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最新专利技术
  • 一种锥模直拉法生长氧化镓晶体的方法
    一种锥模直拉法生长氧化镓晶体的方法_中原关键金属实验室_202511428295.7
    本申请提供了一种锥模直拉法生长氧化镓晶体的方法，包括：在铱坩埚中熔化氧化镓粉末形成氧化镓熔体，通过提拉杆下放籽晶进行下种、引晶、放肩、等径、收尾的步骤；在所述下种步骤之前，还包括：在所述提拉杆的下方连接一个倒锥形的漏斗；所述漏斗的尖端朝下且...
    2025-11-29
  • 一种氧化镓薄膜材料的外延生长方法
    一种氧化镓薄膜材料的外延生长方法_西安电子科技大学_202511197401.5
    本发明是一种氧化镓薄膜材料的外延生长方法，解决了氧化镓外延中因随机岛状成核、各向异性刻蚀导致的薄膜缺陷密度高，及工艺复杂等技术问题。实现包括：超声清洗衬底；退火处理；Al原子与In原子混合预沉积；脉冲Al原子辅助生长氧化镓薄膜。本发明以Al...
    2025-11-29
  • 一种电池级单晶四氧化三锰及其制备方法
    一种电池级单晶四氧化三锰及其制备方法_钦州南海化工有限公司_202511197375.6
    本发明涉及四氧化三锰制备技术领域，具体公开了一种电池级单晶四氧化三锰及其制备方法，所述Mn3O4为类球形四方相单晶，锰含量≥75％，平均粒径2‑8μm且D50偏差≤3％，杂质含量极低(Fe、Si、Ni、Co各自≤3ppm，Na+、K+各自≤...
    2025-11-29
  • 一种改善等径生长速率的单晶硅棒拉制方法
    一种改善等径生长速率的单晶硅棒拉制方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511403314.0
    本发明公开了一种改善等径生长速率的单晶硅棒拉制方法，涉及硅棒制备技术领域，包括：手动控制模式下开启参数栏显示功能，核对相关参数，结合生长记录确定坩埚下限位，计算得到临界埚位和放置埚位，设定参数，调整坩埚位置且确保液面不接触导流筒，观察捕捉是...
    2025-11-29
  • 拉晶加热功率调控方法、装置、设备及存储介质
    拉晶加热功率调控方法、装置、设备及存储介质_内蒙古中环晶体材料有限公司_202511163716.8
    本申请实施例提供一种拉晶加热功率调控方法、装置、设备及存储介质，属于单晶硅材料生产技术领域。该方法包括：获取实时拉晶参数，实时拉晶参数包括实时剩料重量、实时晶体拉速；基于实时剩料重量、实时晶体拉速以及预先构建的映射表，确定当前加热补偿功率，...
    2025-11-29
  • 重掺＜111＞晶向硅晶体放肩方法、装置、设备及介质
    重掺＜111＞晶向硅晶体放肩方法、装置、设备及介质_中环领先(徐州)半导体材料有限公司_202511159368.7
    本申请公开了一种重掺<111>晶向硅晶体放肩方法、装置、设备及介质，方法包括：获取加热器初始功率，在预设时间间隔内控制加热器按照放肩参数预设表中的功率变化量变化功率；放肩参数预设表为预先得到的放肩成活率不小于预设成活率时的放肩参数表；根据实...
    2025-11-29
  • 一种低成本生产单个大尺寸圆形单晶工艺
    一种低成本生产单个大尺寸圆形单晶工艺_宁波硅宁半导体材料有限公司_202511146301.X
    本发明提供一种低成本生产单个大尺寸圆形单晶工艺，属于半导体加工技术领域。包括以下步骤：步骤一，选取圆形坩埚，在圆形坩埚内表面制备一层涂层，烘干后待用；步骤二，在圆形坩埚中心铺设一块圆形籽晶；步骤三，在圆形坩埚内壁与圆形籽晶之间放置陶瓷石英环...
    2025-11-29
  • 一种双激光复合改质实现大尺寸金刚石的高质量剥离方法
    一种双激光复合改质实现大尺寸金刚石的高质量剥离方法_广东工业大学_202511126364.9
    本发明公开了一种双激光复合改质实现大尺寸金刚石的高质量剥离方法，包括以下步骤：将样品放置固定在三维移动平台，样品上表面为(100)晶面；采用超快激光发生器产生的激光透过样品上表面聚焦到样品内部，然后采用超快激光发生器产生的激光对样品进行第一...
    2025-11-29
  • 一种铂、铑、钯单晶粉末的制备方法
    一种铂、铑、钯单晶粉末的制备方法_英特派铂业股份有限公司_202511160587.7
    本申请公开了一种铂、铑、钯单晶粉末的制备方法，属于金属粉体材料制备领域，其步骤包括溶碳、缓冷结晶、单晶粉体制备、除碳等。本操作方法可批量制备铂、铑、钯等贵金属的微米、亚毫米级单晶粉末。
    2025-11-29
  • 一种P型碳化硅外延片的掺杂浓度均匀性提高方法
    一种P型碳化硅外延片的掺杂浓度均匀性提高方法_季华实验室_202511506273.8
    本申请属于碳化硅外延生长技术领域，公开了一种P型碳化硅外延片的掺杂浓度均匀性提高方法，该方法包括：向反应室通入预设流量的氢气后，将碳化硅衬底放置于反应室中，保持氢气的输入流量不变，分别将反应室的温度和压力调节至预设的刻蚀温度和预设的刻蚀压力...
    2025-11-29
  • 一种硅外延生长用的分区温控石英反应腔
    一种硅外延生长用的分区温控石英反应腔_芯纳百川(无锡)半导体科技有限公司_202511516792.2
    本发明公开了一种硅外延生长用的分区温控石英反应腔，涉及石英反应腔技术领域，包括腔室，所述腔室顶部设置有供气座，所述腔室底部设置有排气口，还包括：载具，所述载具包括：基座，所述基座置于腔室内部，所述基座上表面边缘设置有围挡；多个第一挡环，固定...
    2025-11-29
  • 一种用于MPCVD设备的偏压基台结构
    一种用于MPCVD设备的偏压基台结构_南京三乐微波技术发展有限公司_202511371459.7
    本发明涉及单晶金刚石制备技术领域，公开了一种用于MPCVD设备的偏压基台结构，包括腔体，所述腔体内部设置有陶瓷套筒，所述腔体外侧装有外接电源的KF单芯电极，所述腔体内壁顶部设置有基台环，基台垫板，所述基台垫板上表面设置有生长衬底，铜台，所述...
    2025-11-29
  • 一种基于Mxene衬底可控生长氧化镓薄膜的方法
    一种基于Mxene衬底可控生长氧化镓薄膜的方法_江苏师范大学_202511140637.5
    本发明公开了一种基于Mxene衬底可控生长氧化镓薄膜的方法，包括以下步骤：选择Mxene作为衬底；加热衬底至一定温度，并在一定生长压强下、惰性气氛中进行溅射沉积，在Mxene衬底表面外延生长氧化镓薄膜。本发明首次采用射频磁控溅射法在Mxen...
    2025-11-29
  • 液口距控制方法
    液口距控制方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511213392.4
    本发明属于单晶硅制造技术领域，具体涉及一种液口距控制方法，将石英坩埚划依次沿着高度方向水平划分为若干区域，并获得每个区域内溶液的高度Hi和重量Wi，设定变形量并结合其他参数计算基准Ratio值，根据单位时间内平均籽晶生长速度计算生长的单晶重...
    2025-11-29
  • 利用调整后的8寸拉晶系统拉制12寸硅单晶的方法
    利用调整后的8寸拉晶系统拉制12寸硅单晶的方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511213305.5
    本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种利用调整后的8寸拉晶系统拉制12寸硅单晶的方法，通过调整热屏尺寸、角度，扩大热场空间，上移加热器位置以及优化保温材设置，有助于优化热场内的温度分布和热传递效率，为拉制12寸硅单晶创造更适宜的热场...
    2025-11-29
  • 降低重掺单晶氧化物堆积的方法
    降低重掺单晶氧化物堆积的方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511213185.9
    本发明提供一种降低重掺单晶氧化物堆积的方法，属于重掺拉晶控制方法技术领域，在整个拉晶过程中，所述第二排出部始终开启，而在掺杂时，再开启所述吹送部及所述第一排出部，所述吹送部产生向下的多股进气气流，且吹送部产生的多股气流与炉内较大的氩气量产生...
    2025-11-29
  • 一种直拉单晶炉加料系统
    一种直拉单晶炉加料系统_江苏中能硅业科技发展有限公司_202511488395.9
    本发明公开了直拉单晶制造领域的一种直拉单晶炉加料系统，旨在解决连续直拉单晶时连续加料引起的双层坩埚内外温差的技术问题。所述系统包括炉体以及位于炉体外部的硅料加料装置，硅料加料装置通过下料管道贯穿延伸至炉体内部；炉体内部安装有双层坩埚，双层坩...
    2025-11-29
  • 重掺单晶的放肩方法
    重掺单晶的放肩方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511152675.2
    本发明提供一种重掺单晶的放肩方法，属于重掺拉晶控制方法技术领域，通过根据不同的高径比得到不同的放肩肩型、放肩拉速及温度梯度变化趋势，使得放肩肩型与高径比适配，通过放肩拉速匹配对应的温度梯度得到放肩肩型，减少溶体因为受热不同而产生密度差，降低...
    2025-11-29
  • 可连续拉制多根晶棒的单晶炉结构及方法
    可连续拉制多根晶棒的单晶炉结构及方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511214401.1
    一种可连续拉制多根晶棒的单晶炉结构及方法，包括主炉室、副炉室、炉台支撑结构；炉台支撑结构包括位于主炉室同一侧的第一支撑立柱、第二支撑立柱、第三支撑立柱；第一支撑立柱、第二支撑立柱对称设于主炉室两侧，第三支撑立柱设于第一支撑立柱与第二支撑立柱...
    2025-11-29
  • 单晶硅棒的制造方法、硅晶圆及其制造方法以及拉晶炉
    单晶硅棒的制造方法、硅晶圆及其制造方法以及拉晶炉_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510968033.3
    本公开提供了单晶硅棒的制造方法、硅晶圆及其制造方法以及拉晶炉，所述制造方法包括：在拉晶炉中，采用直拉法拉制单晶硅棒；在所述拉晶炉中，对所述单晶硅棒进行第一热处理，所述第一热处理的温度范围为650℃至800℃，持续时间范围为5分钟至90分钟；...
    2025-11-29
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