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最新专利技术
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410605294.4
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成间隔分布的多个第一半导体墙，相邻两个所述第一半导体墙之间露出所述衬底；采用选择性外延生长工艺，在相邻两个所述第一半导体墙之间形成与所述第一半导体墙间隔的第二半导...
    2025-11-23
  • 半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
    半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202510508921.7
    根据本公开的示例实施方式的半导体器件包括：板层；栅电极，堆叠并彼此间隔开，并包括下栅电极、存储栅电极和上栅电极；沟道结构，延伸穿过栅电极；第一接触插塞，分别电连接到上栅电极；第二接触插塞，延伸穿过栅电极的部分，并分别电连接到存储栅电极和下栅...
    2025-11-23
  • 存储器件、系统及其形成方法
    存储器件、系统及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202410612400.1
    一种存储器件包括：堆叠结构，包括在第一方向上延伸的交错的导电层和电介质层；半导体层，包括与所述堆叠结构接触的第一半导体层和在所述第一半导体层上的第二半导体层；以及沟道结构，沿着第二方向在所述堆叠结构中延伸并且与所述第一半导体层接触。所述半导...
    2025-11-23
  • 一种三维1S1C存储器及制备方法
    一种三维1S1C存储器及制备方法_华中科技大学_202511193397.5
    本发明公开了一种三维1S1C存储器及其制备方法，涉及存储器技术领域，包括：外围电极层和存储单元，其中外围电极层形成于衬底上，且自下向上第一电介质层与第一金属电极层依次相互交替堆叠，且设置有若干个在垂直方向贯穿的沟槽，各个沟槽之间互相平行，沟...
    2025-11-23
  • 具有平坦化鳍片的存储器元件及其制造方法
    具有平坦化鳍片的存储器元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510744043.9
    本申请案公开一种存储器元件及一种存储器元件的制造方法。此存储器元件包括：一半导体基板，定义有一主动区且包括多个鳍片，其中该多个鳍片从该半导体基板突出且设置在该主动区内，其中该多个鳍片的每一者具有一第一平坦顶部表面；一第一字元线，延伸到该半导...
    2025-11-23
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510631233.X
    提供了包括高度集成的存储单元的半导体器件以及制造这种半导体器件的方法。半导体器件包括：纳米片的垂直排列和水平排列，纳米片包括水平片和锥形片，水平片包括突出片节点，锥形片在第一水平方向上从所述水平片连续；第一导线的垂直排列，第一导线围绕水平排...
    2025-11-23
  • 竖直三维(3D)存储器中的增强型触点
    竖直三维(3D)存储器中的增强型触点_美光科技公司_202510626388.4
    提供用于竖直三维3D存储器中的增强型触点的方法及装置。方法可包含在竖直堆叠的每一层级处形成具有水平定向的存取装置及水平定向的存储节点的竖直堆叠的存储器单元的阵列。方法可包含形成连接到所述水平定向的存取装置的第一源极/漏极区的连续的、竖直定向...
    2025-11-23
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510084599.X
    公开了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：位线，在基底上，其中，位线在第一方向上延伸，第一方向与基底的上表面平行；沟道结构，在位线上，其中，沟道结构在第二方向上延伸，第二方向与基底的上表面平行，并且其中，沟道结构包括在第三方向上延伸...
    2025-11-23
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510070650.1
    一种半导体存储器件，包括：位线，设置在衬底上，并且在第一方向上延伸；沟道结构，设置在位线上，并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸，其中，沟道结构包括第一竖直部分和在第一方向上与第一竖直部分间隔开的第二竖直部分；字线，设置在第一竖直部分和第二...
    2025-11-23
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202411893031.4
    一种半导体器件可以包括：衬底；位线，在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸；半导体图案，在位线上，并且在垂直于衬底的顶表面的第三方向上延伸；以及栅电极，在半导体图案的侧表面上，并且在与衬底的顶表面平行并且与第一方向相交的第二方向上延伸。栅电极...
    2025-11-23
  • 具有平坦化鳍片的存储器元件及其制造方法
    具有平坦化鳍片的存储器元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411241122.X
    本申请案公开一种存储器元件及一种存储器元件的制造方法。此存储器元件包括：一半导体基板，定义有一主动区且包括多个鳍片，其中该多个鳍片从该半导体基板突出且设置在该主动区内，其中该多个鳍片的每一者具有一第一平坦顶部表面；一第一字元线，延伸到该半导...
    2025-11-23
  • 半导体结构及其制造方法、电子设备
    半导体结构及其制造方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202410628508.X
    一种半导体结构及其制造方法、电子设备。制造方法包括：在半导体衬底上形成第一堆叠结构；在第一堆叠结构的第一区域中形成水平开口，并在第一区域的两侧形成暴露半导体衬底的第一垂直开口和不暴露半导体衬底的第二垂直开口；利用第一垂直开口外延生长以在水平...
    2025-11-23
  • 一种半导体结构的制造方法及半导体结构
    一种半导体结构的制造方法及半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202410620780.3
    本公开涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。方法包括：提供基底，具有沿第一方向间隔排布的有源柱和隔离层，有源柱和隔离层均沿第二方向延伸；去除部分隔离层以形成暴露有源柱的顶表面和部分侧表面的第一凹槽；在第一凹槽内形成至少暴露有源柱的顶表面...
    2025-11-23
  • 半导体结构及其制备方法、电子设备
    半导体结构及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410615511.8
    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法、电子设备，半导体结构包括位线、公共源线以及存储单元。位线与公共源线沿第一方向排列，且二者均沿第二方向延伸。存储单元包括第一晶体管与第二晶体管。第一晶体管在第一方向上位于位线与公共源线之间，第一沟道层在第...
    2025-11-23
  • 一种半导体器件制造方法及半导体器件、电子设备
    一种半导体器件制造方法及半导体器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410609202.X
    一种半导体器件的制造方法及半导体器件、电子设备，所述半导体器件的制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一存储阵列，第一存储阵列包括多层沿垂直于所述衬底方向堆叠的存储单元阵列，存储单元阵列包括多个存储单元，存储单元的晶体管包括沿平行于衬底方向...
    2025-11-23
  • 存储器器件及其制造方法
    存储器器件及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410608836.3
    本申请实施例提供一种存储器器件及其制造方法，其中存储器器件包括：第一半导体结构，包括存储单元阵列；第二半导体结构，至少包括多个第一控制电路及分布在多个第一控制电路的间隙处的至少部分外围电路；第一半导体结构与第二半导体结构层叠设置且连接；第一...
    2025-11-23
  • 半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410606532.3
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统。该半导体结构包括电容接触结构、电容器、介质层和第一支撑层。电容器位于电容接触结构沿第一方向的一侧且与电容接触结构连接。介质层位于电容接触结构沿第二方向的至少一侧。第一支撑层位于电容接...
    2025-11-23
  • 半导体器件及其制造方法、读写方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、读写方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410605380.5
    一种半导体器件及其制造方法、读写方法、电子设备，半导体器件包括设置在衬底上的至少一个存储单元列，所述存储单元包括设置在衬底上的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括垂直于所述衬底的第一栅极、环绕所述第一栅极侧表面的第一半导体层以及设置在...
    2025-11-23
  • 具有虚设图案的半导体布局结构及其制造方法
    具有虚设图案的半导体布局结构及其制造方法_联华电子股份有限公司_202410713591.0
    本发明公开一种具有虚设图案的半导体布局结构及其制造方法，其中具有虚设图案的半导体布局结构包含：一基底，具有邻接的一单元区与一虚设区、多条鳍状结构位于该基底上、多条栅极位于该基底上并越过该些鳍状结构、多个狭槽形接触件位于该基底上以及该些栅极之...
    2025-11-23
  • 一种环球卧式插件机不良元件拦截系统及拦截方法
    一种环球卧式插件机不良元件拦截系统及拦截方法_合肥恒通智能科技有限公司_202511023750.5
    本发明公开了一种环球卧式插件机不良元件拦截系统及拦截方法，包括PLC、报警灯、直流继电器、交流继电器、语音喇叭、取消按钮和计数器，所述直流继电器输出端与PLC输入端连接，所述交流继电器输出端与PLC输入端连接，所述取消按钮输出端与PLC输入...
    2025-11-23
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