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最新专利技术
  • 电路板和包括电路板的半导体封装基板
    电路板和包括电路板的半导体封装基板_LG伊诺特有限公司_202480028647.7
    一种根据实施方式的电路板包括：具有腔体的第一绝缘层；连接构件，所述连接构件设置在所述第一绝缘层的所述腔体中；以及第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上并且嵌入有所述连接构件，其中所述连接构件的下表面具有台阶，并且所述第二绝缘层与所...
    2025-12-20
  • 电路板和包括该电路板的半导体封装基板
    电路板和包括该电路板的半导体封装基板_LG伊诺特有限公司_202480028962.X
    根据实施例的电路板包括：包括上表面和下表面的芯绝缘层；设置在芯绝缘层上的上绝缘层；设置在芯绝缘层下方的下绝缘层；以及贯穿芯绝缘层的上表面和下表面的贯通电极，其中贯通电极包括与芯绝缘层的上表面相邻设置并且具有第一倾斜的第一贯通部，所述第一倾斜...
    2025-12-20
  • 导电结构及其制备方法、集成器件及其制备方法
    导电结构及其制备方法、集成器件及其制备方法_京东方科技集团股份有限公司_202480000602.9
    导电结构及其制备方法、集成器件及其制备方法；涉及半导体技术领域；导电结构包括玻璃基板本体(1)；玻璃基板本体(1)具有相对设置的第一表面和第二表面，玻璃基板本体(1)具有连通第一表面和第二表面的通孔结构；通孔结构包括从第一表面延伸至玻璃基板...
    2025-12-20
  • 冷却器
    冷却器_三菱电机株式会社_202380097307.5
    冷却器(10)具有：基底层(1)，其与元件接合；鳍片形成层(2)，其具有鳍片配置区域(R20)，在该鳍片配置区域(R20)配置与基底层(1)连接的多个鳍片(21)；以及开口部形成层(3)，其与鳍片形成层(2)连接，该开口部形成层(3)具有使...
    2025-12-20
  • 导热片、散热装置、导热片的制造方法及黏合层形成用组合物
    导热片、散热装置、导热片的制造方法及黏合层形成用组合物_株式会社力森诺科_202480028821.8
    一种导热片，其具备：导热层，其含有选自由鳞片状粒子、椭圆体状粒子及棒状粒子组成的组中的至少一种石墨粒子(A)，在所述鳞片状粒子的情况下面方向沿厚度方向取向，在所述椭圆体状粒子的情况下长轴方向沿厚度方向取向，在所述棒状粒子的情况下长轴方向沿厚...
    2025-12-20
  • 铝-金刚石复合体、铝-金刚石复合体的制造方法、以及半导体封装体
    铝-金刚石复合体、铝-金刚石复合体的制造方法、以及半导体封装体_电化株式会社_202480026818.2
    一种铝‑金刚石复合体，所述铝‑金刚石复合体具备层压结构，所述层压结构具有：含有铝相与大小各异的多个金刚石颗粒的复合层，以及夹着所述复合层的一对铝层；其中，在沿着层压方向切断所得的切断面上，所述多个金刚石颗粒包含具有2000μm²以上的面积的...
    2025-12-20
  • 半导体装置的制造方法、半导体装置及半导体部件
    半导体装置的制造方法、半导体装置及半导体部件_株式会社力森诺科_202480028819.0
    本发明公开一种通过热压接(TCB)将设置有TSV(23)的桥接晶粒(20)接合于再配线层的方法。在该方法中，用热固性的树脂膜(例如DAF)覆盖桥接晶粒(20)上的端子电极(22)及TSV(23)的上端(23a)来形成树脂层(24)并将其固化...
    2025-12-20
  • 用于半导体装置组合件的混合接合
    用于半导体装置组合件的混合接合_美光科技公司_202480019408.5
    本发明涉及一种半导体装置组合件，其包含：半导体裸片，其具有前侧表面、所述前侧表面处的第一多个接合垫及所述前侧表面处的第一介电层；及接口裸片，其具有前侧表面及背侧表面，所述接口裸片包含：第二多个接合垫及第二介电层，其安置在所述接口裸片的所述背...
    2025-12-20
  • 基板支撑器、基板处理装置和电力的供给方法
    基板支撑器、基板处理装置和电力的供给方法_国立大学法人东京大学_202480029361.0
    一种具有旋转侧构件和固定侧构件的基板支撑器，上述旋转侧构件具备：具有用于支撑基板的支撑面的第一工作台、以及配置于上述第一工作台内的至少一个电极，上述固定侧构件具备：在上述第一工作台的下方以与该第一工作台之间形成间隙的方式配置的第二工作台、以...
    2025-12-20
  • 用于半导体晶片的非接触式处理的系统和方法
    用于半导体晶片的非接触式处理的系统和方法_新加坡商平鼎半导体设备股份有限公司_202480024549.6
    本公开总体上涉及一种用于半导体晶片(200)的非接触处理的系统(100)和方法(400)。该系统(100)包括：晶片台(300)，其用于支撑半导体晶片(200)而在它们之间没有物理接触，晶片台(300)包括用于排放气体的流体出口；气动管线(...
    2025-12-20
  • 基板收纳容器
    基板收纳容器_未来儿股份有限公司_202380097633.6
    本发明提供的基板收纳容器(1)具备容器主体(2)和盖体(3)。盖体(3)具有密封构件(4)，其通过介于开口周缘部(28)与周缘部相对部(331)之间并紧密抵接于开口周缘部(28)和周缘部相对部(331)，将容器主体开口部(21)以气密状态封...
    2025-12-20
  • 吹扫喷嘴、基板处理装置、基板收容器的吹扫方法、半导体装置的制造方法及程序
    吹扫喷嘴、基板处理装置、基板收容器的吹扫方法、半导体装置的制造方法及程序_株式会社国际电气_202380095991.3
    具备：(a)紧密接触部，其在中央具有开口，并构成为能够与基板收容器的吹扫接口紧密接触；(b)套筒，其与上述紧密接触部的与上述吹扫接口紧密接触的面的相反面连接，并且具有与上述开口连通的筒部；(c)气体管，其与上述筒部的内圆周伴有第1间隙地间隙...
    2025-12-20
  • 拾取系统、接合装置、分类装置以及拾取方法
    拾取系统、接合装置、分类装置以及拾取方法_松下知识产权经营株式会社_202480029365.9
    拾取系统(100)具备：上顶部(34)，其将粘贴于粘着片(6b)上的芯片(6a)隔着粘着片(6b)上顶；部件保持部(15)，其具有有开口(14b)且升降自由的拾取吸嘴(14a)，使用拾取吸嘴(14a)来非接触地保持芯片(6a)；负压产生部(...
    2025-12-20
  • 微波预清洁设备及移除杂质的处理方法
    微波预清洁设备及移除杂质的处理方法_应用材料公司_202480027249.3
    本揭示案的实施例大体上系关于不含电浆的低温预清洁制程，以选择性地自基板的表面移除污染物，诸如含卤素及/或含金属氧化物的污染物。藉由使用微波源在低温下执行不含电浆的预清洁制程，该微波源经配置以向安置在处理腔室内的处理气体提供微波能量。无电浆低...
    2025-12-20
  • 半导体晶片处理装置
    半导体晶片处理装置_丰南半导体有限公司_202480001126.2
    根据本发明一实施例的半导体晶片处理装置包括：罐，其中填充有工艺所需的溶液；加热部，其用于对溶液进行初步加热；多个石英管，其用于将由加热部初步加热的溶液供给到每个半导体晶片；管加热单元，其位于每个石英管处且用于对经初步加热的溶液进行二次加热；...
    2025-12-20
  • 制造半导体装置的方法及固化性树脂组合物
    制造半导体装置的方法及固化性树脂组合物_株式会社力森诺科_202380097620.9
    一种制造半导体装置的方法，其具备如下步骤：通过利用预压接用头将具有第二绝缘膜的第二电路部件热压接于具有第二绝缘膜的第一电路部件来形成预压接体；及对预压接体进行加热并进行加压来形成第一绝缘膜与第二绝缘膜接合的接合体。第一绝缘膜或第二绝缘膜中的...
    2025-12-20
  • 压缩成形装置及压缩成形方法
    压缩成形装置及压缩成形方法_雅马哈智能机器株式会社_202480028871.6
    本发明提供一种能够实现压缩成形装置的紧凑化，而且，能够实现密封模具的维护性的提高，而且，能够实现加工时间的缩短以及生产性的提高的压缩成形装置及压缩成形方法。作为解决手段，一种压缩成形装置(1)，使用密封模具(202)并利用密封树脂(R)对工...
    2025-12-20
  • 膜状黏合剂、胶黏剂膜、切割晶粒接合一体型膜及半导体装置的制造方法
    膜状黏合剂、胶黏剂膜、切割晶粒接合一体型膜及半导体装置的制造方法_株式会社力森诺科_202480028825.6
    本发明的膜状黏合剂为由具有热固化性且含有橡胶成分的树脂组合物构成，并且为具有第一表面及第二表面的膜状黏合剂，所述膜状黏合剂具有如下区域：该膜状黏合剂的第一表面附近的区域且橡胶成分的含有率从第二表面侧向第一表面侧增加的区域，通过使用原子力显微...
    2025-12-20
  • 晶粒粘贴膜、切割晶粒接合膜及制造半导体装置的方法
    晶粒粘贴膜、切割晶粒接合膜及制造半导体装置的方法_株式会社力森诺科_202480028482.3
    一种晶粒粘贴膜，其用于对于配置于基板上且第一半导体芯片的周围的多个间隔件，将第二半导体芯片以第二半导体芯片横跨多个间隔件之间并且覆盖第一半导体芯片的方式黏合。晶粒粘贴膜在90～180℃的范围内显示2000Pa·s以上且9800Pa·s以下的...
    2025-12-20
  • 用于基板和表面安装器件的射频(RF)互连配置
    用于基板和表面安装器件的射频(RF)互连配置_西纳公司_202480025273.3
    本公开的各方面可以包括例如系统，所述系统包括：基板，所述基板具有位于所述基板的表面中或上的互连件；抬高件，所述抬高件设置在所述表面之上，所述抬高件被配置有用于联接到所述互连件的一个或多个抬高件通孔；器件，所述器件定位在所述表面之上，所述器件...
    2025-12-20
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