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最新专利技术
  • 全光谱发光装置和全光谱白光发光装置
    全光谱发光装置和全光谱白光发光装置_普瑞光电(厦门)股份有限公司_202511126077.8
    本发明涉及一种全光谱发光装置，其包括：固态光源，用于产生主波长在420nm至480nm范围内的激发光，所述激发光由多个不同主波长的光发射组成；光致发光材料，用于产生峰值发射波长在490nm至680nm范围内的光；其中，所述装置用于产生具有光...
    2026-01-02
  • 全光谱发光装置和全光谱白光发光装置
    全光谱发光装置和全光谱白光发光装置_普瑞光电(厦门)股份有限公司_202511125634.4
    本发明涉及一种全光谱发光装置，其包括：固态光源，用于产生具有从420nm至480nm的主波长的激发光，所述激发光由多个不同主波长的光发射组成；光致发光材料，用于产生具有从在490nm至680nm的峰值发射波长的光；其中，所述装置用于产生具有...
    2026-01-02
  • 一种LED封装模组及显示器件
    一种LED封装模组及显示器件_江苏镁来得科技有限公司_202511032851.9
    本发明公开的一种LED封装模组及显示器件，其封装模组利用金属箔层来扩大引出端子之间的距离，成本较低，且实现方式简单，并且对于散热也具有一定的帮助；铜箔层可以增加LED芯片出光的反射，保证正面的出光效率；特别的，本申请利用绝缘载板上的第一凸起...
    2026-01-02
  • 半导体芯片
    半导体芯片_群创光电股份有限公司_202410632575.9
    本揭露提供一种半导体芯片。半导体芯片包括第一半导体元件、第二半导体元件、填充层、透明导电层以及第一金属层。第二半导体元件邻近第一半导体元件。填充层包覆第一半导体元件与第二半导体元件。透明导电层设置于填充层上。透明导电层电性连接第一半导体元件...
    2026-01-02
  • LED阵列
    LED阵列_斯纳普公司_202511004658.4
    一种LED阵列及制造LED阵列的方法，该方法包括以下步骤：由III族氮化物材料形成半导体层(100)；在半导体层上方形成电介质掩模层(104)，电介质掩模层具有穿过该电介质掩模层的孔洞的阵列，每个孔洞暴露出半导体层的一区域；并且使在每个孔洞...
    2026-01-02
  • 一种使用巨量转移工艺制备的水氧稳定的钙钛矿LED器件
    一种使用巨量转移工艺制备的水氧稳定的钙钛矿LED器件_苏州思凯莱特光电科技有限公司_202511191679.1
    本发明属于半导体显示器件领域，提供了一种钙钛矿LED器件的制备方法及器件。本发明采用了创新的核‑壳结构设计，通过金属有机框架前驱体与钙钛矿前驱体反应，配位交换形成2D层状钙钛矿内壳和金属有机框架外壳，得到稳定的CsPbX3核‑壳复合材料，结...
    2026-01-02
  • 用于制造显示面板的装置
    用于制造显示面板的装置_三星显示有限公司_202510680059.8
    用于制造显示面板的装置包括支撑部分，在支撑部分上安装显示衬底。装置包括按压部分，按压部分包括限定与激光束的透射区域对应的开口的掩模和配置成压靠掩模的按压构件。装置包括激光照射部分，设置在支撑部分的前面，并且配置成用激光通过掩模照射显示衬底。...
    2026-01-02
  • 制造显示面板的设备
    制造显示面板的设备_三星显示有限公司_202510670069.3
    本申请涉及制造显示面板的设备。制造显示面板的设备包括其上安装有显示衬底的支承部分。该设备还包括按压部分，按压部分包括：透光板，设置在支承部分的前表面上，反射构件，设置在透光板内，以及光吸收构件，配置为吸收由反射构件反射的激光，并且按压部分配...
    2026-01-02
  • 发光元件拾取顺序的确定方法、发光元件的拾取方法和转移方法、装置、设备和介质
    发光元件拾取顺序的确定方法、发光元件的拾取方法和转移方法、装置、设备和介质_合肥京东方星宇科技有限公司_202410661003.3
    公开了一种发光元件拾取顺序的确定方法、发光元件的拾取方法和转移方法、装置、设备和介质，涉及发光元件领域。该方法包括：获取第一基板的第一基板数据，第一基板包括多个第一发光元件，第一基板数据包括第一位置信息，第一位置信息用于指示多个第一发光元件...
    2026-01-02
  • 一种小尺寸蓝光LED器件的制备方法及器件
    一种小尺寸蓝光LED器件的制备方法及器件_厦门大学_202511215513.9
    本发明公开了一种小尺寸蓝光LED器件的制备方法及器件，应用于发光二极管技术领域，包括：在LED主体结构的出光侧表面设置介质层；在介质层背向LED主体结构一侧表面设置压印胶层；通过目标模具在压印胶层表面压印出目标图形阵列并固化具有目标图形阵列...
    2026-01-02
  • 发光结构及其制备方法
    发光结构及其制备方法_深圳市思坦科技有限公司_202511182451.6
    本申请提供一种发光结构及其制备方法，所述制备方法包括：制备发光芯片晶圆，发光芯片晶圆包括衬底、衬底上方的外延层和外延层上方的发光芯片，发光芯片的数量为多个，各发光芯片之间具有隔离结构，隔离结构底部与衬底接触，将相邻发光芯片下方的外延层断开；...
    2026-01-02
  • 一种Micro-LED高精度拼接设备及其调试方法
    一种Micro-LED高精度拼接设备及其调试方法_深圳市八零联合装备有限公司_202511063930.6
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种Micro‑LED高精度拼接设备及其调试方法，本发明提供一种Micro‑LED高精度拼接设备，包括机械执行机构、光学检测机构、算法处理模块、环境补偿单元及拼接逻辑模块；本发明通过机械执行机构、光学检...
    2026-01-02
  • 制造显示装置的方法和电子装置
    制造显示装置的方法和电子装置_三星显示有限公司_202510681871.2
    提供了一种制造显示装置的方法和电子装置。该方法包括：提供显示面板；以及在显示面板上提供树脂层。提供树脂层包括：在显示面板上设置基体树脂层；改变显示面板和基体树脂层的位姿；使基体树脂层的一部分预固化；改变显示面板和具有预固化部分的基体树脂层的...
    2026-01-02
  • 荧光膜片及其制备方法、LED产品
    荧光膜片及其制备方法、LED产品_福建天电光电有限公司_202511297124.5
    本发明公开了一种荧光膜片及其制备方法、LED产品，涉及LED产品技术领域，荧光膜片包括膜片本体，膜片本体的至少一侧设有粗糙层；荧光膜片的制备方法，包括荧光膜片制作、荧光膜片固定、粗糙层制作及荧光膜片切割处理；LED产品包括载体基板、LED芯...
    2026-01-02
  • 微型发光半导体器件及其制备方法
    微型发光半导体器件及其制备方法_厦门士兰明镓化合物半导体有限公司_202511192279.2
    本发明提供了一种微型发光半导体器件及其制备方法，其中微型发光半导体器件包括：衬底、外延结构、第一介质层、金属层以及电极；外延结构包括从下至上依次位于衬底上的第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层；第一介质层覆盖外延结构的侧壁和上表面；金属...
    2026-01-02
  • 一种倒装LED芯片及其制备方法
    一种倒装LED芯片及其制备方法_晶能光电股份有限公司_202511543563.X
    本发明提供的一种倒装LED芯片及其制备方法，倒装芯片的电极结构中包含依次层叠的连接金属层、钝化层、保护金属层和共晶金属层；钝化层完全覆盖LED芯片的表面，有效阻断外界环境中水汽、颗粒等与芯片的接触路径；钝化层和保护金属层相互配合对芯片形成了...
    2026-01-02
  • 一种倒装发光二极管芯片及其制备方法
    一种倒装发光二极管芯片及其制备方法_山西中科潞安紫外光电科技有限公司_202511124337.8
    本发明涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体器件技术领域，所述倒装发光二极管芯片，包括：p型电极层，设有中空区和凸出部；n型电极层，包括第一n型电极层和第二n型电极层，所述第一n型电极层位于所述中空区内，以备p型电极层将第一n型...
    2026-01-02
  • 一种发光二极管及背光源
    一种发光二极管及背光源_淮安澳洋顺昌光电技术有限公司_202511185906.X
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管及背光源。发光二极管至少包括第一导电半导体层、第一发光层、第二发光层和第二导电半导体层；其中，所述第一发光层发射具有第一峰值波长的第一光，第二发光层发射具有第二峰值波长的第二光，第一...
    2026-01-02
  • 一种显示装置及其制作方法
    一种显示装置及其制作方法_海信视像科技股份有限公司_202410614268.8
    本发明公开了一种显示装置及其制作方法，显示装置包括：驱动基板和位于驱动基板上的多个发光芯片。发光芯片包括第一半导体层，第一半导体层为发光芯片的背离驱动基板一侧的膜层，第一半层体层为向背离驱动基板的一侧凸出的凸起结构，凸起结构可以会聚发光芯片...
    2026-01-02
  • 一种电流倍增型多晶硅发光器件
    一种电流倍增型多晶硅发光器件_电子科技大学_202511534787.4
    本发明属于光电传感以及光通信领域，涉及硅基发光器件，具体提供一种电流倍增型多晶硅发光器件，用以解决现有硅基发光器件存在的发光效率低的问题；本发明包括：衬底层、多晶硅层、封装层、金属正极与金属负极，多晶硅层生长于衬底层上，并通过掺杂形成从左至...
    2026-01-02
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