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  • 本发明公开了一种光刻方法及光刻装置,属于量子芯片制备技术领域。该光刻方法中,将晶圆放置于工件的凹槽槽底面,晶圆远离槽底面的表面形成有光刻胶层,并将掩膜版的掩膜图形与晶圆对准后,放置掩膜版于工件具有凹槽的第一表面,对晶圆进行光刻。上述光刻方法...
  • 本发明提供一种抗反射涂层、半导体结构及其制备方法,本发明的梯度交联密度的抗反射涂层包括:高交联底层,配置为与覆盖金属沉积层的疏水层接触形成交联,所述高交联底层的交联密度大于或等于90 %;低交联顶层,配置为与光阻层接触形成交联,所述低交联顶...
  • 本发明涉及光刻胶技术领域,具体涉及一种超厚膜负性光刻胶及其制备方法和使用方法,旨在解决超厚膜负性光刻胶固化不完全,导致光刻胶图形形貌不佳,影响显影质量的问题。其技术方案要点是:包括如下重量比的原料:50‑80份丙烯酸树脂、3‑9份光引发剂、...
  • 本发明公开一种高柔韧性金属厚板蚀刻用负性光刻胶及其制备方法,属于光刻胶技术领域,本发明的负性光刻胶由主体油墨和丙二醇甲醚醋酸酯混匀得到;所述主体油墨由主体树脂、滑石粉、尼龙酸二甲酯、光引发剂混匀得到;所述主体树脂由树脂中间体、丙烯酸、三苯基...
  • 本发明提供能够形成保存稳定性良好的抗蚀剂图案的负型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案的制造方法。本发明的负型抗蚀剂组合物含有树脂(A1)、产酸剂(B)和交联剂(E),树脂(A1)包含式(a2‑1)所示的结构单元和式(a2‑4)所示的结构单元,产酸剂(...
  • 本发明公开了一种丙烯酸树脂光刻胶组合物及其制备方法和应用,所述光刻胶组合物以质量份计,包括30~60份感光树脂、10~30份脂环族环氧化合物、5~20份重氮萘醌光活性化合物;其中,感光树脂包括丙烯酸酯系单体来源的重复单元、苯乙烯系单体来源的...
  • 本发明的目的在于提供一种显影性及图案形成性优异、且波长转换效率优异的波长转换用感光性组合物、波长转换层、层叠体及显示装置。所述波长转换用感光性组合物,包含有机荧光粒子(A)、树脂(B)、聚合性化合物(C)及聚合引发剂(D),所述树脂(B)包...
  • 本申请公开了一种组合物及其制备方法、薄膜及显示面板,所述组合物包括硅烷偶联剂改性的散射粒子、量子点和光刻胶。本申请所述的组合物具有较高的储存稳定性。
  • 本发明公开了一种微纳结构的制备方法及应用,制备方法包括:提供一子模板,子模板的材质为丙烯酸类材料;通过氧等离子体沿第一方向对压印结构的第一表面进行表面活化处理,以驱动至少部分厚度的所述压印结构的C=C双键氧化为羧基或C=C双键断裂;在衬底表...
  • 本发明涉及含金属的膜图案的形成方法。本发明的目的在于提供借由将经等离子照射的含金属的膜图案用于蚀刻掩膜而能够在被加工膜形成边缘粗糙度良好的图案的方法。在本发明中,提供一种图案形成方法,是在基板上形成图案的方法,其包括下列步骤:(I‑1)在形...
  • 本发明提供一种光掩模坯料,其包括遮光膜,该遮光膜具有高遮光性能和由遮光膜提供的对SPM清洗的高耐性,该遮光膜包括保护层和遮光层,所述保护层设置在距离透明基板的最远侧、由含硅且不含过渡金属的材料形成,所述遮光层设置在保护层的透明基板一侧、由含...
  • 本公开提供了一种半导体结构、掩模板的图形设计方法及其系统和介质,该半导体结构包括:半导体层,包括具有伪结构区和器件区的管芯;光刻对准标记,位于伪结构区;以及套刻标记,位于伪结构区,并与光刻对准标记相邻,其中,套刻标记的图形生成规则由光刻对准...
  • 本发明的实施例提供了一种用于晶圆边缘的曝光系统以及包含在该曝光系统中的光罩。此光罩包括框架、由该框架包围的开口、位于该框架下方的相位反转层以及位于该相位反转层下方的强度衰减层。相位反转层的内侧壁和强度衰减层的内侧壁暴露于此开口。相位反转层的...
  • 本申请公开了一种基于分段贝塞尔的参数化曲线掩模OPC方法、设备、介质及产品,涉及半导体制造技术领域,该方法包括:对目标图形进行连续传输掩膜优化,得到带有辅助图形的CTM掩膜;再进行水平集优化,得到掩膜版图;对掩膜版图的轮廓抽稀后,用贝塞尔曲...
  • 本发明提供了一种面向曲线式掩膜的光学邻近校正方法及相关设备,从目标布局文件中获取原始掩膜图案,原始掩膜图案包括多段曲线,并对原始掩膜图案进行初始化后提取每段曲线的初始端点,生成端点集;对原始掩膜图案进行仿真,得到梯度图,并基于梯度图得到亚分...
  • 本申请公开了一种光学邻近修正方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:获取待修正版图,待修正版图包括缺陷图形;形成对应待修正版图中缺陷图形的初始缺陷标记;基于初始缺陷标记与缺陷图形,对初始缺陷标记进行区域调整处理,生成目标缺陷标记;基于目标缺...
  • 本发明涉及掩膜版制造,具体涉及一种半色调掩膜版的制作方法,确定光刻机对应的Mark识别精度,第一次光刻时在半色调掩膜版的第一层写上Mark识别精度对应的Mark;第二次光刻时半色调掩膜版上机后先进行Mark识别,并计算第二次需要光刻的图形的...
  • 本发明提供一种应用于照明系统的投影装置及应用于车灯,其包含有电路基板、光源模组以及波长转换元件。光源模组设置在电路基板上,用来输出照明光束。光源模组包含相邻排列的至少一个发光二极管单元以及至少一个激光单元。光源模组的总发光面积系介于0.5平...
  • 本申请涉及显示技术领域,公开了一种光源系统及投影设备,光源系统可以荧光和蓝激光从荧光轮出射后光路分离,蓝激光可以两次经过荧光轮的扩散区进行扩散,能够减少散斑问题,使光斑更均匀;荧光轮为荧光区和扩散区一体式,便于驱动装置驱动,并且可以减小光源...
  • 本申请涉及显示技术领域,公开了一种光源系统及投影设备,光源系统,出射的激光均经过两个复眼进行匀光,可以改善散斑问题,提高投影设备投射的画面的均匀性;同时,光源系统中采用了荧光轮,通过激光混合荧光,可以结合两种光的优势,从而大幅提升人眼舒适度...
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