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  • 本申请涉及一种InP晶圆表面匀化腐蚀装置及其作业方法,涉及半导体腐蚀技术领域,包括工艺仓,工艺仓设有电动转盘,电动转盘的转动端固定有托盘,托盘的顶面设有真空吸附孔,工艺仓内设有电动机构、由电动机构驱动移动的预处理喷头、腐蚀药液喷头、清洗喷头...
  • 本申请涉及一种高速高精度多用途兼容性键合设备,涉及键合设备技术领域。其包括主机平台,所述主机平台两端分别设置有上料结构和下料结构,所述上料结构和下料机构之间依次设置有基板输送装置和键合装置,所述基板输送装置上方设置有解耦式轻量化点胶装置,所...
  • 本申请涉及一种解耦式轻量化键合装置,涉及键合装置技术领域。其包括键合平台,键合平台底部设置有固定支架,固定支架上设置有X向移动导轨,X向移动导轨上均滑动连接有X向移动滑块,X向移动滑块上连接有X向安装架,两X向移动导轨之间设置有X轴电机;X...
  • 本发明涉及一种键合设备的基板输送装置,包含作业轨道和沿着作业轨道长度方向依次设置的若干个基板夹具装置,作业轨道包含作业轨道底板、固定轨道、调宽活动轨道、固定轨道顶升条和轨道调宽升降机构,固定轨道固定设置在作业轨道底板的一侧,调宽活动轨道可动...
  • 本发明适用于半导体湿法排气技术领域,提供了用于半导体湿法设备的排气过滤装置及其工作方法,包括排气单元和防溅射单元;排气单元包括排气管、短板、长板、自动伸缩杆、调节件、抽气管,鼓风机;防溅射单元包括折叠罩、升降气缸,连接板;通过抽气管和排气管...
  • 本申请涉及半导体湿法设备清洗的技术领域,特别涉及一种红外加热的石英慢拉槽。包括主槽、外槽、若干根红外灯管以及慢拉提升机构;所述主槽置于所述外槽中,并在所述主槽的底部设置若干根用于加热的所述红外灯管;所述主槽的底部设置DIW管,所述主槽的上部...
  • 本发明涉及半导体生产设备技术领域,具体涉及一种具有碎料重量感应的晶圆破碎检测机构,包括:滤网结构,环绕洗净台布置,位于洗净台底座的排水口上方,周围设置有防护罩,防护罩的内壁设置有容许滤网结构在一定范围内上下活动的限位组件;称重模块,与滤网结...
  • 本发明公开了一种嵌入式计算机新材料零部件生产用表面检测设备,具体涉及半导体检测领域,包括基座,基座上球铰接有承坐台,承坐台上开设有凹槽,凹槽与硅片花篮相适配,基座上安装有顶针;摄像系统位于基座的一侧,摄像系统包含高清摄像头,高清摄像头可根据...
  • 本发明涉及半导体加工技术领域,具体涉及一种提高双面研削机清洗部清洗效果以及效率的结构和方法。所述结构包括辅助吹气组件,设置清洗部的毛刷组与硅片出口之间,位于传送带的上方,辅助吹气组件吹出的气流对传送带上输送的硅片施加向下的压力。所述方法包括...
  • 提出了具有有效温度控制能力的反应室和包括该反应室的衬底处理系统。反应室可以包括:室壁,其配置为环绕在其中处理晶片的反应空间;晶片支撑件,其设置在室壁的下部和中心处,并且晶片支撑件配置为支撑晶片;喷淋头,其设置在室壁的上侧;气体通道(GC),...
  • 本技术的各种实施例可以提供一种具有顶部和底部的气体分配系统。顶部包含带有通道的冷却环、位于喷淋头区域上方的第一加热环、沿着顶部边缘的第二加热元件以及沿着顶部边缘的第三加热元件。底部包含多个沿着底部周边布置的加热元件,其从喷淋头区域径向向外布...
  • 本发明提供能够更适当地排出氢气的基板处理装置。基板处理装置包括处理单元(1)、容器(Tk1)、循环部(3)、排液部(4)、气体供给部(5)、排气部(6)和控制部。循环部(3)包含与容器(Tk1)连接的循环配管(31)及通过电解生成电解硫酸的...
  • 本公开说明一种基板处理装置、校准用基板以及校准方法,能够不改变配置于用于处理基板的处理腔室内的辐射温度传感器的位置而校准辐射温度传感器。基板处理装置具备:保持部,其构成为保持基板或校准用基板;加热部,其构成为对保持于保持部的基板或校准用基板...
  • 本发明公开了一种微动平台,包括气浮球、球座、多个气道、吸附部和调节柱。其中,气浮球包括承载面和设置于承载面一端的球面;球座上贯穿设有球形孔结构,球形孔结构容纳气浮球的球面,且球形孔结构的内壁和球面紧密贴合,球形孔结构和球面共球心;多个气道均...
  • 本发明实施例涉及一种处置半导体载板的设备,其包括:处置腔、n个加热腔、至少n+1个暂存区、升降装置以及机械手臂。所述n个加热腔是与所述处置腔连通。所述至少n+1个暂存区是置于所述处置腔中。所述升降装置是置于所述处置腔中,经配置以传送可移转的...
  • 本公开提供了一种晶圆处理装置和晶圆处理设备,涉及半导体芯片技术领域。该晶圆处理装置包括:壳体、导流组件和承载台。壳体包括底壁,底壁上设置有第一通孔。导流组件设置在底壁的一侧,导流组件上间隔的设置有多个第二通孔,第二通孔沿第一方向贯穿导流组件...
  • 本申请提供一种光斑监测方法及系统,包括:采用测试晶圆进行退火,预热激光器;在当前退火时长为预置时长时,获取激光光斑的光斑图像;基于光斑图像确定激光光斑的有效长度和均一性值;如果有效长度属于预置长度范围,并且均一性值属于预置亮度浮动范围,则生...
  • 本发明提供了快速热处理工艺设备及晶圆位置纠偏方法;其中,承载环的正面承载有晶圆,背面设有热致变色部;当加热组件对晶圆进行热辐射加热时,承载环中晶圆覆盖区域和未覆盖区域存在温差,导致晶圆覆盖区域的热致变色部未发生变色,晶圆未覆盖区域的热致变色...
  • 本发明提供了一种恒温设备,包括介质导流组件、导热件、热电模块件和热交换件;介质导流组件包括导流件,导流件包括至少一组导流通道,每一组导流通道包括两个分别设置于导流件的两对称换热作用面的子导流通道,两个子导流通道通过设置于子导流通道中部的贯穿...
  • 本申请公开了一种半导体处理装置,涉及半导体刻蚀领域,该半导体处理装置中处理腔室的四种进气口分别通过供气柜的四种供气通道供气,供气柜的气体通过中心供气通道和中心进气口流向待处理工件的中心区域、通过中间供气通道和中间进气口流向待处理工件的中间区...
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