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最新专利技术
  • 一种存储器的形成方法和存储器
    一种存储器的形成方法和存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202510946512.5
    本申请涉及一种存储器的形成方法和存储器，其包括提供基底；在存储区的基底上形成间隔排布的堆叠结构和填充于堆叠结构之间的第一介质层，堆叠结构包括：第一导电层、存储结构以及位于存储结构顶部表面的牺牲层；去除各牺牲层，形成相对于第一介质层表面凹陷的...
    2026-01-07
  • 半导体结构和半导体结构的形成方法
    半导体结构和半导体结构的形成方法_复旦大学_202511174376.9
    一种半导体结构和半导体结构的形成方法，结构包括：基底，基底具有相对的正面和背面，背面具有背部供电网络；若干鳍部，若干鳍部相互独立，鳍部位于正面，鳍部用于构成半导体结构中的逻辑电路；鳍部隔离层，鳍部隔离层位于正面，并位于相邻的鳍部之间；若干嵌...
    2026-01-07
  • 半导体器件的形成方法和半导体器件
    半导体器件的形成方法和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202510960268.8
    本申请提供了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，该形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成存储叠层以及位于存储叠层上的掩膜层，存储叠层包括依次叠置的第一电极层、初始存储层和第二电极层；以掩膜层为掩膜，对初始存储层进行若干次等离子体刻蚀处理，以...
    2026-01-07
  • 单晶体管双电阻式存储器的结构及其制作方法
    单晶体管双电阻式存储器的结构及其制作方法_联芯集成电路制造(厦门)有限公司_202410674372.6
    本发明公开一种单晶体管双电阻式存储器的结构及其制作方法，其中单晶体管双电阻式存储器的结构包含一基底，一晶体管设置基底上，晶体管包含一第一源极/漏极掺杂区埋入于晶体管的一侧的基底中，一第一源极/漏极插塞、一第一金属线、一第一插塞、一第二金属线...
    2026-01-07
  • 磁阻式随机存取内存及其形成方法
    磁阻式随机存取内存及其形成方法_联华电子股份有限公司_202410776699.4
    本发明公开一种磁阻式随机存取内存及其形成方法，磁阻式随机存取内存包括：下部金属层以及下部介电层，设置于半导体基底上，且其中所述下部金属层设置于所述下部介电层中；介电层，设置于所述下部介电层以及所述下部金属层上；穿孔插塞、磁性隧穿结以及额外金...
    2026-01-07
  • 一种可重构布尔逻辑单元及其制备方法
    一种可重构布尔逻辑单元及其制备方法_南方科技大学_202511216944.7
    本发明公开了一种可重构布尔逻辑单元及其制备方法，可重构布尔逻辑单元包括：P型金属氧化物半导体场效应管和N型铁电场效应晶体管；P型金属氧化物半导体场效应管包括：第一栅极、第一介电层、第一沟道层、第一漏极、第一源极和第二介电层；所述N型铁电场效...
    2026-01-07
  • 半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统
    半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410683228.9
    本公开提供一种半导体结构，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决电容结构的电容值提升困难的问题。本公开提供的一种半导体结构包括支撑层和电容结构。电容结构贯穿至少部分支撑层，电容结构包括第一电极层、第二电极层以及介电层；其中，第一电极层包括第一子电...
    2026-01-07
  • 半导体器件及其制作方法、电子设备
    半导体器件及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410674921.X
    本公开涉及一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及集成电路技术领域，制作方法包括：提供衬底，在衬底上形成绝缘层和牺牲层交替堆叠的叠层结构；形成多个阵列分布的沟道孔，沟道孔贯穿叠层结构；形成依次覆盖沟道孔的侧壁的栅介质层、介电叠层和半导体层...
    2026-01-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410666966.2
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件，半导体器件包括设置在衬底上的第一位线、第一字线、第二位线、第二字线，以及多层沿垂直于所述衬底方向堆叠的存储单元列；所述第一位线和所述第二位线均垂直于所述衬底，所述第一字线和所述第二字线均沿着...
    2026-01-07
  • 半导体存储装置及其制造方法
    半导体存储装置及其制造方法_铠侠股份有限公司_202511172965.3
    实施方式提供一种可减少因构造或材料不同可能产生的变形的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，交替逐层积层着多个导电层与多个绝缘层；多个第1板状部，是将所述积层体在它的积层方向贯通，同时在与所述积层方向交叉的第1方...
    2026-01-07
  • 闪存器件及其制备方法
    闪存器件及其制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511159001.5
    本申请提供一种闪存器件及其制备方法，其中在制备方法中，通过在所述闪存单元侧的所述存储区的衬底表面形成第一堆叠结构，分别是：钛层、第一厚度的镍铂合金层和氮化钛层，然后执行一次热退火工艺，以使第一堆叠结构转变为第二堆叠结构(堆叠的衬底、镍铂硅化...
    2026-01-07
  • 半导体存储器件以及包括该半导体存储器件的电子系统
    半导体存储器件以及包括该半导体存储器件的电子系统_三星电子株式会社_202510324669.4
    一种半导体存储器件，包括：堆叠结构，包括交替堆叠的栅电极和层间绝缘层；源极结构，在堆叠结构上；以及沟道结构，在堆叠结构中延伸。每个沟道结构包括：核心绝缘体，沿竖直方向在堆叠结构中延伸，其中，核心绝缘体突出到源极结构中；沟道层，围绕核心绝缘体...
    2026-01-07
  • 非易失性存储器及其形成方法
    非易失性存储器及其形成方法_华虹集成电路(成都)有限公司_202511168204.0
    本发明提供一种非易失性存储器及其形成方法，衬底上形成浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构凸出于衬底，浅沟槽隔离结构的顶表面形成有凹坑；形成浮栅材料层，浮栅材料层覆盖相邻浅沟槽隔离结构之间的衬底且覆盖浅沟槽隔离结构的顶表面，浅沟槽隔离结构的顶表面的...
    2026-01-07
  • 浮栅型分栅闪存器件及其制造方法
    浮栅型分栅闪存器件及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511156945.7
    本发明提供一种浮栅型分栅闪存器件及其制造方法。该器件在选择栅下方的沟道区中设置有P型袋状区和位于P型区之中的N型区，二者形成掺杂浓度梯度分布；且所述选择栅由P型多晶硅或金属材料构成。该方法通过在形成第一侧墙介质层和第二侧墙介质层后，分别进行...
    2026-01-07
  • 分栅快闪存储器及其制造方法
    分栅快闪存储器及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511156599.2
    本发明提供一种分栅快闪存储器的制造方法，该方法包括：提供形成有栅极堆叠的半导体衬底，栅极堆叠包括浮置栅极和擦除栅极；通过光刻和刻蚀工艺，在栅极堆叠中形成贯穿栅极堆叠并暴露出半导体衬底的沟槽；在沟槽的侧壁上形成字线偏移间隔物；并在沟槽内形成与...
    2026-01-07
  • 垂直非易失性存储器装置
    垂直非易失性存储器装置_三星电子株式会社_202510348676.8
    一种垂直非易失性存储器装置包括存储器单元区域和延伸区域。存储器单元区域包括存储器堆叠结构，并且存储器堆叠结构包括在沟道孔中的第一沟道区域、围绕第一沟道区域中的相应第一沟道区域延伸的第一栅极介电层和围绕第一栅极介电层中的相应第一栅极介电层延伸...
    2026-01-07
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202411876722.3
    本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置可包括：外围电路；第一栅极结构，其设置在外围电路上；第二栅极结构，其设置在第一栅极结构上；介电接合结构，其在第一栅极结构和第二栅极结构之间延伸；第一接触通孔，其延伸穿过第一栅极结构并...
    2026-01-07
  • 形成半导体结构的方法
    形成半导体结构的方法_南亚科技股份有限公司_202411181163.4
    一种形成半导体结构的方法包括在基板上形成硬遮罩层、在基板和硬遮罩层中形成字元线沟槽、在字元线沟槽中形成字元线结构。字元线结构的顶表面和基板共平面。方法进一步包括在字元线沟槽中形成第一介电层。第一介电层的顶表面和硬遮罩层的顶表面共平面。方法进...
    2026-01-07
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202410675135.1
    提供了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括晶体管和分别与晶体管耦合的电容器。每个电容器包括沿着垂直方向延伸并且与对应的晶体管耦合的第一电极、横向围绕第一电极的电介质层以及横向围绕电介质层的第二电极。电介质层包括沿着垂直方向的至少一个阶...
    2026-01-07
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410675082.3
    一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；位线结构，位线结构沿第三方向设置于衬底上，第三方向平行于衬底，位线结构包括沿所述第三方向排列的第一部与第二部；第一叠层结构和第二叠层结构，第一叠层结构和第二叠层结构设置于位线结构两侧，并与第...
    2026-01-07
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