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  • 本公开公开了发光二极管及其制备方法,属于半导体技术领域。所述发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、晶格优化层与透明导电层;所述透明导电层为金属氧化物层,所述晶格优化层为Al掺杂层,所述晶格优化层与所述透明导电层的连...
  • 本申请公开了一种带有极化诱导隧穿结的AlGaInP红光LED芯片结构及制备方法,该芯片结构从下至上依次包括GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型刻蚀阻挡层、n型GaAs欧姆接触层、n型限制层、非掺杂InGaP/量子阱结构、p型间隔层、p型A...
  • 本发明涉及半导体器件领域,特别涉及一种适用于低工作电流密度的微型发光二极管外延结构,包括衬底以及在衬底上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层,多量子阱发光层的阱层和垒层的交替周期数在1~5之间,阱层的主要...
  • 本发明涉及显示设备技术领域,特别涉及一种LED封装结构的制备方法及LED封装结构,制备方法包括以下步骤:提供荧光片,对荧光片进行边缘封装,形成荧光片组合结构,荧光片组合结构包括荧光片及设置在荧光片侧面的透明胶,透明胶与荧光片的侧面之间形成倾...
  • 提供一种光提取效果良好的透光性部件、发光装置及透光性部件的制造方法。透光性部件的制造方法包括:准备透光性的基材的步骤,所述基材具有第1表面和位于所述第1表面的相反侧的第2表面,所述第1表面侧配置有第1膜,所述第1膜包含能被酸性物质去除的物质...
  • 本发明公开了一种带背射式芯片的探测器封装工艺,包括备料、芯片与平面热沉键合、倒装芯片、管帽封焊等步骤,通过把芯片倒装式贴合到U型热沉上,带微透镜背面完全裸露与光接触,无需居中放置,安装精度低,操作简单效率高,劳动强度小,光利用率高,透光性好...
  • 本申请公开光电探测器和电子设备,光电探测器包括衬底、反光结构、多层膜滤波器以及环绕所述衬底设置的深沟槽隔离结构,其中:所述多层膜滤波器为由至少两种薄膜材料交替堆叠而成的多层薄膜结构,所述多层膜滤波器在深度方向上位于所述衬底的第一表面的第一侧...
  • 本发明属于光伏技术领域,公开一种背接触太阳能电池、电池组件以及光伏系统。背接触太阳能电池包括硅基底,硅基底具有相对设置的受光面和非受光面,非受光面具有P区和N区;P区分布有若干第一凹槽,至少部分第一凹槽相互重叠形成第一重叠区域;N区分布有若...
  • 本发明适用于光伏电池技术领域,提供了一种太阳能电池,其包括硅衬底和介质膜层,硅衬底包括沿第一方向相对的第一侧面和第二侧面以及沿第二方向相对的第一表面和第二表面。介质膜层包括第一介质膜层、第二介质膜层,第一介质膜层覆盖在第一掺杂层以及第一侧面...
  • 本申请实施例提供了一种钝化结构及其制备方法和太阳能电池,所述钝化结构包括氧化硅层以及依次设置于氧化硅层表面的第一钝化层和第二钝化层,第一钝化层包括交替层叠设置的至少一层的第一氧化铝层和至少一层的第二氧化铝层,第二钝化层包括交替层叠设置的至少...
  • 本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池领域,太阳能电池包括:硅基体、氧化硅层、氧化铝层、第一氮化硅层与第二氮化硅层,所述硅基体包括相对设置的第一表面与第二表面,所述氧化硅层设置于所述第一表面上,所述氧化硅层具有第一预设厚度,...
  • 本申请提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制备方法,涉及光伏技术领域,该种太阳能电池包括:硅衬底,具有相对的第一表面和第二表面;第一掺杂层和第一钝化层,依次设置在第一表面上;第二掺杂层和第二钝化层,依次设置在第二表面上,第一掺杂层的掺杂类型与...
  • 本发明公开了一种电池片及光伏组件,电池片包括电池片本体和多个栅线。电池片本体的厚度方向的至少一侧表面具有第一区和第二区,第二区位于电池片本体的沿第一方向的一侧边缘。第一栅线和第二栅线的极性相反,第一栅线和第二栅线沿第一方向延伸,其中,第一区...
  • 本申请涉及光伏技术领域,本申请实施例提供了一种背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件,背接触电池包括本体和主栅,主栅包括铜层和锡层,铜层设置于本体的背光面,锡层包覆于铜层的外表面;沿主栅的长度方向,主栅具有交替分布的主体部和连接部,连接部的高...
  • 本公开提出一种功能添加剂浆料、N型TOPCon太阳能电池的低温固化铜浆料、电极及制备方法,属于太阳能电池技术领域。功能添加剂浆料包括:50‑90质量份的有机载体;0.1‑30质量份的功能添加剂;功能添加剂包括镁粉、硅粉、铅粉、石墨、炭黑、锡...
  • 本发明涉及一种太阳电池栅线及其制备方法、太阳电池。上述太阳电池栅线包括种子层及种子层上的导电主体层,种子层远离导电主体层的一侧的材料为铝或者铝原子摩尔占比在98%以上的铝合金,该侧能够与电池主体良好连接,种子层靠近导电主体层的一侧的材料为铝...
  • 本公开提供了一种InGaAs外延片、短波红外探测器件及其制备方法。该InGaAs外延片,由下至上包括斜切的InP衬底、缓冲层、InGaAs吸收层和盖帽层;其中,所述InP衬底与所述缓冲层的接触面为斜切面。通过斜切的InP衬底,以使InP衬底...
  • 本发明适用于光伏技术领域,提供了一种太阳能电池、电池串、光伏组件及光伏系统,其包括硅衬底,硅衬底上设置有第一区域和第二区域,第一区域上设置有第一掺杂层,第二区域上设置有第二掺杂层,第一区域和第二区域沿第一方向延伸,并沿第二方向排列,第一细栅...
  • 本申请提供了一种太阳能电池片的制备方法和光伏组件,涉及光伏技术领域。该制备方法包括刻蚀去除非栅线区域的掺杂多晶硅层和部分硅片,其中,硅片的中间部分的刻蚀深度大于边缘部分的刻蚀深度。由于边缘部分的非栅线区域相对于中间部分的非栅线区域而言,有着...
  • 本发明公开一种背接触电池及其制造方法、光伏组件,涉及该光伏技术领域,以降低第一掺杂半导体部靠近凹槽的边缘部分的漏电风险,利于提高背接触电池的转换效率。背接触电池包括:半导体基底、第一掺杂半导体部、隔离层和第二掺杂半导体部。第三区的底表面分别...
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