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最新专利技术
  • 一种基于有机材料的水系锌电池正极及其制备方法
    一种基于有机材料的水系锌电池正极及其制备方法_中国矿业大学_202511059094.4
    本发明公开了一种基于有机材料的水系锌电池正极及其制备方法，属于水系锌电池技术领域，用以解决现有技术中水系锌电池正极活性物质易溶解导致稳定性较差的问题。本发明的正极所采用的正极浆料的组成按质量百分比包括梯形导电聚合物50～80和聚四氟乙烯水分...
    2025-12-13
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410599255.8
    本申请公开了一种显示面板及显示装置。所述显示面板包括：基板，多条第一复位信号线，多条第二复位信号线以及多条复位信号连接线的显示面板。其中，基板包括显示区以及围绕显示区的边框区，多条第一复位信号线以及多条第二复位信号线位于显示区，多条复位信号...
    2025-12-13
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_江苏长电科技股份有限公司_202511457058.3
    一种封装结构及其形成方法，结构包括：玻璃基板；缓冲粘结层，环绕覆盖玻璃基板的侧壁；重布线层，位于玻璃基板的正面和背面，重布线层与玻璃基板电连接；芯片，设置于玻璃基板正面的重布线层上，芯片与重布线层电连接。通过设置环绕覆盖玻璃基板的侧壁的缓冲...
    2025-12-13
  • 半导体装置和功率转换装置
    半导体装置和功率转换装置_三菱电机株式会社_202510538541.8
    本发明提供半导体装置，能防止在密封半导体元件的密封材料外产生的辐射噪声影响到控制基板。半导体装置包括：半导体元件；控制端子；分别连接到半导体元件的第1和第2主电极的第1和第2主端子；密封半导体元件、控制端子的一部分以及第1和第2主端子的一部...
    2025-12-13
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510084550.4
    本发明的半导体装置能够充分抑制IGBT构造中的电磁噪声。半导体装置的上层电极(14)和下层电极(12)在沟槽(8)的内部被中间绝缘膜(16)分离。第一电阻(R1)连接在上层电极(14)与栅电极(10)之间。第二电阻(R2)连接在下层电极(1...
    2025-12-13
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202410617551.6
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，所述基底包括多个阵列排布的芯片区以及位于相邻所述芯片区之间的切割道区；器件层，位于所述芯片区的基底上，所述器件层包括多个器件、与所述器件电连接的互连结构、以及覆盖所述器件和互连结构的第一介电层；对...
    2025-12-13
  • 测试装置、晶圆及测试方法
    测试装置、晶圆及测试方法_长江存储科技有限责任公司_202410613049.8
    本公开实施例提供了一种测试装置、晶圆及测试方法，该测试装置包括：控制电路、M个焊垫组和N个测试单元组，M和N均为大于1的整数，每个测试单元组包括的测试单元的数量小于或等于M，测试单元的总数大于M；控制电路，被配置为：接收测试信号，基于测试信...
    2025-12-13
  • 热耦合叠加测试结构及测试方法
    热耦合叠加测试结构及测试方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410607408.9
    本发明提供一种热耦合叠加测试结构及测试方法，包括：若干发热器件，用于为电迁移测试提供热量；位于若干所述发热器件上的第一互连层，所述第一互连层内具有被测试导线，所述被测试导线在所述第一互连层上的投影图形为第一投影图形，所述发热器件在所述第一互...
    2025-12-13
  • 一种高叠层高带宽打线封装结构及方法
    一种高叠层高带宽打线封装结构及方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511153946.6
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种高叠层高带宽打线封装结构及方法。包括基板，所述的基板上设有芯片模组一、IO接口模组，芯片模组一通过引线与基板键合，芯片模组一上端设有一层以上的芯片模组二，芯片模组二通过引线与IO接口模组键合。同现有...
    2025-12-13
  • 一种半导体结构、存储系统以及电子设备
    一种半导体结构、存储系统以及电子设备_西安紫光国芯半导体股份有限公司_202511146952.9
    本申请实施例提供一种半导体结构、存储系统以及电子设备，旨在提高半导体结构中器件的规模密度。本申请实施例提供的半导体结构中，第一芯片上设置有多个器件，第二芯片和第一芯片层叠设置，第二芯片的一侧设有金属层，金属层通过第一连接结构与第一芯片上的多...
    2025-12-13
  • 半导体结构及其制造方法和半导体器件
    半导体结构及其制造方法和半导体器件_极芯拓方技术(上海)有限公司_202511122285.0
    本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法和半导体器件。该半导体结构包括：沿第一方向堆叠设置的第一管芯、连接结构和第二管芯，连接结构沿第一方向相对设置的两侧分别和第一管芯、第二管芯之间键合连接；连接结构包括：基底层；位于基底层中且沿第一方向...
    2025-12-13
  • 晶片封装体及其制造方法
    晶片封装体及其制造方法_精材科技股份有限公司_202510610235.0
    本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一装置基底、一金属化层、一第一重布线层、一钝化护层结构以及一停止层。金属化层与第一重布线层分别设置于装置基底的前侧表面及背侧表面上。钝化护层结构覆盖围绕装置基底的边缘表面，且延伸至背侧...
    2025-12-13
  • 一种电连接件及功率模块
    一种电连接件及功率模块_苏州悉智科技有限公司_202511078556.7
    本申请涉及芯片封装的技术领域，尤其是涉及一种电连接件及功率模块，其中，电连接件包括连接主体，连接主体的一侧向下弯折形成有一个以上第一连接引脚，另一侧向下弯折形成有多个第二连接引脚。每个第一连接引脚用于与配合电连接件使用的电路载体连接。每个第...
    2025-12-13
  • 一种具有双通孔的芯片互连装置
    一种具有双通孔的芯片互连装置_之江实验室_202511500209.9
    本申请涉及芯片互连封装领域，公开了一种具有双通孔的芯片互连装置，其中，所述芯片互连装置包括介质层、接地层、第一焊盘、第二焊盘、第一微带线和第二微带线，介质层设置有第一通孔和第二通孔，其中，第一焊盘和第二焊盘设置于介质层的上表面，第一通孔的顶...
    2025-12-13
  • 半导体装置封装及其制造方法
    半导体装置封装及其制造方法_日月光半导体制造股份有限公司_202511119909.3
    本申请实施例涉及半导体装置封装及其制造方法。一种封装衬底包含第一介电层、第一图案化导电层及第一组对准标记。所述第一图案化导电层安置在所述第一介电层上。所述第一组对准标记安置在所述第一介电层上且邻近所述第一介电层的第一边缘。所述第一组对准标记...
    2025-12-13
  • 集成电路封装结构及电子设备
    集成电路封装结构及电子设备_浙江华众芯微电子有限公司_202511345976.7
    本申请公开了一种集成电路封装结构及电子设备，涉及集成电路技术领域。集成电路封装结构包括引线框架、低压侧芯片和高压侧芯片，引线框架具有第一侧，引线框架包括相互隔离的第一基岛、第二基岛，第一引脚、第二引脚和第三引脚，第二引脚与第一基岛连接，第一...
    2025-12-13
  • 半导体封装
    半导体封装_英飞凌科技奥地利有限公司_202510640185.0
    一种半导体封装(10)，包括包封物(11)，所述包封物(11)包括外围侧壁(11.1)，所述外围侧壁(11.1)中具有至少一个凹部(11.2)，其中，所述凹部(11.2)包括内底表面(11.2A)和在所述内底表面(11.2A)和所述包封物(...
    2025-12-13
  • 混合键合结构、其制造方法、混合键合工艺及键合设备
    混合键合结构、其制造方法、混合键合工艺及键合设备_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202511492504.4
    本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种混合键合结构、其制造方法、混合键合工艺及键合设备。混合键合结构中的第一待键合晶圆包括带有填充槽的介电层，其中设置第一金属块；还包括带有能暴露出第一金属块的开口槽的第一介质层，且开口槽中第一介质层形成第...
    2025-12-13
  • 一种金属重布线层结构及封装方法
    一种金属重布线层结构及封装方法_华天科技(江苏)有限公司_202511151152.6
    本发明提供了一种金属重布线层结构，其可以有效降低重布线层在焊盘与线路之间过度颈缩区域的应力，从而降低重布线层断裂的风险。其包括：基底；有机钝化层；金属重布线层；以及焊点或金属凸点；所述基底上设置有需要和焊点或金属凸点相连接的器件或机构，所述...
    2025-12-13
  • 一种基于直接引线键合的分立器件封装结构
    一种基于直接引线键合的分立器件封装结构_西安交通大学_202511132552.2
    本发明公开了一种基于直接引线键合的分立器件封装结构，属于半导体器件封装技术领域，包括功率半导体芯片、漏极金属基板、栅极引线端子、漏极引线端子、键合线、支撑外壳。漏极金属基板与功率半导体芯片的下表面通过焊料相连。所述功率半导体芯片上表面的栅极...
    2025-12-13
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