该电容器包括下电极、上电极、以及在下电极和上电极之间的介电层，其中，下电极和上电极中的至少一个包括纳米层压电极，其中，纳米层压电极包括交替布置的多个第一材料层和多个第二材料层，其中，多个第一材料层包括氧化铟(In2...
    2025-11-24
  • 一种提升初始态极化强度的铁电电容器及制备方法和应用
    一种提升初始态极化强度的铁电电容器及制备方法和应用_复旦大学_202511094752.3
    本发明属于微电子领域，具体涉及一种提升初始态极化强度的铁电电容器及制备方法和应用，铁电电容器包括由底至顶依次层叠的衬底、底电极、超薄铁电介质层和顶电极；超薄铁电介质层为Hf1‑xZrxO2薄膜，0
    2025-11-24
  • 一种三维电感器及其制造方法
    一种三维电感器及其制造方法_江南大学_202510909907.8
    本发明公开了一种三维电感器及其制造方法，属于电感制造领域。所述三维电感器包括：由硅和玻璃构成的复合载体；位于所述玻璃内的空腔；贯穿所述玻璃的悬空三维通孔结构；所述复合载体上下表面设置的金属线路，所述金属线路通过所述悬空三维通孔结构形成三维螺...
    2025-11-24
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202411190072.7
    本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。该半导体装置可以包括：外围电路；位于外围电路上的第一栅极结构；位于与第一栅极结构对应的层级处的第一层叠；位于第一栅极结构上的源极接合结构；位于第一层叠上的第一接触接合结构；穿过第一栅极结构延伸到源...
    2025-11-24
  • 存储装置及其制作方法、存储器、电子设备
    存储装置及其制作方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202410567399.5
    本申请提供一种存储装置及其制作方法、存储器、电子设备，涉及半导体技术领域，能够缩短信号的传输距离。该存储装置包括键合的存储阵列芯片和逻辑芯片。逻辑芯片中包括：设置在第一衬底正面的第一晶体管和第一金属走线，以及设置在第一衬底背面的供电网络。第...
    2025-11-24
  • 氧化铪铁电存储器的制备方法
    氧化铪铁电存储器的制备方法_中国科学院微电子研究所_202511190134.9
    本公开提出了一种氧化铪铁电存储器的制备方法，该制备方法包括首先在衬底上沉积导电材料作为下电极层；再在含有氧气的保护氛围中，通过采用含有铪元素的靶材，进行磁控溅射，在所述下电极层表面形成铁电层，其中，氧气通量为0‑10sccm；再在所述铁电层...
    2025-11-24
  • 一种半导体器件及其制作方法、电子设备
    一种半导体器件及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410551642.4
    本申请提供了一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体器件的制作方法包括：在衬底上形成若干阵列排布的半导体柱，半导体柱包括沿垂直于衬底方向依次分布的第一电极区、沟道区和第二电极区，第一电极区靠近衬底；在半导体柱的侧壁...
    2025-11-24
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510040610.2
    根据一些示例实施例的半导体存储器装置可包括：源极板，包括半导体材料；模制结构，在源极板的底表面上，模制结构包括在第一方向上彼此交替堆叠的多个栅电极和多个模制绝缘层，第一方向与源极板的底表面垂直，所述多个栅电极和所述多个模制绝缘层中的每个在第...
    2025-11-24
  • NORD闪存的工艺制造方法
    NORD闪存的工艺制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510969565.9
    本发明公开了一种NORD闪存的工艺制造方法，旨在简化工艺流程并降低成本。该方法包括：在衬底上依次形成浮置栅层、栅间介质层、控制栅层和硬掩模层，并图案化硬掩模层；以硬掩模为掩模，合并刻蚀闪存及外围区域的控制栅层、栅间介质层和浮置栅层；通过共同...
    2025-11-24
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410585298.0
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，属于半导体技术领域，半导体器件包括多层沿垂直于衬底的方向堆叠的存储单元；所述存储单元包括：晶体管；所述晶体管包括：沿垂直衬底方向延伸的栅极，环绕所述栅极的侧壁的半导体层，环绕所述半导体层的侧壁且与所述半...
    2025-11-24
  • 闪存器件及其制备方法
    闪存器件及其制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511052838.X
    本申请提供一种闪存器件及其制备方法，其中在制备方法中，对传统的位线及字线多晶硅刻蚀的掩膜版版图进行更改，只打开存储区和引出区的位线多晶硅，不打开引出区的字线多晶硅，同时采用无选择比等离子体刻蚀工艺刻蚀存储区以及引出区的部分厚度的位线多晶硅以...
    2025-11-24
  • 自对准叠栅NORD闪存结构及其制造方法
    自对准叠栅NORD闪存结构及其制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511049709.5
    本发明提供一种自对准叠栅NORD闪存结构及其制造方法。该结构包括：浮栅、用作控制栅并环绕所述浮栅的控制栅多晶硅侧墙、以及设置在所述控制栅多晶硅侧墙顶面上的金属硅化物层。其制造方法包括：形成所述控制栅多晶硅侧墙，并利用其作为掩模对所述浮栅进行...
    2025-11-24
  • 具有单个多晶硅浮动栅极和接触控制栅极的非易失性存储器单元
    具有单个多晶硅浮动栅极和接触控制栅极的非易失性存储器单元_意法半导体国际公司_202510526165.0
    本公开涉及具有单个多晶硅浮动栅极和接触控制栅极的非易失性存储器单元。一种用于基于浮动栅极晶体管实现非易失性存储器单元的成本有效的技术方案，该浮动栅极晶体管包括覆盖半导体衬底的有源区和场区的浮动栅极：单个多晶硅浮动栅极NVM位单元。使用常存在...
    2025-11-24
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